CC BY
9CHEMICAL SCIENCES
INVESTIGATION OF PHASE FORMATION AND GLASS FORMATION IN THE As2Se3-TlTe
SYSTEM
Aliev I.
Doctor of Chemistry, prof., head. lab.
Ragimova V. Ph.D., Associate Professor Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after M.F. Nagiev NAS of Azerbaijan. Baku.
Ahmedova C. Ph.D., Associate Professor, Adiyaman State University, Faculty of Arts and Sciences, Department of Chemistry, Turkey Shakhbazov M. Ph.D., Associate Professor, Azerbaijan State Pedagogical University Gashimov Kh.
Ph.D., Associate professor. Azerbaijani State the University of Economics
ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗООБРАЗОВАНИЯ И СТЕКЛООБРАЗОВАНИЯ В СИСТЕМЕ As2Se3-
TlTe
Алиев И.И.
Д.х.н., проф., рук. лаб. Рагимова В.М.
К.х.н.доцент.
Институт Катализа и Неорганической Химии имени М. Ф.Нагиева НАН Азербайджана. Баку.
Ахмедова Дж.А.
К.х.н., доцент,
Адыяманский Государственный университет, факультет искусств и наук, кафедра химия, Турция.
Шахбазов М.Г.
К.х.н., доцент,
Азербайджанский Государственный Педагогический Университет
Гашимов Х.М.
К.х.н., доцент.
Азербайджанский Государственный Экономический Университет https://doi.org/10.5281/zenodo.6826171
Abstract
Phase formation and glass formation in the As2Se3-TlTe system have been studied by methods of differential-thermal (DTA), X-ray diffraction (XRD), microstructural (MSA), as well as microhardness measurement and density determination, and its state diagram has been constructed. It is established that the section As2Se3-TlTe is a quasi-binary section of the quaternary system As,Tl // Se,Te. Two quaternary compounds are formed in the system: TlAs2Se3Te melting incongruently at 225°C and In3As2S3Te3 melting congruently at 285°C. It has been established that T1As2Se3Te crystallizes in the tetragonal syngony with lattice parameters: a = 10.66 А; с=9.05 A, z=6, Ppycn.=6.78 103 kg/m3, px-ray=6.87 103 kg/m3. T^As2S3Te3 compounds crystallize in hexagonal syngony with parameters: a=11.72 A; c=9.75 A, z=4, ppycn=7.62 103 kg/m3, px-ray=7.82 103 kg/m3.Solid solutions based on As2Se3 at room temperature reach 1.6 mol. % TlTe, and practically no solid solutions based on TlTe were found. All obtained samples are glassy.
Аннотация
Фазообразование и стеклообразование в системе As2Se3-TlTe изучены методами дифференциально -термического (ДТА), рентгенофазового (РФА), микроструктурного (МСА), а также измерения микротвердости и плотности и построена диаграмма состояния. Установлено, что разрез As^e^Tl^ является квазибинарным сечением четверной системы As,Tl // Se,Te. В системе образуются два четверных соединения: TlAs2Se3Te, плавящиеся инконгруэнтно при 225°C, и In3As2S3Te3, плавящиеся конгруэнтно при 285°C.
Установлено, что T1As2Se3Te кристаллизуется в тетрагональной сингонии с параметрами решетки: а= 10,66 А; с=9,05 A, z=6, рпикн. =6,78103 кг/м3, рршт=6,87103 кг/м3. Аналогичным методом установлено, что Tl3As2S3Te3 кристаллизуется в гексагональной сингонии с параметрами: а=11,72 А,; с=9,75 A, z=4, Ppikn=7,62 103 кг/м3, prtnt=7,82 1 03 кг/м3. Твердые растворы на основе As2Se3 при комнатной температуре достигают 1,6 мол. % TlTe, а твердых растворов на основе TlTe практически не обнаружено. Все полученные образцы стеклообразные.
Keywords: system, eutectic, microhardness, density, solidus.
Ключевые слова: система, эвтектика, микротвердость, плотность, солидус.
Введение
Анализ литературы показал, что тройные системы, состоящие из халькогенидов мышьяка и таллия, изучены подробно [1-5], а четверные системы исследованы недостаточно, хотя в области четверных систем проведен ряд исследований [6-9]. Халь-когениды мышьяка, как и халькогениды таллия, склонны к стеклообразованию и получаются при нормальных условиях. Халькогенидные волокна на основе As2Se3 и As2Se3 используются для передачи света в среднем ИК-диапазоне и нашли применение в качестве компактной нелинейной среды, позволяющей комбинационное усиление [10] и генерацию [11]. В последние годы фотоэлектрические свойства соединений As2S3 и As2Se3 и сплавов на их основе исследованы в работах [12-20]. Исследованы электрофизические и термоэлектрические свойства тройных соединений на основе халькогенидов таллия [21-23]. Ранее нами исследованы четверные системы халькогенидов мышьяка с участием элементов III подгруппы [24-26]. С этой целью новые фазы и сплавы твердых растворов, полученные в результате изучения химического взаимодействия халькогенидов мышьяка и таллия, могут и являются актуальными материалами для электронной промышленности.
Целью данной работы является изучение фазо-образования и стеклообразования в системе As2Se3-TlTe, а также поиск новых полупроводниковых фаз.
Соединение As2Se3 плавится с открытым максимумом при 380oC и кристаллизуется в моноклинной сингонии с параметрами решетки: a = 12,053; b = 9,890; с = 4,277 А, в = 90o28/, пр. гр. P2i/n [27]. Плотность и микротвердость стеклообразного соединения As2Se3 равны р= 4,618 г/см3 и Нд = 1400 МПа, соответственно. Соединение TlTe плавится инконгруэнтно при 300оС и кристаллизуется в тетрагональной сингонии с параметрами решетки: а=12,95; с=6,175 А [28,29].
Экспериментальная часть
Сплавы системы As^e^Tl^ получали путем сплавления рассчитанных количеств стехиометри-ческих As2Se3 и Т1Те в вакуумированных до 0,133 Па кварцевых ампулах при температуре 600оС.
Исследование проводили методами дифференциального термического (ДТА), рентгенографического (РФА), микроструктурного (МСА) анализов, а также измерением микротвердости и определением плотности.
ДТА сплавов системы был осуществлен на приборе НТР -73 со скоростью 10 град/мин. РФА проводили на рентгеновском приборе модели D2 PHASER в СиКа- излучении с Ni-фильтром. МСА
сплавов системы исследовали на микроскопе МИМ-8 на предварительно протравленных шлифах, полированных пастой ГОИ. Микротвердость сплавов системы измеряли на микротвердомере ПМТ-3. Плотность сплавов системы определяли пикнометрическим методом, в качестве наполнителя применяли толуол.
Результаты и их обсуждение
Полученные образцы - стеклообразные, имеют черный цвет. Все сплавы устойчивы в воде и воздуху, растворяются лишь в минеральных кислотах (HNO3, H2SO4) и щелочах ( NaOH, КОН). Для получения равновесного состояния сплавы системы подвергали длительному отжигу при 220, 190 и 170°С в течение 950 ч. Режим термической обработки сплавов выбирали на основании диаграммы плавкости, построенной по кривым нагревания неотожженных образцов. Все сплавы системы исследовали до - и после отжига (табл. 1 и 2). Для построения диаграммы состояния системы As2Se3- Т1Те использовали данные физико-химического анализа после отжига.
ДТА сплавов системы показал, что почти все образцы - стеклообразные. На термограммах сплавов системы, имеются три ряда значений температуры размягчения.
В интервале концентраций 0-50 мол. % TlTe температура размягчения (Tg ) изменяется от 180 до 155°С, а в области 50-90 мол.% TlTe, Tg изменяется от 155 до 160°C. Для As2Se3 Тg=180°С, для TlAs2Se3Te, Тg =155°С и для TbAs2Se3Te3, Тg= 160°С.
MCA показал, что сплавы системы в интервале концентраций 0-90 мол. % Т1Те -стеклообразные. Для системы As2Seз-TlТе обнаружена взаимосвязь между структурой стекла и характером диаграммы состояния. Там, где в структуре стекла преобладают структурные единицы AsSe3/2, при кристаллизации стекол в качестве первичной фазы выделяются кристаллы соединения As2Se3. В области составов, содержащих 30-60 мол. % Т1Те, структура стекол определяется структурой TlAs2Se3Te. B области концентраций 60-80 мол. % Т1Те структура стекол определяется структурой TbAs2Se3Te3.
Полученные данные по кристаллизационной способности стекол системы As2Se3- ИТе хорошо согласуются с видом диаграммы состояния этой системы: максимальную кристаллизационную способность стекла состава химических соединений, а минимальную - стекла эвтектического состава. МСА сплавов показывает, что сплавы состава 0-1,6 мол. %Т1Те, 50 и 75 мол. % Т1Те - однофазные, а остальные сплавы - двухфазные.
Микротвердость и плотность сплавов системы Т1Те исследовали до- и после отжига (табл. 1, 2). Значения микротвердости и плотности стекол на основе АБ28ез изменяются в пределах Нц= (13001360) МПа, р=(4.62-5,38)103 кг/м3, для стекол состава "Ш^^Те Нц= (810-850) МПа, р =(5,38-6,88) 103 кг/м3 и для Т1зАБ28езТез Нц=(990-1020) МПа,
р=(6,88-7,82)103 кг/м3. После длительного отжига микротвердость и плотность для As2Se3 составляют Нц= (760-790) МПа, р=(5,10-5,76)103 кг/м3, для Т1АБ28е3Те Нц =(670-720) МПа, р = (5,76-7,10). 103 кг/м3, для Т13А828е3Те3 Нц =(830-870) МПа, р=(7,10-8,00).103 кг/м3.
Табл. 1. Состав, результаты ДТА, измерения микротвердости и определения плотности сплавов _системы As2Seз-TlTe до отжига (стеклообразные)_
Состав, мол % Термические эффекты, °С Плот- Микротвердость фаз, МПа
As2Se3 TlTe ность, а TlAs2S3Te Tl3 As2S3Te3 TlTe
103 кг/м3 Р=0,20 H P=0,10 Н
100 0.0 180,380 4,62 1300 - - -
97 3.0 180,375 4,70 1350 - - -
95 5,0 175,270,370 4,85 1360 - - -
90 10 170,225,355 5,05 1370 850 - -
80 20 170,225,335 5,38 1370 840 - -
70 30 160,225,310 5,75 1360 830 - -
60 40 155,225,290 6,15 1360 840 - -
50 50 155,225,250 6,55 - 820 - -
45 55 155,200,225 6,70 - 810 - -
40 60 155,200,215 6,88 - 810 1020 -
38 62 155,200 6,78 - - 1020 -
30 70 160,200,260 7,28 - - 1020 -
25 75 160.285 7,52 - - 1000 -
20 80 160,175,250,270 7,66 - - 1010 -
15 85 160,175,250 7,70 - - 990 -
12 88 160,175 7,82 - - - 810
10 90 160,175,210,350 8,00 - - - 810
5,0 95 175,265,410 8,15 - - - 810
з.о 97 175,230,435 8,28 - - - 810
0.0 100 300,453 8,43 - - - 810
Табл. 2. Состав, результаты ДТА, измерения микротвердости и определения плотности сплавов системы As2Seз-TlTe после отжига (кристаллические)
Состав, мол % Термические эффекты, °С Плотность, Микротвердость фаз, МПа
As2Se3 TlTe а TlAs2S3Te Tl3As2S3Te3 TlTe
Р=0,10 H P=0,2 Н
100 0.0 380 5,10 760 - - -
97 3.0 300,375 5,25 790 - - -
95 5,0 270,370 5,31 790 - - -
90 10 225,355 5,43 790 720 - -
80 20 225,335 5,76 790 720 - -
70 30 225,310 6,09 790 710 - -
60 40 225,290 6,40 790 700 - -
50 50 225,250 6,78 - 680 - -
45 55 200,225 6,95 - 680 - -
40 60 200,215 7,10 - Эвтек. Эвтек. -
30 70 200,260 7,40 - - 830 -
25 75 285 7,62 - - 850 -
20 80 175,250,270 7,76 - - 860 -
15 85 175,250 7,92 - - - -
12 88 175 8,00 - - Эвтек. Эвтек.
10 90 175,210,350 8,09 - - - -
5,0 95 175,265,310 8,19 - - - 810
з.о 97 175,290,435 8,35 - - - 810
0.0 100 300,453 8,43 - - - 800
С целью уточнения области стеклообразова-ния снимали дифрактограммы до- и после отжига. Результаты РФА показали, что в интервале концентраций 0-80 мол. %Т1Те на дифрактограммах не наблюдаются дифракционных максимумов. После длительного отжига нам не удалось закристаллизовать сплавы. Поэтому была предпринята попытка добиться полной кристаллизации, подвергнув
сплавы предварительно в порошок, а затем отжигу. Сначала температуру поднимали до 80-100°С и несколько суток выдерживали при тоже температуре, поднимали до кристаллизационной точки и отжигали в течение 1100 ч. После этого снимали дифрак-тограммы.
10
20
30
40
50
60
20
Рис. 1. Дифрактограммы сплавов системы As2Se3-TlTe. 1-As2Ses, 2-50 (T1As2Se3Te), 3-75 (TlAs2S3Te3), 4-100мол. % TlTe.
На дифрактограммах этих сплавов появляются интенсивные дифракционные максимумы. Установлено, что область стеклообразования в системе АБ28ез-Т1Те получается больше, чем в системе А828ез-Т^. По идее при переходе ТШ^-ТГГе происходит металлизация химических связей. Поэтому должна быть уменьшаться область стеклообразова-ния в ряду Т^^ТТГе. По-видимому, в системе АБ28ез-Т1Те образуются новые структурные единицы, которые обладают более жесткой ковалент-ной связью.
Горюнова и Коломиец показали, что наиболее важной чертой, определяющей структуру и устойчивость халькогенидных стекол, является относительный вклад ковалентной связи. Построенная на основании данных физико-химического исследования диаграмма состояния системы As2Seз-TlTe показана на рис. 1. Диаграмма состояния системы АБ28ез-Т1Те - частично квазибинарная. В системе АБ28ез-Т1Те образуются два новых химических соединения, инконгруэнтно плавящиеся при 225°С Т1АБ28езТе и конгруэнтно - при 285°С Т1зАБ28зТез.
1
Рис. 1. Диаграмма состояния системы As2Se3-T1Te. Область стеклообразования, полученная в режиме медленного охлаждения (1) и в режиме закалки в жидком азоте (2).
Следует, что новые дифракционные максимумы, обнаруженные на дифрактограммах сплавов, содержащих 50 и 75 мол. % Т1Те, отличаются от дифракционных максимумов исходных соединений (рис. 1). Полученные результаты доказывают, что в системе As2Seз-TlTe образуются новые соединения составов T1As2SeзTe и Т1зАз28зТез. Индивидуальность соединений T1As2SeзTe и Т1зАБ28зТез подтверждена методами физико-химического анализа.
Существование указанных соединений подтверждено также РФА.
Для соединений T1As2SeзTe и Т1зАБ28зТез вычислены параметры решетки. Установлено, что
T1As2Se3Te кристаллизуется в тетрагональной син-гонии с параметрами решетки: а= 10,66; с=9,05 А, 7=6, рпикн. =6,7810з кг/мз, ррент=6,8710з кг/мз. Аналогичным методом установлено, что T13As2S3Te3 кристаллизуется в гексагональной сингонии с параметрами: а=11,72; с=9,75 А, 7=4, рр1]т =7,62103 кг/м3, ргм=7,82103 кг/м3. Ликвидус системы As2Se3-T1Te состоит из пяти ветвей первичной кристаллизации: а-твердых растворов на основе As2Seз, T1As2SeзТе, T1зAs2SзTeз, Т1Те и Tl2Te. Соединения T1As2SeзТе и InзAs2SзTeз между собой образуют эвтектику при 200оС, состав которой - 62 мол. % Т1Те.
Табл. 3. Рентгеновские данные соединений T^As2SeзTe, TlзAs2SeзTeз, межплоскостные расстояния
TlAs2Se3Te Tl3As2Se3Te3
№ I, % d3Kc.,A йвыч.., A hkl I, % dasc,.A йвыч.., A hkl
1 7 5,3300 5,3301 200 12 3,5516 3,5714 211
2 9 4,7678 4,7677 210 20 3,2527 3,2530 003
3 7 4,5268 4,5268 002 44 3,1012 3,0979 103
4 23 3,7687 3,7689 220 86 3,0177 3,0165 212
5 6 3,5536 3,5533 330 36 2,9300 2,9298 220
6 50 3,2686 3,2651 212 100 2,8503 2,8444 113
7 19 3,1589 3,1591 311 56 2,8002 2,8149 310
8 21 3,0177 3,0178 003 16 2,6985 2,7047 311
9 100 2,9565 2,9566 320 16 2,5334 2,5375 400
10 55 2,8950 2,8964 222 12 2,5125 2,5118 222
11 21 2,3842 2,3836 420 10 2,3321 2,3237 321
12 18 2,3553 2,3551 223 16 2,2054 2,2115 410
13 6 2,2187 2,2189 104 16 2,0300 2,0298 500
14 12 1,9545 1,9518 330
15 12 1,8216 1,8230 510
16 12 1,7739 1,7851 242
17 12 1,6288 1,6265 006
Первичная кристаллизация In3As2S3Te3 и TbTe заканчивается в перитектоидной точке, состава 82 мол. % Т1Те при 250°С. Тройная эвтектика отвечает составу 88 мол. % Т1Те и плавится при 175°С. В интервале 0-50 мол. % Т1Те ниже линии солидуса совместно кристаллизуются и ( а+ TlAs2SeзТе) а в интервале 50-75 мол. % TlTe ниже линии солидуса сплавы представляют собой смесь двух фаз TlAs2SeзТе и In3As2S3Te3. Часть диаграммы в интервале концентраций 75-100 мол. % TlTe частично квазибинарная, ниже линии солидуса совместно кристаллизуются TbAs2S3Te3+TlTe.
Заключение
Таким образом, построена диаграмма состояния системы As2Se3-T1Te. Система - частично квазибинарная. В системе образуются два промежуточных соединения: TlAs2Se3Те плавящееся инкон-груэнтно при 225°С и TbAs2S3Te3 конгруэнтно плавящееся при 285°С. Соблюдая условия количественного ДТА для определения состава эвтектики были построены треугольники Таммана. Установлено, что состав эвтектики отвечает 62 мол. % TlTe и температура 225оС. Установлено, что T1As2Se3Te кристаллизуется в тетрагональной сингонии с параметрами решетки: а= 10,66; с=9,05 Ä, z=6, Рпикн. .=6,78 1 03 кг/м3, ррент=6,87 103 кг/м3. Соединения Tl3As2S3Te3 кристаллизуется в гексагональной сингонии с параметрами: а=11,72; с=9,75 Ä, z=4, Ppikn=7,62 103 кг/м3, prtnt=7,82 1 03 кг/м3. В системе при медленном охлаждении область стеклообразо-вания простирается до 90 мол. % TlTe, а в режиме закалки в жидком азоте - 100 мол. % TlTe. Твердые растворы на основе As2Se3 доходят до 1,6 мол. % T1Te, а на основе TlTe практически не установлены.
Список литературы:
1. Любин В.М., Фомина В.И. Фотоэлектрическое и катодоэлектронное состояние в слоях Tl2Se-As2Se3 // ФТТ, 1963, т.5, №12, с.3367-3372.
2. Кириленко В.В., Дембовский С.А., Поляков Ю.А. Оптические свойства стекол в системах As2S3-TlS и As2Se3-TlSe // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1975, т.11, №11, с.1923-1928.
3. Кириленко В.В., Никитин В.К., Дембов-ский С.А. Стеклообразование и особенности химического взаимодействия в халькогенидных системах As2X3-Tl2X // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1975, т.11, №11, с.1929-1935.
4. Алиев И.И., Бабанлы М.Б., Фарзалиев А.А. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок стекол (As2Sез)l-х(TlSе)х (х=0,05-0,10) // XI Международная конференция по физике
и технологии тонких пленок. Иваново-Франковск, Украина, 7-12 мая, 2007, с. 86.
5. Flaschen S.S., Pearson A.F., Northover W.R. Formation and properties of low-melting glasses in the ternary systems As-Tl-S, As-Tl-Se and As-Se-S // J. Amer. Gram. Soc., 1960, v. 43, No1, p. 271-278.
6. Алиев И.И., Фарзалиев А.А., Алиев И.Г., Магаммедрагимова Р.С., Велиев Дж.А. Фазовые равновесия и стеклообразование в системе Аs2Sз-ТlАs2S2Sе2 // Химические проблемы, 2008, № 1, с. 215-218.
7. Алиев И.И, Алиев И.Г., Фарзалиев А.А., Велиев Дж.А. Характер взаимодействия и стекло-образования в системе TlAs2S4-Tl 3As2S3Se3 // Журн. неорган. химии. 2008.т.53.№6.с.1037-1039.
8. Велиев Дж.А., Алиев И.И., Мамедова А.З. Фазовое равновесие в системе As2S3-TlSe // Журн. неорган. химии. 2007.т.52. № 2.с.312-315.
9. Заргарова М.И., Мамедов А.Н., Аждарова Дж.С., Ахмедова (Велиев) Дж.А., Абилов Ч.И. Справочник: Неорганические вещества, синтезированные и исследованные в Азербайджане. Баку. Изд. Элм. 2004.462 с.
10. Fu L.B., Fuerbach A., Littler I.C.M., and Eg-gleton B.J., Efficient optical pulse compression using Chalcogenide single-mode fibers, Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 081116.
11. Fu L.B., Rochette M., Ta'eed V., Moss D., and Eggleton B.J., Investigation of self-phase modulation based optical regeneration in single mode As2Se3 Chalcogenide glass fiber, Opt. Express 2005. V. 13. P 7637-7640.
12. Dinesh Chandra SATI1, Rajendra KUMAR, Ram Mohan MEHRA Influence of Thickness Oil Optical Properties of a: As2Se3 Thin Films // Turk J Phys, 2006. V.30. P.519- 527.
13. Lovu M., Shutov S., Rebeja S., Colomeyco
E., Popescu M. Effect of metal additives on photodark-ening kinetics in amorphous As2Se3 films // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 2000. V. 2, Issue: 1. P 53-58.
14. Jun J. Li Drabold. D. A.. Atomistic comparison between stoichiometric and nonstoichiometric glasses: The cases of As2Se3 and As4Se4 // Phys. Rev. 2001, V. 64. P. 104206-104213.
15. Hineva Т., Petkova T.,Popov С., Pektov P.. Reithmaier J. P., Funrmann-Lieker T., Axente E.. Sima
F.. Mihailescu C. N., Socol G., Mihailescu I. N. Optical study of thin (As2Se3)1-x(AgI)x films // Journal of op-toelektronics and Advanced Materials. 2007.V. 9. No. 2. February. P. 326 - 329.
16. Seema Kandpal, Kushwaha R. P. S.. Photo-acoustic spectroscopy of thin films of As2S3, As2Se3 and GeSe2 // Indian Academy of Sciences. PRAM ANA journal of physics. 2007. V. 69. No. 3. P. 481-484.
17. Andriesh A.M., Verlan V. I.. Donor- and acceptor-like center revealing by Photoconduktivity of amorphous thin As2Se3 films // Journal of Optoelectronic and Advanced Materials 2001. V. 3. No. 2, June. P. 455 - 458.
18. Verlan V. I. Native cenyers of elektron and hole traps in thin amorphous films As2S3 AND As2Se3 // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 2003. V. 5. No. 5. P. 1121 - 1134.
19. Дж. А. Ахмедова Электрофизические и фотоэлектрические свойства стекол (As2Se3)1-x (CdSe)x (X = 0.01, 0.03, 0.05) // Неорганические материалы, 2019. T. 55. № 5. С. 544-546.
20. Ismailova S.Sh. Investigation of the character of investigation in the system As2Se3 - Cu2Cr4Te7 fnl the properties of the obtained phases // Norwegian Journal of development of the International Science No 82/2022. P. 11-15.
21. Selahattin Ozdemir, Mahmut Bucurgat. Pho-toelectical properties of TlGaSe2 Single Crystals // Solid State Sciences 2014. V.33. P. 26-30. D0I:10.1016/j. solidstatesciences.2014.04.006
22. Alexander K Fedotov, M.I.Tarasik, T. G. Mammadov, Ivan Svito et.al. Elektrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2 // Prze-glad Elektrotechniczny. 2012. V. 88(7a). P. 301-304.
23. Panich A.M. Electronic properties and phase transitions in low-dimensional semiconductors //Jour-nal of Physics: Condensed Matter. 2008. V.20. P. 20331.
24. Алиев И.И., Бабанлы К.Н., Ахмедова Дж.А., Мурсакулов Н.Н., Шахбазов М.Г., Гашимов Х.М. Исследование фазообразование в системе As2S3-In2Te3 и свойства полученных фаз // Евразийский Союз Ученых 2021. Т.1. № 9(90). С. 25-29.
25. Алиев И. И., Ахмедова Дж А., Кахрама-нов Э. Т. Характер химическое взаимодействие и стеклообразование в системе As2Sе3-In2Тe3 // Научный журн. Архивариус. 2021. Т: 7. №: 9 (63) С. 1822.
26. Алиев И. И., Аждарова Д.С., Максудова, Т.Ф. Мехтиева С.А., Кахраманов Э.Т., Ахмедова Дж.А., Шахбазов M.r. Характер взаимодействия и стеклообразования в системе // Евразийский Союз Ученых 2021. T.1. № 12 (93). C. 39-44.
27. Хворестенко А.С. Халькогениды мышьяка. Обзор из серии "Физические и химические свойства твердого тела". - М., 1972. 92 с.
28. Федоров П.И., Мохосоев М.В., Алексеев Ф.П. Химия галлия, индия и таллия. Изд. Наука. Сибирское Отделение. Новосибирск. 1977. 222 с.
29. Диаграмма состояния двойных металлических систем: Справочник: B3 т.:Т.3.Кн. 2/Под общ. ред. Н.П.Лякишева. -М.: Машиностроение. 2000.-448 с.
