CC BY
8ВЗАИМОСВЯЗЬ НАНОСТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ УГЛЕРОДНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ СИТ
плоскостных расстояний и размеров стенок пор.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
1. Изменение коэффициента селективности соответствует изменению удерживаемых объёмов Н2 и СО, и изменяется от 10 для УМС500 до 14 для УМС600, 7 - УМС700, и до 33 для УМС800.
2. Увеличение температуры получения УМС сопровождается монотонным ростом ширины и уменьшением высоты элементарных текстурных фрагментов, составляющих их матрицу.
3. Увеличения объёма пор в элементарных текстурных фрагментах УМС от УМС 500 к УМС 800 происходит монотонно и не коррелирует с быстрым ростом удельных удерживаемых объёмов Н2 и СО от УМС700 к УМС800.
4. Быстрое увеличение селективности разделения Н2 и СО в УМС800 в сравнении с УМС700 объясняется изменением электро-нодонорной и электроноакцепторной способности молекул аренов, составляющих стенки пор в ассоциатах аренов - ЭНТФ углеродной матрицы УМС.
Авторы благодарят А.В.Волгина, Т.М. Наймушину за участие в подготовке образцов УМС, С.Ю.Лырщикова за обсуждение методики и результатов квантово-химического моделирования аренов, В.М. Пугачёва, В.Г.Додонова за выполнение рентгенодиф-ракционного анализа образцов.
Работа выполнена при частичной поддержке фонда содействия развитию малых
форм предприятий в научно-технической сфере по программе "УМНИК", проект № 7961.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Stoeckli, F., Daguerre E., Gulliot A. (1999). Carbon, 37, [12], p.2075.
2. Stoeckli, F. and Centeno, T.A.. Carbon, 43, (2005), 1184-1190.
3. Junpirom, S., Do, D.D., Tangsathitkulchai, C. and Tangsathitkulchai, M. Carbon, 43, (2005), 1936-1943.
4. Blayden H.E., Gibson J., Riley H.L. An X-ray study of the structure of coals, cokes and chars. In the proc. of the conf. on the "Ultrafine Structure of Coals & Cokes. Jume 24th -25, 1943. The Royal Institution, London. Pp. 176 - 232.
5. Brown J. K., Hirsch P. B. Nature, v. 175 (1955), p.229.
6. Blumenfeld, L.A., Voevodsky, V.V. and Se-menov, A.G. (1962). Applications of electron spin resonance in chemistry, SB RAS., Novosibirsk (in Russian). 240 pp.
7. Huttepain, M. and Oberlin, A. Carbon, 28, (1990), 103-111.
8. Pat. № 4,734,394 / Process for producing molecular sieve carbon / Kosaka. - March 29, 1988.
9. Бервено А.В., Бервено В.П., Лырщиков С.Ю., Когодеев С.Е. Зависимость селективности восстановленного и окисленного молекулярно ситового углеродного волокна от температуры активации // Международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах», Кемерово, 10-12 октября 2007.
ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ ТАЛЛИЯ ПРИ ФОТОЛИЗЕ АЗИДА ТАЛЛИЯ
Л.И. Шурыгина, Л.Н. Бугерко, Т.Ю. Кожухова
Методами масс-спектрометрии, спектроскопии и электронной микроскопии определены топография и кинетика накопления продуктов фотолиза TlN3(А). Оценены эффективные константы скорости фотолиза азида таллия. В результате измерений фото-ЭДС, фототока, контактной разности потенциалов, вольт-амперных характеристик установлено, что при фотолизе азида таллия формируются наноразмерные системы TlN3(А) - Т1. Предложена модель фотолиза TlN3(А), включающая стадии генерации, рекомбинации и перераспределения неравновесных носителей заряда в контактном поле, образования конечных продуктов фотолиза.
ВВЕДЕНИЕ
Выделяющиеся при фотохимическом разложении твердофазные продукты оказывают существенное влияние на фотохимические и фотоэлектрические свойства неорганических азидов [1-12]. Систематические исследования автокаталитического и сенсибилизирующего влияния твердофазных продуктов на фотолиз неорганических азидов [8-12], а также параллельное изучение фотолиза и электрофизических свойств искусственно сформированных систем «азид - металл» [13-20, 22, 23] позволили существенно продвинуться в направлении понимания механизма фотолиза неорганических азидов при глубоких степенях превращения.
В настоящем сообщении представлены результаты работы, направленной на исследование кинетических и спектральных закономерностей фотолиза до, в процессе и после предварительного разложения образцов азида таллия, идентификацию продуктов фотолиза Т^з(А), выяснение энергетической структуры контакта азид таллия - продукт фотолиза и причин, вызывающих продуктом разложения изменение фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азида таллия.
ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
Азид таллия марки А (™3(А)) [9, 10, 18] синтезировали методом двухструйной кристаллизации: в 0,2 н водный раствор нитрата таллия (квалификации х.ч.) по каплям приливали 0,2 н водный раствор дважды перекристаллизованного технического азида натрия (скорость сливания 2 капли в секунду, тСИНТе-за = 30 минут, 7= 293 К, рН = 3). Образцы для исследований готовили прессованием таблеток Т11\13(А) массой 150 мг при давлении 1-103 кг см"2, либо путем тщательного диспергирования в 98 % этиловом спирте навесок ™3(А) массой 150 мг, последующего равномерного нанесения (методом полива) в чашечки диаметром 1 см и сушили в эксикаторе в темноте при Т = 293 К [9, 10, 18]. Измерения скорости фотолиза (УФ), фототока (/Ф) и фото-ЭДС (иФ) образцов проводили в вакууме (110-5 Па). Источниками света служили ртутная (ДРТ-250) и ксеноновая (ДКсШ-1000) лампы. Для выделения требуемого участка спектра применяли монохроматор МСД-1 и набор светофильтров. Актинометрию источников света проводили с помощью радиационного термоэлемента РТ-0589. В качестве датчика при измерении VФ использовали
лампу РМО-4С омегатронного масс-спектрометра ИПДО-1, настроенного на частоту регистрации азота [19]. Измерения /ф и иФ проводили на установке, включающей электрометрический вольтметр В7-30 либо электрометр ТЯ-1501 [20]. Спектры диффузного отражения (ДО) до и после облучения образцов измеряли на спектрофотометре СФ-4А с приставкой ПДО-1 при давлении Р ~ 10-4 Па, используя устройство [21], при давлении 101,3 кПа на спектрофотометре Specord-M40 с приставкой на отражение 80d [22]. Контактную разность потенциалов (КРП) между азидом таллия, таллием и электродом сравнения из платины измеряли, используя модифицированный метод Кельвина [23]. Топографию твердофазных продуктов фотолиза азида таллия изучали методом угольных реплик на электронном микроскопе УЭМВ-1000.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
В результате анализа кинетических закономерностей фотолиза и фототока азида таллия разных методов синтеза в зависимо-
сти
от
интенсивности
13 16 ? 1
(/=1-10 -1-10 квант-см -с ) и спектрального состава (350-1000 нм) падающего света было установлено, что азид таллия независимо от метода его приготовления проявляет общие кинетические закономерности. При облучении образцов светом X = 365 нм в области интенсивного освещения
14 9 1
(/>1-10 квант-см" с") при Т = 293 К на кинетических кривых \/ф можно выделить несколько участков: начальный (I), стационарный (II), возрастания (III), насыщения (IV) и спадания (V) (рисунок 1, кривая 1).
Рисунок 1. Кинетические кривые \/ф Т11\13(А)
14 9 1
при X = 365 нм и / = 3,17-10 квант-см -с" до
ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ ТАЛЛИЯ ПРИ ФОТОЛИЗЕ
АЗИДА ТАЛЛИЯ
(1) и после прерывания освещения на I (2), II (3), IV (4) и участках кривых VФ
Время реализации разных участков кинетических кривых Vф, а также значения Vф зависят от интенсивности падающего света. Снижение интенсивности падающего света приводит к уменьшению VФ, а также к увеличению продолжительности участков кинетических кривых. На рисунке 2 (кривая 1) приведены спектральные распределения VФ и /ф, построенные по стационарным значениям VФ и /ф. Видно, что длинноволновый край \/ф и /ф Т11\13(А) находится при X < 450 нм.
'ij
Г1 2 ¡à " ь» 4 Т
Я 1 _ в 2 1 1,2
é ^ 3 4
400 ^^Sïio 60« À, н м
Я 5 S -
-» э
10 5
Рисунок 2. Спектральное распределение Уф
(1, 3), /ф (2, 4) и иф (5) до (1, 2) и после облучения TIN3 (3, 4, 5) светом X = 365 нм и /= 1,0-1014 квант см"2 с"1
Различные виды предварительных обработок, которые приводят к частичному разложению азида таллия (прогрев в вакууме 110-5 Па в интервале температур 340-420 К, облучение светом, «старение» образцов, обработка в восстановительной среде), уменьшают или полностью устраняют начальный максимум (участок 1) на кинетических кривых Уф. Повторное (после прерывания света на I и II участках) освещение образцов не приводит к заметному изменению Уф на II, III, IV участках кинетических кривых Уф (рисунок 1, кривые 2, 3) и кривых спектрального распределения Уф и /ф. Предварительное экспонирование образцов в течение 100 мин. приводит к монотонному увеличению Уф до постоянных значений (рисунок 1, кривая 4). При этом наряду с увеличением Уф и /ф в собственной области поглощения TlN3(A) на кривых спектрального распределения Уф и /ф,
появляется новая область фоточувствительности, длинноволновый порог которой простирается до 620 нм (рисунок 2, кривая 2).
Для обнаружения частиц металла в диэлектриках авторы [27] предложили сопоставить экспериментально наблюдаемую зависимость фототока от частоты излучения с током фотоэмиссии на границе раздела «металл - диэлектрик». Ток фотоэмиссии на границе TIN3(A) - XI, вызываемый монохроматическим светом частоты ш > ю0, где ю0 - красная граница фотоэффекта, рассчитывали по [27]:
/ = A(m-m0)2f(y),
1
1 + 8;гехр(—у 2 ) + ...,/ « 1,
8 ^ 1 2 ~
— у- н---1—у - +...,у» 1.
15 2 9
где А - константа, определяемая свойствами металла и границы раздела; х - переменная интегрирования; у = h (ю - ш0) / Ед - характеристический параметр; h - постоянная Планка; Ед = 33,5 х s" х m / т0 - характеристическая энергия; т0 - масса электрона, m - эффективная масса; s - диэлектрическая проницаемость среды.
Установлено, что расчетные значения тока фотоэмиссии на границе TlN3(A) - Tl и экспериментально наблюдаемые значения фототока практически совпадают. Значения КРП для образцов, подвергнутых фотолизу, удовлетворительно совпадают с измеренными для искусственно нанесенного таллия [23] (таблица).
Таблица
Контактная разность потенциалов между азидом таллия, таллием и относительным
электродом из платины
Образец КРП, В
Давление, Па
МО5 110"5 МО"5* 110"5** 110"5***
TlN3(A) Tl +0,70 +1,00 +0,50 +1,08 +0,10 +1,08 +1,10 +1,00
* После предварительной тепловой обработки при Т = 350 К в течение 90 мин.
** После предварительного фотолиза при ( = 365 нм, I = 1(1014 квант(см-2(с-1. *** После предварительного термолиза при Т = 550 К в течение 180 мин.
При изучении топографии твердофазного продукта фотолиза азида таллия установлено, что при интенсивностях
Л Л Л ^ О Л
/ = 4-10 -8-10 квантсм" с" и временах облучения образцов (X = 365 нм), соответст-
о
2(1 - x)dx _i
1-ехрН» 2]
вующих достижению участков I и II кинетической кривой Уф, на кривых распределения частиц по размерам можно выделить максимумы, свидетельствующие о преимущественном формировании частиц размером 40-60 А и 100-120 А сферической формы, а
но л л
при интенсивностях /=1-10 -1-10 квант см"
2 1
•с" формируются частицы размером 100-120 А. Установлено, что число частиц на поверхности экспонированного при X = 365 нм и / = 3,17-1014 квант см"2 с"1 (участок I кинетической кривой \/ф) TIN3(A) составляет « Ю11-1012 см"2. При увеличении времени облучения азида таллия до участка III частицы фотолитического таллия достигают размера 0,1-1,2 мкм и приобретают огранку. При больших временах освещения, соответствующих временам достижения участка IV, поверхность образцов практически полностью покрывается фотолитическим металлом. При незначительных степенях фоторазложения TlN3(A) [10], когда перекрыванием частиц фотолитического таллия можно пренебречь, а концентрацию потенциальных центров роста (ТП+) считать постоянной, оценили удельную скорость формирования ядер (Муд = 5,210-11 моль-1 с-1 см-2) и концентрацию потенциальных центров образования частиц таллия (z0 = 1,3610 1 см-2) [24]. Видно, что концентрация потенциальных центров образования частиц таллия удовлетворительно совпадает с числом частиц, установленным по данным электронной микроскопии.
Полученные в настоящей работе и ранее [10, 15, 18, 23] данные свидетельствуют, прежде всего, о том, что основными продуктами фотолиза TlN3(A) в условиях высокого вакуума являются металлический таллий и газообразный азот. Причем, продукты фотолиза TlN3(A) образуются в стехиометриче-ском соотношении и, в основном, на поверхности образцов, а наблюдаемые в результате облучения изменения на кинетических кривых и кривых спектрального распределения Уф и /ф обусловлены образованием частиц таллия. Для выяснения механизма влияния таллия на фотолиз TlN3(A) были измерены вольтампер-ные характеристики (ВАХ), иф систем TlN3(A) - Tl (продукт фотолиза) и КРП.
Из анализа ВАХ и результатов измерений КРП (таблица) было установлено, что в области контакта TlN3(A) - Tl (из-за несоответствия между работами выхода из контактирующих партнеров) возникает запорный электрический слой, контакт TlN3(A) - Tl проявляет выпрямляющие свойства.
Полярность иф (рисунок 2), оставаясь неизменной по всему спектру, соответствует
положительному знаку со стороны азида таллия, а кривые спектрального распределения Щ, Vф, /ф коррелируют друг с другом. Генерация иф прямо свидетельствует о формировании в процессе фотолиза ™3(А) микрогетерогенных систем ™3(А) - Т1, темновые и фотопроцессы на границе раздела которых обеспечивают увеличение Уф и /ф в собственной области поглощения азида таллия (рисунок 1, 2), а также появление новой длинноволновой области фоточувствительности (рисунок 2). На рисунке 3 приведена диаграмма энергетических зон контакта ™3(А) -Т1, при построении которой использованы результаты измерений КРП, ВАХ, данные по спектральному распределению иф, Vф и /ф, а также результаты измерений внешнего фотоэффекта. При воздействии света из области собственного поглощения азида таллия имеет место интенсивная генерация электрон-дырочных пар в азиде таллия (рисунок 3, переход 1) N3" N3° + е.
Рисунок 3. Диаграмма энергетических зон гетеросистемы ™3(А) - Т1, EV - уровень потолка валентной зоны, Ес - уровень дна зоны проводимости, Ер - уровень Ферми, Е0 - уровень вакуума, Я - центр рекомбинации
Так как квантовый выход фотолиза, оцененный по начальному участку кинетической кривой Уф (при т = 60 с), составляет 2,710-3, часть генерированных носителей заряда ре-комбинирует (рисунок 3, переходы 3) + е К0 + р где - центр рекомбинации, а также перераспределяются в контактном поле, сформированном из-за несоответствия между термоэлектронными работами выхода азида таллия и фотолитического таллия и наличием собственных поверхностных электронных состояний (СПЭС) [19], с переходом
ЗАКОНОMЕРНОСТИ ФОРMИРОВАНИЯ НАНОРАЗMЕРНЫХ ЧАСТИЦ ТАЛЛИЯ ПРИ ФОТОЛИЗЕ
АЗИДА ТАЛЛИЯ
неравновесных электронов из зоны проводимости азида таллия на уровни СПЭС (Тп+) или непосредственно в металл (Tl+) (рисунок 3, переходы 4, 5) Тп+ + е ^ Тп , Tl+ + е ^ Tl0. Концентрация дырок в области пространственного заряда азида таллия по сравнению с концентрацией их в необлученном азиде будет возрастать. Возрастание концентрации дырок в области пространственного заряда азида таллия приводит к соответствующему увеличению /ф и Уф по принимаемым для фотолиза АТМ реакциям образования азота:
р + Ук- ^ Ук0 + р ^ Ук+ ^ 3N2 + 2 Уа+ + Ук-, где Уа+ и Ук- - анионная и катионная вакансии.
При фотолизе азида таллия одновременно с выделением азота образуется и фо-толитический таллий. Формирование частиц фотолитического таллия, по нашему мнению, происходит с участием СПЭС
Тп0 + Tl+ ^ (Тп Tl)+ + е ^ ... ^ (Тп Tlm)+.
Наблюдаемое уменьшение Уф на начальном участке (I) кинетических кривых в процессе и после экспонирования образцов подтверждает необратимый расход поверхностных центров. В процессе роста частиц фотолитического таллия формируются микрогетерогенные системы азид таллия - таллий (продукт фотолиза).
Генерированные в области пространственного заряда азида таллия пары носителей перераспределяются в контактном поле, сформированном из-за несоответствия между термоэлектронными работами выхода азида таллия и фотолитического таллия, с переходом неравновесных электронов из зоны проводимости ™3(А) в металл (рис. 3, переход 5)
(Тп Tlm)+ + е ^ (Тп Tlm)0.
Одновременно имеет место фотоэмиссия дырок из фотолитического таллия в валентную зону азида таллия (рисунок 3, переход 2). Эти процессы, во-первых, приводят к возрастанию концентрации дырок и, как следствие, к увеличению Уф (участок III); во-вторых, могут стимулировать диффузию ме-жузельных ионов таллия к растущим частицам
(Тп Tlm)° + Tl+ ^ (Тп TU0+.
При этом формируется иф положительного знака со стороны азида таллия, которая может способствовать дальнейшему увеличению размеров частиц. При воздействии на системы ™3(А) - Tl света из длинноволновой области спектра имеет место фотоэмиссия дырок из металла в валентную зону азида таллия (рисунок 3, переход 2), что приводит к появлению иф, Уф и /ф у предварительно
фоторазложенных препаратов в длинноволновой области спектра. Обнаруженные закономерности изменения фотолитическим таллием фоточувствительности азида таллия в длинноволновой области спектра согласуются с изложенным. Действительно, формируется иФ положительного знака со стороны азида таллия, энергетическое положение длинноволнового порога иФ, УФ и /ф для систем TlN3(A) - Tl удовлетворительно совпадает с величиной энергетического барьера для перехода дырок из таллия в валентную зону азида таллия (рисунок 3, переход 2).
Для определения лимитирующей стадии процесса роста частиц фотолитического таллия рассчитали время, в течение которого подвижный ион Tl+ диффундирует к нейтральному центру (Тп Tlm) . Среднее время релаксации при диффузионном протекании процесса может быть оценено [25]:
тп = е (сга кь-ту , где е - заряд электрона; а - постоянная решетки TlN3(A) (a(TlN3(A)) = 6,2310-8 см), 7= 293 К, kb - постоянная Больцмана.
Расчетное значение тп = 66 с, константа скорости фотолиза (к11) при этом составляет
II ? 1
к = 1/т„ » 1,51-10" с". Совпадение констант скорости фотолиза с /с" дает основание полагать, что лимитирующей стадией процесса фотолиза TlN3(A) является диффузия межу-зельных катионов таллия к нейтральному центру (ТпТ1т)0.
Работа поддержана грантом Президента РФ для поддержки ведущих научных школ НШ - 20.2003.3.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Янг Д. Кинетика разложения твердых веществ. - М.: Мир. 1969. - 263 с.
2. Савельев Г. Г., Гаврищенко Ю. В., Захаров Ю. А. // Изв. вузов. Физика. 1968. Т.
71. № 7. С. 2.
3. Deb S. K. // Trans. Farad. Soc. 1969. V. 65. P. 3187.
4. Evans B. L., Yoffe A. D. // Proc. Roy. Soc. 1959. V. 250. Р. 364.
5. Verneker V. R. P., Forsylg A. С. // J. Phys. Chem. 1967. V. 72. № 12. P. 3736.
6. Jaœbs R. W. M., Tompkings F. C., Verneker V. R. P. // J. Phys. Chem. 1962. V. 66. P. 1113.
7. Verneker V. R. P. // J. Phys. Chem. 1968. V.
72. № 5. P. 1733.
8. Суровой Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. // Химическая физика. 1999. Т. 18. № 2. С. 44.
9. Суровой Э. П., Захаров Ю. А., Бугерко и др. // Химия высоких энергий. 1999. Т. 33. № 5. С. 387.
10. Суровой Э. П., Шурыгина Л. И., Бугерко Л. Н. // Химическая физика. 2003. Т. 22. № 9. С. 24.
11. Суровой Э. П., Бугерко Л. Н., Расматова С. В. // Журн. физ. химии. 2004. Т. 78. № 4. С. 663.
12. Суровой Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. // Журн. физ. химии. 2008. Т. 82. № 2. С. 362.
13. Суровой Э. П., Бугерко Л. Н., Расматова С. В. // Журн. физ. химии. 2005. Т. 79. № 6. С. 1124.
14. Суровой Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. // Хим. физика. 2000. Т. 19. № 8. С. 20.
15. Власов А. П., Суровой Э. П. // Журн. физ. химии. 1991. Т. 65. № 6. С. 1465.
16. Суровой Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. // Журн. физ. химии. 2000. Т. 74. № 5. С. 927.
17. Суровой Э. П., Бугерко Л. Н., Расматова С. В. // Журн. физ. химии. 2006. Т. 80. № 7. С. 1308.
18. Суровой Э.П., Шурыгина Л.И., Бугерко Л.Н. // Хим. физика. 2001. Т. 20. № 12. С. 15.
19. Суровой Э. П., Бугерко Л. Н. // Хим. физи-
ка. 2002. Т. 21. № 7. С. 74.
20. Суровой Э. П., Бугерко Л. Н., Захаров Ю. А. и др. // Материаловедение. 2002. № 9. С. 27.
21. Турова А. И., Адушев Г. П., Суровой Э. П. и др. А.с. 1325332 СССР. // Б.И. 1987. № 27.
22. Суровой Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л.Н. // Материаловедение. 2006. № 3. С. 17.
23. Суровой Э. П., Титов И. В., Бугерко Л. Н. // Материаловедение. 2005. № 7. С. 15.
24. Розовский А.Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и механизм. - М.: Наука. 1980. - 264 с.
25. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. - М.: Наука. 1972. - 399 с.
26. Evans B.L., Joffe A.D., Grey P. // Chem. Rev. 1959. V. 59. № 4. P. 519.
27. Бродский А.М., Гуревич Ю.Я. Теория электронной эмиссии из металлов. - М.: Наука. 1973. - 256 с.
ПОЛУЧЕНИЕ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЧАСТИЦ Agi ИЗ
ВОДНЫХ РАСТВОРОВ
Б.А. Сечкарев, Ф.В. Титов, Д.В. Дягилев, У.В. Шараева, А.А. Владимиров
В работе исследовано влияния температуры кристаллизации и концентрации галоге-нид ионов на размер получаемых наночастиц Agi, образованных в вводно-желатиновом растворе, в процессе реакции растворов их солей. Изучено влияние положения экситонного пика оптического поглощения на размер образующихся частиц иодида серебра. Показано, что увеличение размера наночастиц приводит к постепенному сдвигу пика в длинноволновую область. Установлено, что для частиц с размером свыше 150 нм характерен экситонный пик объемных кристаллов.
ВВЕДЕНИЕ
Получение частиц в нанокристалличе-ском состоянии различных химических соединений и изучение физико-химических свойств, одна из основных задача современного материаловедения. Для этих целей в последние время применяют способы получения в коллоидных системах, например химическое осаждение из водных растворов, обратные микроэмульсионные системы [1, 2].
Настоящая работа посвящена изучению влияния основных параметров кристаллизации на размер и оптические свойства полу-
чаемых частиц Ад! из водных растворов. Среди галогенидов серебра AgI единственное полиморфное соединение. При осаждении из растворов в избытке ионов Ад+ получаются, преимущественно кристаллы, с гра-нецентрированной кубической решеткой, а в избытке ионов I-, преимущественно, с гексагональной решеткой. Кроме того, ряд экспериментальных данных свидетельствует, что существование той или иной решетки связанно с наличием структурных фазовых переходов для малых частиц [3]. Так, в зависимости от размера частицы AgI имеют разную (гексагональную при г<20 пт и кубическую при г>30 пт) структуру.
