CC BY
53
Управление. Моделирование. Информатика
Information about authors
Zolnikov Vladimir Konstantinovich - laureate of the State Prize of Russia, laureate of the Russian Government, Head of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», DSc in Engineering, Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Lavlinsky Valery Viktorovich - Associate Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», PhD in Engineering, Associate Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Chevychelov Yury Akimovich - Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», DSc in Engineering, Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Serbulov Yury Stefanovich - Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», DSc in Engineering, Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Antsiferova Valentina Ivanovna - Associate Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», PhD in Engineering, Associate Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Achkasov Vladimir Nikolaevich - Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», DSc in Engineering, Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Tabakov Yury Gennadyevich - post-graduate student, assistant of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
DOI: 10.12737/8494 УДК 621.38.049.77
РАСЧЕТ ПОКАЗАТЕЛЕЙ СТОЙКОСТИ РАБОТЫ ЦИФРОВЫХ МИКРОСХЕМ В САПР
доктор технических наук, профессор В. К. Зольников1 кандидат технических наук, доцент В. В. Лавлинский1 доктор технических наук, профессор Ю. А. Чевычелов1 доктор технических наук, профессор Ю. С. Сербулов1 кандидат технических наук, доцент В. И. Анциферова1 доктор технических наук, профессор В. Н. Ачкасов1 Ю. Г. Табаков1
1 - ФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», г. Воронеж, Российская Федерация
Представлена методика проектирования радиационно-стойких интегральных микросхем в системах автоматизированного проектирования и приведены сравнения с экспертными данными, на которые воздействуют такие виды радиаций как гамма-, рентгеновского и
Лесотехнический журнал 4/2014
291
Управление. Моделирование. Информатика
нейтронного излучения, а так же рассмотрено воздействие нейтронного импульса, которые влияют, в значительной степени, на коэффициенты усиления транзисторов. Представляются различные виды мощностных доз, которые воздействуют на кристаллы интегральных микросхем с учетом реальной формы импульса искусственного интеллекта. Рассмотрены численные расчеты величин ионизационного тока в база-коллекторном переходе, которые позволяют предварительно рассчитать мощность дозы гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения. Приведены расчеты значений ионизационного тока, массивов значений с установленным шагом квантования, а так же основные параметры макромоделирования. Определены всевозможные реакции интегральных микросхем на воздействие искусственного интеллекта, работающего в статическом режиме, а именно при напряжении на выходе «логического нуля» или «логической единицы», производящиеся при фиксированных значениях тока эмиттера и базы, которые должны соответствовать логическому состоянию интегральным микросхемам. При анализе переходного процесса для интегральных микросхем были определены показатели стойкости такие как: временная потеря работоспособности и уровень бессбойной работы, представлены их математические модели. Представлены таблицы настройки модели и основных этапов расчета показателей стойкости по ионизационным эффектам и эффектам смещения. Для использования метода итераций были определены интервалы значений мощности дозы, которые могут воздействовать на граничные значения, которые приводят к величине реакции соответственно больше и меньше нормы технических условий.
Ключевые слова: САПР, микросхемы, информационные технологии, математические модели, микросхемы, электронная компонентная база, радиационная стойкость, радиационно-стойкие микросхемы, радиационное воздействие, микроэлектроника, радиация.
CALCULATION OF INDICATORS OF RESISTANCE OF WORK OF DIGITAL CHIPS IN
CAD
DSc in Engineering, Professor V. K. Zolnikov1 PhD in Engineering, Associate Professor V. V. Lavlinsky1 DSc in Engineering, Professor Y. A. Chevychelov1 DSc in Engineering, Professor Y. S. Serbulov1 PhD in Engineering, Associate Professor V.I. Antsiferova1 DSc in Engineering, Professor V. N. Achkasov1 Y. G. Tabakov1
1 - FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», Voronezh, Russian Federation
The technique of radiation-resistant design of integrated circuits in computer-aided design is presented and comparisons with expert data are provided, which are affected by these types of radiations like gamma, x-ray and neutron radiation, as well as the impact of the neutron pulse, which affect largely, on the gain of the transistor are examined. Different types of cardinality doses are represented that affect the crystals of integrated circuits based on the real pulse shape of artificial intelligence. Numerical calculations
292
Лесотехнический журнал 4/2014
Управление. Моделирование. Информатика
of the ionization current in the base-collector junction are considered, which allow pre-calculate dose rate of gamma, x-ray and neutron radiation. The calculations of the values of the ionization current, array values with the quantization step, as well as the basic parameters of macromodelling are given. Possible reactions of integrated circuits on the impact of artificial intelligence, working in static mode, namely when the voltage at the output of the "logical zero" or "logical units" are defined, generated at fixed values of the emitter current and base current, which should correspond to the logical state of integrated circuits. In the analysis of the transition process for integrated circuits indicators of resistance such as temporary loss of working capacity and level of fault-tolerant work have been identified, their mathematical models have been presented. Tables of model setup and milestones setup of calculating resistance to ionization effects and the effects of displacement are provided. To use the iteration method intervals of the dose rate were defined, which may affect the boundary values that lead to the magnitude of the reaction which is greater and lesser than standards of technical specifications.
Keywords: CAD, chips, information technology, mathematical models, chips, electronic component base, radiation resistance, radiation-resistant circuits, radiation exposure, microelectronics, radiation.
Основой моделирования является система уравнений, связывающая токи и напряжения в эквивалентной схеме замещения, которая используется не только для расчета реакции ИМС, но и для определения параметров макромоделирования на первом этапе. Вид этих уравнений зависит от типа изоляции элементов, так как ионизационная реакция ИМС определяется ионизационными токами входящих в нее p-n-переходов [1]. Например, для ИМС с изоляцией p-n-переходом в уравнения входят ионизационные токи изолирующего перехода коллектор-подложка, а для ИМС с диэлектрической изоляцией эти токи отсутствуют, а сбои в работе ИМС определяются в основном коллекторными иони-
зационными токами. Система уравнений в пакете прикладных программ формируется автоматически [2]. Однако для пояснения работы программы целесообразно рассмотреть следующий простой пример.
Рассмотрим уравнения для ИМС с диэлектрической изоляцией элементов. Эквивалентная схема замещения транзистора для этой ИМС включает дополнительный генератор тока ионизации параллельно база-коллекторному переходу и дополнительный генератор тока z(P), который учитывает влияние предыдущих каскадов на выходной транзистор ИМС [3]. Уравнения для нее выглядят следующим образом (1):
IK -1рр +1 PPS - а, ■ If (U,) -I, (UK) + Ck ■ U • K(t)
\ h - a, • I (Uk ) -1 , (U3) + C
dUъ dUp
Э + Э
dt R-,,
1Э - 1К - Z (K1-,tзад ) + 1Б
(1)
Лесотехнический журнал 4/2014
293
Управление. Моделирование. Информатика
где IK - ток коллектора;
1Э - ток эммитера;
1Б - ток базы;
1РР - ток ионизации;
Ipps2 - вторичный ток ионизации, возникающий в результате генерации фототока верхним транзистором, в котором ток IPP соответствует база-коллекторному току верхнего транзистора;
Af,A - коэффициенты прямой и обратной передач тока транзистора в схеме с общей базой и определяемые выражениями (2):
а(
BKl
(1 + Bn ),
a
(2)
где BN - нормальный коэффициент усиления;
Bi - инверсный коэффициент усиления; K'(t) - массив корреляционных коэффициентов;
Ryr - сопротивление утечки между базой и общей шиной;
иЭ - напряжение на эмиттере относительно базы;
UK - напряжение на коллекторе относительно базы;
й(Ш), Ir(UK) - величины тока перехода из базы в эмиттер и из базы в коллектор и определяемые выражениями (3, 4):
If (Us ) = Iss •
exp( UЭ ) -1
Л
Ir (Uk )=I
KS
msf
U
eXP^^) -1
mKfT ,
(3)
(4)
где fr - тепловой потенциал f = .025В при
Т=+25'С;
тк,тэ - коэффициент нелинейности в коллекторе и эмиттере;
bs - ток насыщения эмиттера;
IKS - ток насыщения коллектора;
Сэ - емкость перехода эмиттер-база, определяемая выражением (5):
п СБКо ' МЭ ' fT
Сэ = ~Г^--— + tf • exP
f
z V/3
' U '
1 — ^ БЭ
V
U
U
Л
БЭ
V Мэ ' fT j
. (5)
zs j
где СК - емкость перехода коллектор-база, определяемая выражением (6):
а =
СБКо ' МЭ ' fT
Г/Г
(
(
Т — Ujzk U
+ tr ■ exp
U
Л
БК
Мэ • fT
(6)
Tj
ZK j
где tf - время жизни неосновных носителей заряда в базе в нормальном состоянии;
tk - время жизни неосновных носителей заряда в базе в инверсном состоянии;
СБКо, СБЭо - барьерные емкости при обратных напряжениях на переходах;
UZK,UZ;3 - контактные разности потенциалов эмиттерного и коллекторного переходов;
z(Kt ,t3aд) - функция добавочного тока, которая зависит от коэффициента КТ, времени задержки распространения сигнала от входа до выхода (Ьд).
Величина сопротивления Rc не содержится в уравнении, однако она учитывается при расчете величины тока ионизации. Так как это сопротивление ограничивает ионизационный ток 1РР до значения Ucc/Rc и значение ионизационного тока будет подчиняться закону, представленному на рис. 1, то величину ионизационного тока можно аппроксимировать следующей функцией (7) [4, 5, 6]:
I pp (t)
( \
U
R„
■ th
I pp (0
Ucc/
V /Rc j
(7)
294
Лесотехнический журнал 4/2014
Управление. Моделирование. Информатика
Рис. 1. Зависимость Ippmax от мощности дозы
где Y(t) - реальная величина ионизационного тока, возникающего в переходе база-коллектор;
Ipp - величина ионизационного тока, рассчитанная без учета ограничивающего сопротивления;
Ucc - напряжения питания ИМС;
Rc - ограничивающее сопротивление.
Учитывая то, что критериальный параметр связан с напряжением иКЭ, а также то, что коэффициенты корреляции связывают напряжение иКЭ с напряжением на выходе ИМС, целесообразно перейти к системе уравнений следующего вида (8):
C ' dUE3 = - '_ еХР(иБЭ) +
Э dt Э + ехР(иБэ) +
а г
ехР(икэ )
U
1НАС ' RyT
CK '-K (t) •dUK^ = и '_U'_
dt
1К хэ
eXP(UБэ) + (1 + ar ) • ехР(иБЭ )
ar • eXP(UКЭ )
(1 + af )
-Э _ -K = Z (K1, t3ad ) + -Б
(8)
где СЭ' - нормированная емкость перехода эмиттер-база, определяемая выражением
C ' = C /I
СК' - нормированная емкость перехода коллектор-база, определяемая выражением Ск' = Ск/1нас;
иБЭ - напряжение на база-эмиттерном переходе;
иКЭ - напряжение на переходе коллектор-эмиттер;
1К' - нормированный ток коллектора, определяемый выражением (9):
IK' = -^- +1 _ — + . (9)
1НАС ar -нас -нас
где 1э' - нормированный ток эмиттера, определяемый выражением (10):
1э '= +1 _ —. (10)
af
где 1нас - ток насыщения (11):
-нас = а r * 1Э = af • -К . (11)
Эта система уравнений содержит три неизвестные переменные:
•ток коллектора;
•напряжения переходов коллекторэмиттер UK=f(t);
•напряжения переходов база-эмиттер №=f(t).
Значения тока базы 1Б и эмиттера 1э являются начальными константами и связаны с начальными напряжениями через систему уравнений (8) при K(t)=1 и Ipp(t) 0 для всех значений t. Начальные напряжения UK и иэ задаются состоянием контролируемого выхода ИМС. Значение тока ионизации Ipp(t) определяется с использованием предложенного нами алгоритма: определяется мощность дозы, воздействующая на кристалл ИМС с учетом реальной формы импульса ИИ; результатом расчета является временная зависимость
Лесотехнический журнал 4/2014
295
Управление. Моделирование. Информатика
мощности дозы, которая представляется в виде массива квантованных значений; используя полученную зависимость мощности дозы, рассчитывается соответствующий ему ионизационный ток p-n-перехода.
Рассчитанные значения ионизационного тока также представляют собой массив значений с установленным шагом квантования. Параметры макромоделирования:
•корреляционные коэффициенты
К(Х);
•функция добавочного тока z(P); •вычисляются в соответствии с методом, изложенным выше.
Все остальные переменные, входящие в уравнения (8) являются либо функцией напряжений переходов, либо константами.
Определение реакции ИМС на воздействие ИИ, работающей в статическом режиме, т.е. при напряжении на выходе «логического нуля» или «логической единицы», производится при фиксированных значениях тока эмиттера и тока базы, соответствующих логическому состоянию ИМС (рис. 2).
При динамическом режиме работы ИМС значения токов коллектора и тока базы принимают попеременно значения, соответствующие состоянию логического «нуля» и логической «единицы» с заданной частотой [7]. При воздействии нейтронного и рентгеновского излучения необходимо учитывать изменение времени жизни неосновных носителей при повышении температуры (рентгеновского излучения) и эффектов «быстрого отжига» (нейтронного излучения). При расчетах для этого достаточно определить численные значения Ipp при изменении tp и tn.
Воздействие нейтронного излучения, помимо всего прочего, приводит к деградации коэффициентов усиления транзисторов и, следовательно, к уменьшению токов коллектора и эмиттера (рис. 3). С этой целью система уравнений решается таким образом, что для каждого момента времени определяются коэффициенты усиления (нормальный и инверсный) и токи коллектора и эмиттера по формулам (12, 13):
Ik = Вм Ie, (12)
Ь = Ik + Ie. (13)
Результатом решения является реакция на выходе ИМС на воздействие ИИ при соответствующем электрическом режиме работы микросхемы.
Из анализа переходного процесса для ИМС в целом определяются показатели стойкости: временная потеря работоспособности (ВПР) и уровень бессбойной работы (УБР).
Определение ВПР происходит из анализа зависимости ион=А(1).
ВПР численно равно разности между значениями времени, при которых происходит нарушение выходного параметра ИМС (первая точка пересечения ион^) с осью «норма ТУ») и значением времени, при котором происходит восстановление выходного параметра ИМС (последняя точка пересечения ион() с осью «норма ТУ») [8].
При определении УБР для ИМС накладывается следующее условие: полученная величина реакции (Цон=Д1;)) должна укладываться в норму ТУ с учетом заданной погрешности. Данное условие выполняется с использованием метода итераций. Для этого определяется интервал значений мощности дозы, воздействие граничных
296
Лесотехнический журнал 4/2014
Управление. Моделирование. Информатика
Рис. 2. Основные этапы настройки модели по ионизационным эффектам и эффектам смещения
Рис. 3. Основные этапы расчета показателей стойкости по ионизационным эффектам и
эффектам смещения
Лесотехнический журнал 4/2014
297
Управление. Моделирование. Информатика
значений, которой приводит к величине реакции соответственно больше и меньше нормы ТУ. Затем этот интервал делится пополам и выбирается та его половина, у которой выполняется вышеуказанное ус-
ловие на границах. Этот процесс продолжается до тех пор, пока не будет достигнута заданная точность. Поток излучения, соответствующий требуемой реакции, определяется как УБР.
Библиографический список
1. Зольников, В. К. Проектирование сбоеустойчивых микросхем [Текст] / В. К. Зольников, А. И. Яньков, В. А. Смерек, А. В. Ачкасов, Н. А. Орликовский, Д. М. Уткин // Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика. - 2013. - № 5 (5). - С. 217-222.
2. Анциферова, В. И. Стратегия образования в области радиоэлектроники в современных условиях [Текст] / В. И. Анциферова, О. В. Коровина, В. К. Зольников / Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика. - 2014. - № 4-2 (9-2). - С. 378-381.
3. Буров, Р. Б. Исследование подходов для создания информационной составляющей при проектировании интеллектуального тренажера на основе сигналов коры головного мозга [Текст] / Д. В. Бибиков, Р. Б. Буров, В. В. Лавлинский, Ю. Г. Табаков // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 4. - С. 52-56.
4. Зольников, В. К. Алгоритмическая основа моделирования и обеспечения защиты типовых кмоп элементов в процессе проектирования [Текст] / В. К. Зольников, В. А. Смерек, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 14-16.
5. Лавлинский, В. В. Методы проектирования информационных объектов автоматизации для систем технологической подготовки производства на основе синтеза виртуальной реальности в условиях нечеткого представления контролируемых параметров [Текст] / В. В. Лавлинский, Е. Е. Обручникова, Ю. С. Сербулов // Вестник Воронежского государственного технического университета. - 2011. - № 7. - С. 8-11.
6. Уткин, Д. М. Проблемно-ориентированное программное обеспечение для расчета показателей надежности сложных блоков программно-технических комплексов и его интеграция в сапр сквозного проектирования [Текст] / Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 48-51.
7. Лавлинский, В. В. Метод проектирования схем для считывания НЧ-сигналов с коры головного мозга [Текст] / Д. В. Бибиков, Р. Б. Буров, В. В. Лавлинский, Ю. Г. Табаков // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 11-14.
8. Зольников, В. К. Моделирование и оценка подложечных шумов, индуцируемых межсоединениями [Текст] / В. К. Зольников, В. А. Скляр, В. Н. Ачкасов // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 33-37.
298
Лесотехнический журнал 4/2014
Управление. Моделирование. Информатика
References
1. Zolnikov V.K., Yankov A.I., Smerek V.A., Achkasov A.V., Orlikovsky N.A., Utkin D.M. Proektirovanie sboeustojchivyh mikroshem [Design of fault-tolerant chips]. Aktual'nye napravlenija nauchnyh issledovanij XXI veka: teorija i praktika - Current research trends of the XXI century: Theory and Practice, 2013, no. 5 (5), pp. 217-222. (In Russian).
2. Antsiferova V.I., Korovin O.V., Zolnikov V.K. Strategija obrazovanija v oblasti radiojelek-troniki v sovremennyh uslovijah [Strategy of education in electronics in modern conditions]. Aktual'nye napravlenija nauchnyh issledovanij XXI veka: teorija i praktika - Current research trends of the XXI century: Theory and Practice, 2014, no. 4-2 (9-2), pp. 378-381. (In Russian).
3. Lavlinsky V.V., Bibikov D.V., Burov R.B., Tabakov Y.G. Issledovanie podhodov dlja soz-danija informacionnoj sostavljajushhej pri proektirovanii intellektual'nogo trenazhera na osnove signalov kory golovnogo mozga [Investigation of approaches to create the informational component in the design of intelligent simulator based on the signals of the cerebral cortex]. Modelirovanie sis-tem i processov - Simulation of systems and processes, 2012, no. 4, pp. 52-56. (In Russian).
4. Zolnikov V.K., Smerek V.A., Antsiferova V.I., Evdokimov S.A. Algoritmicheskaja osnova mod-elirovanija i obespechenija zashhity tipovyh kmop jelementov v processe proektirovanija [Algorithmic modeling framework and ensure the protection of standard CMOS elements in the design process]. Modelirovanie sistem iprocessov - Simulation of systems andprocesses, 2013, no. 3, pp. 14-16. (In Russian).
5. Lavlinsky V.V., Obruchnikova E.E., Serbulov Y.S. Metody proektirovanija informacion-nyh ob#ektov avtomatizacii dlja sistem tehnologicheskoj podgotovki proizvodstva na osnove sinte-za virtual'noj real'nosti v uslovijah nechetkogo predstavlenija kontroliruemyh parametrov [Methods of designing information objects of automation for systems of technological preparation of production based on the synthesis of virtual reality in the conditions of fuzzy representation of monitored parameters]. Vestnik Voronezhskogo gosudarstvennogo tehnicheskogo universiteta - Herald of Voronezh State Technical University, 2011, no. 7, pp. 8-11. (In Russian).
6. Utkin D.M., Zolnikov V.K. Problemno-orientirovannoe programmnoe obespechenie dlja rascheta pokazatelej nadezhnosti slozhnyh blokov programmno-tehnicheskih kompleksov i ego in-tegracija v sapr skvoznogo proektirovanija [Problem-oriented software for the calculation of indicators of reliability of complex blocks of software and hardware systems and its integration into CAD of through design]. Modelirovanie sistem i processov - Simulation of systems and processes, 2013, no. 3, pp. 48-51. (In Russian).
7. Bibikov D.V., Burov R.B., Lavlinsky V.V., Tabakov Y.G. Metod proektirovanija shem dlja schityvanija NCh-signalov s kory golovnogo mozga [The method of design circuits for reading LF signals from the cerebral cortex]. Modelirovanie sistem i processov - Simulation of systems and processes, 2013, no. 2, pp. 11-14. (In Russian).
8. Zolnikov V.K., Sklyar V.A., Achkasov V.N. Modelirovanie i ocenka podlozhechnyh shumov, induciruemyh mezhsoedinenijami [Modeling and assessing underlap noises induced by interconnections]. Modelirovanie sistem i processov - Simulation of systems and processes, 2013, no. 4, pp. 33-37. (In Russian).
Лесотехнический журнал 4/2014
299
Управление. Моделирование. Информатика
Сведения об авторах
Зольников Владимир Константинович - лауреат Государственной премии РФ, лауреат премии Правительства РФ, заведующий кафедрой вычислительной техники и информационных систем ФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», доктор технических наук, профессор, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: [email protected].
Лавлинский Валерий Викторович - доцент кафедры вычислительной техники и информационных систем ФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», кандидат технических наук, доцент, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: [email protected].
Чевычелов Юрий Акимович - профессор кафедры вычислительной техники и информационных систем ФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», доктор технических наук, профессор, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: [email protected].
Сербулов Юрий Стефанович - профессор кафедры вычислительной техники и информационных систем ФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», доктор технических наук, профессор, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: [email protected].
Анциферова Валентина Ивановна - доцент кафедры вычислительной техники и информационных систем ФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», кандидат технических наук, доцент, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: [email protected].
Ачкасов Владимир Николаевич - профессор кафедры вычислительной техники и информационных систем ФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», доктор технических наук, профессор, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: [email protected].
Табаков Юрий Геннадьевич - аспирант, ассистент кафедры вычислительной техники и информационных систем ФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия», Воронеж, Российская Федерация; e-mail: [email protected].
Information about authors
Zolnikov Vladimir Konstantinovich - laureate of the State Prize of Russia, laureate of the Russian Government, Head of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», DSc in Engineering, Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Lavlinsky Valery Viktorovich - Associate Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», PhD in Engineering, Associate Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Chevychelov Yury Akimovich - Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», DSc in Engineering, Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Serbulov Yury Stefanovich - Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», DSc in Engineering, Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Antsiferova Valentina Ivanovna - Associate Professor of Department of Computer Science
300
Лесотехнический журнал 4/2014
Управление. Моделирование. Информатика
and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», PhD in Engineering, Associate Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Achkasov Vladimir Nikolaevich - Professor of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», DSc in Engineering, Professor, Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
Tabakov Yury Gennadyevich - post-graduate student, assistant of Department of Computer Science and Information Systems of FSBEI HPE «Voronezh State Academy of Forestry and Technologies», Voronezh, Russian Federation; e-mail: [email protected].
DOI: 10.12737/8505 УДК 338.431.2
ФОРМИРОВАНИЕ ИНФРАСТРУКТУРНЫХ КЛАСТЕРОВ В МНОГОЛЕСНОЙ ЗОНЕ РФ В ИНТЕРЕСАХ ЭФФЕКТИВНОГО ОСВОЕНИЯ РЕГИОНАЛЬНОГО ЭКОНОМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
доктор экономических наук, профессор Н. И. Кожухов ФГБОУ ВПО «Московский государственный университет леса», г. Мытищи-5, Российская Федерация
Слабое обеспечение современными инфраструктурными сегментами отдалённых от центра РФ территорий сдерживает развитие таких регионов. Наиболее остро проблема инфраструктурного обустройства регионального экономического пространства ощущается в многолесной зоне Сибири и Дальнего Востока. Сбалансированность пространственного размещения и развития разноотраслевых производственных объектов можно обеспечить на базе межотраслевой инфрасистемы инновационного типа. Для многолесных территорий азиатской части России точками роста социально-экономического развития могут стать инфраструктурные кластеры агролесных отраслей. Функциональное назначение такого кластера в инфрасистеме регионального экономического пространства заключается в диверсификации объектов материального производства, увеличении занятости населения и повышении комфортности уровня жизни людей. Современный уровень развития производственно-общественных отношений свидетельствует о том, что только инновационный подход к формированию региональной инфрасистемы позволяет обеспечивать сбалансированность интересов проживающего на конкретной территории населения, бизнес-структур и органов власти всех уровней. Многопрофильные отрасли инфраструктуры становятся неотъемлемой частью воспроизводственного процесса, привлекают крупные инвестиционные средства, повышают уровень занятости населения. Формирование нового крупномасштабного пространства в рамках ЕврАзЭС, усиление интеграционных процессов в мировой экономике в ещё большей мере требует ускоренного развития всех элементов инфраструктуры. Агролесные ландшафты с размещёнными в этом пространстве поселениями, производственными объектами лесного и сельского хозяйства, лесопромышленными и агропромышленными бизнес-структурами, в процессе развития
Лесотехнический журнал 4/2014
301
