CC BY
57
23 февраля пожар произошел в Иркутском драматическом театре во время постановки. По данным МЧС, загорелись декорации на сцене. Площадь горения составила 15 квадратных метров. Из здания театра были эвакуированы 490 человек. Никто не пострадал.
2011
22 декабря пожар возник в здании Новосибирского театра музыкальной комедии. Пожар начался во время репетиции - загорелся занавес. Из здания были эвакуированы люди, никто не пострадал.
1. 20 марта небольшой пожар произошел в здании Большого театра в центре Москвы. Загорелся мусор на минус третьем этаже театра. Никто не пострадал. К повреждению имущества пожар также не привел.
2. 2010
3. 31 марта вспыхнул пожар в находившемся на реконструкции старинном здании Московского драматического театра имени К.С. Станиславского. Очаг располагался на четвертом этаже театра в подсобных помещениях. Площадь пожара составила 40 квадратных метров. После того как подсобные помещения были потушены, огонь продолжал гореть в скрытых перекрытиях между четвертым этажом и чердаком. Во время пожара пострадал один мужчина, который спасаясь от огня, прыгнул с крыши здания. Он получил черепно-мозговую травму и был доставлен в больницу.
Список использованной литературы
1 СП 4.13130.2009 Системы противопожарной защиты. Ограничение распространения пожара на объектах защиты. Требования к объемно-планировочным и конструктивным решениям. - Введ. 2009-03-25.-М: ФГУ ВНИИПО МЧС России, 2009
ПРИМЕНЕНИЕ ПОРИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В КАЧЕСТВЕ МАТЕРИАЛА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ
Я.А. Сычикова, к.ф.-м.н.
Бердянский государственный педагогический университет,
г. Бердянск
Угарный газ образуется при сжигании углеводородного топлива автомобильным транспортом и промышленными предприятиями, при сжигании газа на кухне бытовых помещений и т.п. Угарный газ вреден для здоровья человека, так как приводит к снижению содержания гемоглобина в крови человека и вследствие этого к снижению защитных функций организма человека, а при повышенных концентрациях к отравлению [1].
Угарный газ очень опасен, так как не имеет запаха и вызывает отравление и даже смерть. По классификации ООН оксид углерода(П) относится к классу опасности 2,3, вторичная опасность по классификации ООН: 2,1.
Сенсоры на основе диоксида олова имеют недостаточную разрешающую способность 4 - 10 ppm (против необходимого разрешения 1ppm). Сенсоры на основе растворов электролитов обладают достаточной разрешающей способностью, однако обладают низкой селективностью к водороду. К тому же они характеризуются большими габаритами и высокой стоимостью.
Таким образом, перед учеными стоит задача поиска новых материалов для изготовления на их основе сенсоров, чувствительных к монооксиду углерода. В последнее время интерес привлекают пористые полупроводники, полученные методом электрохимического травления. Преимуществами данного метода и предложенных материалов можно назвать: относительная невысокая стоимость материала, простота способа получения, возможность регулирования размерами пор. Кроме того, данные материалы нетоксичны, имеют хорошую прочность и большой срок службы. Пористые полупроводники химически инертны ко многим веществам.
Однако самым большим преимуществом пористых материалов можно назвать огромную удельную площадь поверхности.
Основным материалом для получения пористых полупроводников являются: Si, Ge, GaAs, !п?, GaP. Пристальное внимание исследователей и разработчиков в области сенсорики приковано к пористому кремнию (por-Si) поскольку он хорошо сочетается с современными технологиями микро- и наноэлектроники.
Пористый кремний получают методом электрохимического травления в водном растворе плавиковой кислоты. Перед экспериментом образцы очищают в ацетоне, изопропаноле и метаноле, после чего промывают в дистиллированной воде. Катодом служит платина. После очищения образцы помещаются в электролитическую ванну. В качестве электролита нами был выбран раствор плавиковой кислоты, воды и этанола в отношении 1:1:2. Этиловый спирт является органическим разбавителем раствора плавиковой кислоты, но вместе с этим улучшает проницаемость НР в поры Si. Плотность
л
тока 100 мА/см , время травления 5-15 минут. Эксперимент проводился при комнатной температуре в темноте. После травления поверхность образцов очищалась этиловым спиртом и дистиллированной водой. Морфология полученных пористых структур исследовалась с помощью растрового электронного микроскопа JSM-6490.
Как известно, рост пор происходит по льготным направлениям, которыми являются дефекты поверхности кристалла. Рис. 1. демонстрирует морфологию пористой поверхности пористого кремния.
10kV X30.000 0.5|jm 0384 10 41 SEI
Рис. 1. Пористый кремний, полученный методом электрохимического травления в
растворе плавиковой кислоты
Морфология полученной наноструктуры демонстрирует густую сетку пор. Размер пор составляет от 10 до 100 нм. Изменяя условия траления можно получать структуры с различным диаметром пор и степенью пористости [3].
Такие структуры могут служить материалом для изготовления различных газовых сенсоров и станут решением проблем техногенной безопасности, предупреждения и ликвидации чрезвычайных ситуаций.
Список использованной литературы
1. Вершинин Н.Н. Газовые сенсоры СО на основе наноматериалов и твердых электролитов / Н.Н. Вершинин, Н.Н. Алейников, О.Н. Ефимов, А.Л Гусев // Альтернативная энергетика и экология, 2007. - №8 - С. 10-16.
2. Вершинин Н.Н., Алейников Н.Н. Электродные потенциалы в системе твердый фторпроводящий электролит - оксифторид никеля - платина -монооксид углерода / Н.Н. Вершинин, Н.Н. Алейников // Электрохимия, 1995. - №6 - С. 621-627.
3. Сычикова Я.А. Влияние условий травления на формирование регулярной пористой структуры полупроводников А3В5 / Я.А. Сычикова,
B.В. Кидалов, Г.А. Сукач, А.И. Кирилаш, А.А. Коноваленко // Электроника и связь: тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». - 2011. -
C. 42-46.
