CC BY
63
УДК 539.21:537.86
Вестник СибГАУ Т. 16, № 2. С. 478-484
ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК В КАТИОН-ЗАМЕЩЕННЫХ СОЕДИНЕНИЯХ ReXMn1-XS (Re = Gd, Sm, Ho)
О. Б. Романова1'2*, А. М. Харьков1, М. Н. Ситников1, В. В. Кретинин1
1 Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева Российская Федерация, 660037, г. Красноярск, просп. им. газ. «Красноярский рабочий», 31 2Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50/38 E-mail: rob@iph.krasn.ru
Представлены результаты исследования транспортных свойств катион-замещенных сульфидов ReXMn1-XS (Re = Gd, Sm, Ho) с ГЦК-решеткой типа NaCl в области температур 77-1200 К. С увеличением степени ка-тионного замещения в этих соединениях ReXMn1-XS (Re = Gd, Sm, Ho) изменяется тип проводимости от полупроводникового до металлического при критической концентрации ХС. Концентрационный переход металл-диэлектрик в системе GdXMn1-XS сопровождается уменьшением величины удельного электросопротивления на 12 порядков и коэффициента термоЭДС (а) на два порядка. Катионное замещение в твердых растворах GdXMn1-XS приводит к смене дырочного типа проводимости (а > 0), свойственного моносульфиду марганца, на электронный (а < 0). Уменьшение величины а с увеличением содержания гадолиния в решетке MnS указывает на то, что Gd действует как донорная примесь. Для Smo:2Mn08S обнаружен резкий максимум сопротивления при Т = 100 К, который может быть вызван рассеянием электронов проводимости на спиновых флуктуациях локализованных электронов. Установлен металлический тип проводимости для Sm025Mnoi75S и механизм электрического сопротивления, который связан с рассеянием электронов на акустических фононах и с магнитным рассеянием на нескомпенсированных антиферромагнитных кластерах марганца при Т < 180 К. В результате замещения марганца самарием в твердом растворе SmXMn1-XS электронная структура перестраивается, и сопротивление невозможно объяснить на основе протекания ионов самария. Общей закономерностью температурных зависимостей коэффициента термоЭДС как для системы с гадолинием, так и для системы с самарием является проявление отрицательного значения термоЭДС во всем диапазоне температур с ростом Х. В системе HoXMn1XS переход металл-диэлектрик обнаружен для ХС = 0,3 с уменьшением величины удельного электросопротивления на десять порядков. Цель данной работы - установить условия реализации перехода металл-диэлектрик в катион-замещенных системах ReXMn1-XS (Re = Gd, Sm, Ho).
Ключевые слова: сульфиды редкоземельных элементов, проводимость, переход металл-диэлектрик, термоЭДС.
Vestnik SibGAU Vol. 16, No. 2, P. 478-484
METAL-INSULATOR TRANSITION IN THE CATION-SUBSTITUTED COMPOUNDS RexMn^xS (Re = Gd, Sm, Ho)
O. B. Romanova1,2*, A. M. Kharkov1, M. N. Sitnikov1, V. V. Kretinin1
1Reshetnev Siberian State Aerospace University 31, Krasnoyarsky Rabochy Av., Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation 2L. V. Kirensky Institute of Physics SB RAS 50/38, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation *E-mail: rob@iph.krasn.ru
This paper presents the results of a study of the transport properties of cation-substituted sulfides ReXMn1-XS (Re = = Gd, Sm, Ho) with FCC NaCl type in the temperature range 77-1200 K. With increasing degree of cation substitution in these compounds ReXMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) the conductivity type changes from the semiconductor to the «metal» at the critical concentration XC. The concentration of metal-insulator transition in the system GdXMn1-XS is accompanied by a decreasing in the electrical resistivity of value on 12 orders and Seebeck coefficient (а) is on two orders. The cation-substitution in the solid solutions GdXMn1-XS leads to p-type conductivity (а > 0), as comprising to electronic (а < 0) for manganese monosulfide. Decrease of а with increasing gadolinium concentration in the MnS lattice indicates that the Gd acts as a donor impurity. For Sm0 2Mn0:8S a maximum resistance at T = 100 K attributed to the scattering of conduction electrons by spin fluctuations of localized electrons. The metallic conductivity for Sm0.25Mno.7;S
and the mechanism of electrical resistance, which is related to the scattering of electrons by acoustic phonons and magnetic scattering by uncompensated antiferromagnetic manganese clusters at T < 180 K were revealed. As a result of the substitution of manganese to samarium in solid solution SmXMn1-XS the electron structure is reconstructed, and the resistance cannot be explained on the basis of the percolation of samarium ions. The temperature dependence of Seebeck coefficient for systems with gadolinium and with samarium reveals the negative values of thermoelectric power in the all range of temperatures with increasing concentration (X). The metal-insulator transition for system HoXMn1-XS at Xc = 0,3 is observed with decreasing resistivity on ten orders. The purpose of this work is to establish conditions for the realization of the metal-insulator transition in a cation-substituted systems ReXMn1-XS (Re = Gd, Sm, Ho).
Keywords: sulfides of rare-earth elements, conductivity, transition metal-insulator, thermoelectric power
Введение. В неупорядоченных системах при изменении состава, давления, температуры, магнитного поля возможна реализация перехода металл-диэлектрик (ПМД) типа Андерсона за счет изменения положения уровня Ферми EF и порога подвижности EC (EC -энергия, отделяющая локализованные состояния от нелокализованных) и последующего их пересечения [1]. Как показывают результаты, полученные ранее, перспективными материалами для исследования ПМД в магнитоупорядоченных средах являются моносульфиды 3^-металлов и их твердые растворы МехМп1-х8 (Ме = Сг, Бе, V, Со) [2-5]. Замещение катионов марганца редкоземельными элементами в сульфидах Мп8 может индуцировать ряд фазовых переходов - магнитных, электрических [6], а также переход металл-диэлектрик. С точки зрения фундаментальных исследований особого внимания заслуживают соединения, содержащие редкоземельные элементы ЯехМп1-х8 (Яе = Оё, 8ш, Но), обладающие фазовыми переходами ПМД, сопровождающимися сменой типа проводимости от p- к я-типу, магнитными фазовыми превращениями, включая изменения магнитных свойств при сохранении магнитной симметрии.
Замещение марганца редкоземельным элементом в соединениях ЯехМп1-х8 (Яе = Оё, 8ш, Но) приведет к сдвигу /-уровня. Здесь возможно несколько вариантов: /-уровень попадает в зону проводимости и электрон переходит с Яе иона не на ^-уровень редкоземельного иона, а в зону проводимости, оставаясь связанным с донором. Если концентрация подобных центров невелика, меньше критической концентрации для образования примесной зоны или порога протекания, то вещество останется полупроводником. В случае расположения /-уровня в запрещенной зоне вблизи химпотенциала, возможно появление экстремумов в температурной зависимости сопротивления при смещении химпотенциала в условиях повышения температуры. Близость /-уровня к химпотенциалу может привести к значительной величине термоЭДС.
Замещение марганца трехвалентным ионом вызовет электронное допирование и может индуцировать орбитальное упорядочение [7; 8], что приведет к расщеплению электронной плотности состояний. В зависимости от расположения уровня Ферми относительно расщепленной плотности состояний электросопротивление может меняться в несколько раз [9]. Величина орбитального момента зависит от кристаллического поля, создаваемого заряженными ионами. В результате изменения орбитального момента под действием внешнего магнитного или электрического поля деформируется кристаллическая решетка и меняется
спектр электронных возбуждений и, соответственно, транспортные характеристики [10]. Это приводит к взаимосвязи магнитных и электрических свойств.
Цель данной работы - определить условия реализации перехода металл-диэлектрик, а именно, критическую концентрацию, при которой происходит смена носителей заряда в результате электронного допирования при катионном замещении марганца гадолинием, самарием, гольмием ЯехМп1-х8 (Яе = Оё, 8ш, Но).
Изучение взаимосвязи электронной, магнитной и структурной подсистем кристалла в окрестности перехода металл-диэлектрик, исследование изменения этой взаимосвязи в зависимости от внешнего воздействия и состояния кристалла открывают широкие перспективы в решении фундаментальных проблем физики твердого тела, разработке методов прогнозирования и создания материалов с заведомо заданными управляемыми физико-техническими параметрами.
Экспериментальные результаты и их обсуждение. Твердые растворы сульфидов ЯехМпьх8 (Яе = Оё, 8ш, Но) выращены в кварцевом реакторе из расплава с использованием метода, описание которого приведено в работе [11]. Исследование температурных зависимостей намагниченности, электросопротивления и термоЭДС сульфидов твердых растворов с содержанием редкоземельных элементов 0 < Х < 0,3 проведено в интервале температур 80-1200 К в магнитных полях до 10 кЭ.
Согласно данным рентгеноструктурного анализа синтезированные образцы ЯехМп1-х8 (Яе = Оё, 8ш, Но) представляют собой твердые растворы с ГЦК-решеткой типа №С1 [11-13], типичной для моносульфида марганца а-Мп8 (а = 5,22 А) [14].
Рис. 1. Температурные зависимости удельного электросопротивления образцов ОёхМп1-х8 с Х = 0,01 (1); Х = 0,1 (2) и Х = 0,3 (3). На вставке: температурная зависимость удельного электросопротивления для Х = 0,1 в области 500-900 К
Образцы GdxMn1_xS (0,01 < Х < 0,3) являются антиферромагнитными полупроводниками [1]. В магни-тоупорядоченной области ниже Тк в образце с концентрацией замещения Х = 0,1 наблюдается необратимое поведение намагниченности при охлаждении образца в нулевом магнитном поле 2БС и магнитном поле Н = 0,5 кЭ БС, что может свидетельствовать об образовании спонтанного магнитного момента. Для состава Х = 0,01 в этом же магнитном поле в маг-нитоупорядоченной области кривые 2БС и БС совпадают. Для образца Х = 0,1 обнаружено небольшое отклонение от закона Кюри-Вейсса в области температур от Тм до 700 К. Такое поведение удельной намагниченности характерно для веществ, содержащих кластеры с ферромагнитным упорядочением. Исследование электрических свойств и термоЭДС показали, что изменение концентрации Gd в интервале Х = 0,01-0,3 существенным образом оказывает влияние на проводящие и термоэлектрические свойства в интервале температур 80 < Т < 1200 К [15; 16]. Установлено, что при замещении катионов Мп2+ ионами Gd2+ наблюдаются фазовые переходы типа металл-диэлектрик как по концентрации (ХС = 0,3), так и по температуре (ТС = 450 К). Концентрационный переход металл-диэлектрик сопровождается уменьшением величины удельного электросопротивления на 12 порядков (рис. 1) и коэффициента термоЭДС (а) на два порядка (рис. 2). При температуре 450 К на зависимостях ^ р(1/Т) для Х = 0,01; 0,1 наблюдаются максимумы, связанные с переходом от полуметаллической к полупроводниковой проводимости. В области температур ~ 670 К на зависимостях ^ р(1/Т) этих составов проявляются аномалии, характерные для переходов от примесной к собственной проводимости, аналогично а-Мп8. (рис. 1, вставка). Величина запрещенной зоны определенная из наклона прямолинейной части зависимости ^ р(1/Т), уменьшается от 2,46 эВ для а-Мп8 (Х = 0) до 0,64 эВ для GdxMnl-xS (Х = 0,1). Переход от примесной к собственной проводимости в образце Х = 0,01 сопровождается уменьшением коэффициента термоЭДС. Кривая зависимости а = /(Т) в интервале температур 670 < Т < 900 К находится в отрицательной области значений коэффициента термоЭДС (рис. 2).
Смена знака коэффициента термоЭДС на отрицательный свидетельствует о смене типа носителей заряда от р- к п-типу в указанной области температур. Таким образом, катионное замещение в твердых растворах GdXMnl-XS (0,01 < Х < 0,3) приводит к смене дырочного типа проводимости (а > 0), свойственного моносульфиду марганца, на электронный (а < 0).
Уменьшение величины а с увеличением содержания гадолиния в решетке Мп8 указывает на то, что Gd действует как донорная примесь. Увеличение количества электронов, связанное с ростом концентрации внедренных в решетку катионов гадолиния, приводит к состоянию сильнолегированного полупроводника, и проводимость в таких веществах полностью определяется электронами.
Концентрационный переход металл-диэлектрик наблюдается в антиферромагнитных катион-замещен-ных сульфидах, допированных редкоземельными
элементами с переменной валентностью 8шхМп1-х8 (0,01 < Х < 0,25) [17]. Энергия локализованного /-состояния по отношению к зонным состояниям определяет структуру щели в спектре электронных возбуждений и электрические свойства соединений 8шхМп1-х8. Рост концентрации самария вызывает сдвиг уровня Ферми и изменение в электронной плотности состояний вблизи нее. Температурная зависимость сопротивления в твердых растворах 8шхМп1-х8 качественно меняется с ростом концентрации. Анализируя данные рентгеноструктурного анализа, можно сказать, что катионы самария остаются близкими к трехвалентному состоянию. Температурная зависимость сопротивления в твердых растворах 8шхМп1-х8 качественно меняется с ростом концентрации (рис. 3, 4).
2
20
10
-10
>
Я -20 0,00
ь
-0,05
-0,10
а л ■ ■ ■ ■ ■
- 4 1 :
б ■ ■
200
400 600
Т(ю
800 1000
Рис. 2. Температурные зависимости коэффициента термоЭДС кристаллов GdXMn1_XS составов Х = 0,01 (а);
Х = 0,1 (б)
На рис. 3 и 4 представлены температурные зависимости сопротивления твердых растворов 8шхМп1-х8. Для состава с Х = 0,1 наблюдается небольшое изменение сопротивления в интервале 150 К < Т < 220 К с точкой перегиба при Т = 180 К. С ростом концентрации изменение сопротивления по температуре составляет 20 % для X = 0,15 с минимумом при Т = 220 К. Выше концентрации протекания в температурной зависимости сопротивления в 8шхМп1-х8 для концентрации замещения Х = 0,2 обнаружен резкий максимум сопротивления при Т = 100 К и металлический тип проводимости для состава с X = 0,25 [18]. Аномалии в электросопротивлении можно объяснить электронным перескоком между 8ш2+ и 8ш3+ от занятого к пустому 5^-уровню с энергией активации Еа. Основной вклад в энергию активации Еа дает разность в энергиях ^-/-взаимодействий и деформации упругой системы вблизи иона самария. Это приводит к флуктуации потенциала и диагональному беспорядку в модели Андерсона.
В собственном полупроводнике уровень Ферми находится в середине запрещенной зоны. Действительно, для переброса электрона с верхнего уровня валентной зоны на нижний уровень зоны проводимости затрачивается Еа, равная ширине запрещенной зоны ДЕ. При появлении электрона в зоне проводимости в валентной зоне обязательно возникает дырка.
Следовательно, энергия, затраченная на образование пары носителей тока, должна делиться на две равные части. Так как энергия, соответствующая половине ширины запрещенной зоны, идет на переброс электрона и такая же энергия затрачивается на образование дырки, то начало отсчета для каждого из этих процессов должно находиться в середине запрещенной зоны. Энергия Ферми в собственном полупроводнике представляет собой энергию, от которой происходит возбуждение электронов и дырок р = р0- ехр(Еа / квТ).
Минимум электрического сопротивления можно также объяснить, используя однопримесную модель Андерсона, в которой учитывается расщепление 4/-основного состояния мультиплета кристаллическим полем и предполагается сильное кулоновское отталкивание электронов на узле, которое ограничивает число /-электронов п << 1 в результате перераспределения одночастичного спектрального веса в окрестности уровня Ферми.
Максимум, наблюдаемый на температурной зависимости электрического сопротивления для состава
Х = 0,2 (рис. 3), может быть вызван рассеянием электронов проводимости на спиновых флуктуациях локализованных электронов. Так как магнитная структура неоднородна в твердых растворах 8шхМп1-х8, то на границе раздела Мп-8ш существует слабый ферромагнетизм, который исчезает при температурах ниже температуры Нееля. Пик сопротивления обусловлен движением границы подвижности в область локализованных состояний в результате флуктуации спиновой плотности магнитных ионов. При низких температурах химический потенциал находится в непосредственной близости от границы зоны. При этих температурах сопротивление определяется точным положением химического потенциала относительно границы зоны, при более высоких температурах, когда ЕС двигается вверх, зависимость р(Т) от Т определяется сдвигом ЕС.
Для 8ш0,25Мп0,758 (рис. 4) установлен металлический тип проводимости, и механизм электрического сопротивления связан с рассеянием электронов на акустических фононах и с магнитным рассеянием на нескомпенсированных антиферромагнитных кластерах марганца при Т < 180 К. В результате замещения марганца самарием в твердом растворе 8шхМп1-х8 электронная структура перестраивается, и сопротивление невозможно объяснить на основе протекания ионов самария, так как поведение проводимости 8ш8 качественно отличается по сравнению с X = 0,25.
1,4x10
7,0x10 -
а б
Рис. 3. Температурные зависимости удельного электросопротивления образцов системы 8шХМп1-Х8 с X = 0,15 (а); X = 0,2 (б)
Рис. 4. Температурная зависимость удельного электросопротивления образца 8ш025Мп0758 (1) и зависимость сопротивления от температуры р(Т) / р(0) = (Т/0) (2) с учетом электрон-фононного взаимодействия
Рис. 5. Температурная зависимость коэффициента термоЭДС для образца 8ш0,25Мп0,758
На рис. 5 представлены температурные зависимости коэффициента термоЭДС а(Т) для состава Х = 0,25 в области температур 77-1000 К. Общей закономерностью зависимостей а(Т) как для системы с гадолинием, так и для системы с самарием является появление перехода от электропроводности дырочного типа к электронному с увеличением концентрации ионов гадолиния и самария. Зависимость а(Т) образца 8ш025Мп0758 демонстрирует только электронный тип проводимости во всем температурном диапазоне измерения. Коэффициент термоЭДС во всей области температур имеет отрицательное значение (а < 0).
Относительное изменение удельного электросопротивления в зависимости от температуры наблюдается в антиферромагнитных сульфидных соединениях НоХМп1-Х8. На рис. 6 изображено р(Т) для трех концентраций X = 0,01; 0,2; 0,3. Температурные зависимости ^ р(103/Т) для твердых растворов с X < 0,1 указывают на полупроводниковый тип проводимости. Для малых концентраций замещения Но001Мп0998 по тангенсу угла наклона линейной части ^ р(1/Т) определена энергия активации, которая изменяется с ростом температуры ДЕ = 0,25 эВ до ДЕ = 1,4 эВ. Следует отметить, что в небольшом температурном диапазоне 300 К < Т < 600 К удельное электросопротивление не зависит от температуры. Такое поведение р(Т) типично для примесных полупроводников с истощением концентрации носителей тока на примесных уровнях. С увеличением концентрации замещения энергия активации увеличивается и составляет ДЕ = 0,3 эВ в интервале температур 150 К < Т < 300 К для Х = 0,1. Следующей особенностью является то, что при небольших концентрациях замещения ионов марганца ионами редкоземельных металлов наблюдается увеличение электросопротивления по сравнению с электросопротивлением исходного образца моносульфида марганца. При дальнейшем увеличении концентрации катионов замещения (Х) наблюдается резкое уменьшение электросопротивления. Подобное явление наблюдалось и при замещении марганца в Мп8 ионами кобальта [19]. Для составов с Х = 0,3 найдена метал-
лическая проводимость. С ростом концентрации ионов гольмия величина удельного электросопротивления уменьшается для состава с Х = 0,3 на десять порядков. При этом для этого состава резко уменьшается парамагнитная температура Кюри в результате конкуренции обменных взаимодействий в твердом растворе НоХМп1-Х8 (от -450 К для Х = 0 до -50 К для Х = 0,3). Эффективный магнитный момент уменьшается в интервале 0 < Х < 0,1. Выше концентрации Х = 0,1 наблюдается его заметный рост [13]. Микроскопический механизм уменьшения обмена и магнитного момента связан с изменением электронной структуры ионов марганца, взаимодействующих с ионами гольмия.
Рис. 6. Температурные зависимости удельного электросопротивления образцов системы нохмп1-х8 с X — 0,01 (1);
X = 0,2 (2); X = 0,3 (3)
Ферромагнитное обменное взаимодействие между ионами марганца и гольмия приводит к росту магнитной восприимчивости с понижением температуры [13]. Для больших концентраций гольмия с Х = 0,3 твердые растворы системы НоХМп1-Х8 уже можно отнести к вырожденным полупроводникам, у которых
удельное электросопротивление не зависит от температуры и величина сопротивления имеет промежуточное значение между полупроводником и металлом.
Заключение. Таким образом, представленные результаты доказывают, что катионное замещение в твердых растворах ReXMn1-XS редкоземельными элементами гадолиния, самария и гольмия приводит к реализации электронного перехода металл-диэлектрик как по концентрации, так и по температуре.
При этом в системе GdXMn1-XS (0,01 < Х < 0,3) происходит смена проводимости дырочного типа, где коэффициент Зеебека имеет положительные значения (а > 0), свойственного моносульфиду марганца, на электронный (а < 0). Уменьшение величины а с увеличением содержания гадолиния в решетке MnS указывает на то, что Gd действует как донорная примесь, а увеличение количества электронов, связанное с ростом концентрации внедренных в решетку катионов гадолиния, приводит к состоянию сильнолегированного полупроводника, и проводимость в таких веществах полностью определяется электронами.
Твердый раствор SmxMn1-xS, содержащий ионы самария с переменной валентностью, выше концентрации протекания в температурной зависимости сопротивления для Х = 0,2 обнаруживает резкий максимум сопротивления при Т = 100 К и металлический тип проводимости для состава с Xc = 0,25. Аномалии, наблюдаемые на температурной зависимости удельного электросопротивления, можно объяснить электронным перескоком между Sm2+ и Sm3+ от занятого к пустому 5^-уровню с энергией активации Еа. Основной вклад в энергию активации Еа дает разность в энергиях ^-/-взаимодействий и деформации упругой системы вблизи иона самария. Это приводит к флуктуации потенциала и диагональному беспорядку в модели Андерсона. Концентрационный переход металл-диэлектрик, наблюдающийся для Хс = 0,25, сопровождается изменением типа проводимости от дырочного типа проводимости (а > 0) на электронный (а < 0).
Для системы HoxMn1-xS критической концентрацией, при которой реализуется переход металл-диэлектрик, является Xc = 0,3. Твердые растворы Ho03Mn0,7S можно отнести к вырожденным полупроводникам. Наблюдается корреляция электрических и магнитных свойств.
Изучая такие соединения с сильной взаимосвязью между магнитными и электрическими свойствами при изменении состава и внешних воздействий (электрические и магнитные поля, температура и давление), можно проследить закономерность изменения типа проводимости и магнитного порядка, прогнозировать и создавать новые материалы с заданными физико-техническими параметрами для разработки полупроводниковых устройств спиновой электроники.
Благодарности. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ № 15-42-04099 р_сибирь_а и государственного задания № 114090470016.
Acknowledgements. This work was supported by RFBR № 15-42-04099 ^Ыг_а and State task № 114090470016.
Библиографические ссылки
1. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., 1982. Т. 1. 368 с.
2. The interrelation of magnetic and dielectric properties of CoxMn1-xS solid solutions / S. S. Aplesnin [et al.] // J. Phys.: Condens. Matt. 2010. Vol. 22. P. 226006-226015.
3. The magnetoelastic effect in CoxMnbxS solid solutions / S. S. Aplesnin [et al.] // Solid State Comm. 2010. Vol. 150. P. 564-567.
4. Рябинкина Л. И., Романова О. Б., Аплеснин С. С. Cульфидные соединения MeXMnbXS (Me = Cr, Fe, V, Co): технология, транспортные свойства и магнитное упорядочение // Известия РАН. Серия физическая. 2008. T. 72. C. 1115-1117.
5. Cпин-стекольные эффекты в твердых растворах CoXMn1-XS / С. С. Аплеснин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. 2009. T. 73. C. 1021-1023.
6. Исследование транспортных свойств катион-замещенных твердых растворов YbXMnbXS / С. С. Аплеснин [и др.] // ФТТ. 2015. Т. 57. С. 872-876.
7. Аплеснин С. С., Москвин А. И. Влияние сильных электронных корреляций и взаимодействия электронов с решеткой на орбитальное упорядочение электронов // ЖЭТФ. 2010. Т. 92, № 4. С. 254-259.
8. Аплеснин С. С., Пискунова Н. И. Спиновые и зарядовые корреляции электронов в димере с вырожденными орбиталями и заполнением электронов n = 1,5 // Вестник СибГАУ. 2012. № 2(42). C. 8-10.
9. Диэлектрические и электрические свойства полиморфного пиростаната висмута Bi2Sn2O7 / Л. В. Удод [и др.] // ФТТ. 2014. Т. 56. С. 1267-1271.
10. Взаимосвязь магнитных и электрических свойств халькогенидов MnSe1-XTeX / С. С. Аплеснин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. 2010. T. 74. C. 741-743.
11. Магнитные и электрические свойства катион-замещенных сульфидов MexMn^xS (Me = Co, Gd) / С. С. Аплеснин [и др.] // ФТТ. 2009. T. 51. C. 661-664.
12. Nonuniform Magnetic States and Electrical Properties of Solid Solutions / S. S. Aplesnin [et al.] // IEEE Transactions on magnetics. 2011. Vol. 47. P. 44134416.
13. Spin reduction in the HoXMn1-XS solid solution / S. S. Aplesnin [et al.] // JMMM. 2013. Vol. 347. P. 10-13.
14. Metal insulator transition and magnetic properties indisordered systems of solid solutions MeXMn1-XS / G. A. Petrakovskii [et al.] // JMMM. 1995. Т. 140. С. 147-148.
15. Magnetic properties and the metal-insulator transition in GdXMn1-XS solid solutions / O. B. Romanova [et al.] // Solid State Comm. 2010. Vol. 150. P. 602-604.
16. Аплеснин С. С., Ситников М. Н. Магни-тотранспортные эффекты в парамагнитном состоянии в GdXMn1-XS // ЖЭТФ. 2014. T. 100. C. 104-110.
17. Metal-semiconductor transition in SmXMnbXS solid solutions / S. S. Aplesnin [et al.] // Phys. Status Solidi B. 2012. Vol. 249. P. 812-817.
18. Electrical resistance of Sm0,25Mn0,75S spin glass / S. S. Aplesnin [et al.] // Solid State Phenomena, 2012. Vol. 190. P. 105-108.
19. Транспортные свойства и ферромагнетизм сульфидов CoXMn1.xS / С. С. Аплеснин [и др.] // ЖЭТФ. 2008. T. 133. C. 875-883.
References
1. Mott N., Devis E. Elektronnye protsessy v nek-ristallicheskikh veshchestvakh [Electronic processes in non-crystalline materials]. 1982, Vol. 1, 368 p.
2. Aplesnin S. S., Bandurina O. N., Romanova O. B., Ryabinkina L. I., Balaev A. D., Eremin E. V. The interrelation of magnetic and dielectric properties of CoxMni-xS solid solutions. J.Phys.: Condens. Matter, 2010, Vol. 22, P.226006-226015.
3. Aplesnin S. S., Ryabinkina L. I., Romanova O. B., Kharkov A. M., Gorev M. V., Balaev A. D., Eremin E. V., Bovina A. F. The magnetoelastic effect in CoxMn^xS solid solutions. Solid State Comm., 2010, Vol. 150, P. 564-567.
4. Ryabinkina L. I., Romanova O. B., Aplesnin S. S. [Sulfide compounds MeXMn1-XS (Me = Cr, Fe, V, Co): the technology, the transport properties and magnetic ordering]. Izvestiya RAN. Seriya fizicheskaya, 2008, Vol. 72, P. 1115-1117 (In Russ.).
5. Aplesnin S. S., Ryabinkina L. I., Romanova O. B., Bandurina O. N., Gorev M. V., Balaev A. D., Eremin E. V. [Spin-glass effects in solid solutions CoXMnbXS]. Izvestiya RAN. Seriya fizicheskaya., 2009, Vol. 73, P. 1021-1023 (In Russ.).
6. Aplesnin S. S., Romanova O. B., Kharkov A. M., Galyas A. I. [Study the transport properties of cation-substituted solid solutions YbXMn1_XS]. FTT, 2015, Vol. 57, P. 872-876 (In Russ.).
7. Aplesnin S. S., Moskvin A. I. [The influence of strong electron correlations and interactions of electrons with the lattice on the electron orbital ordering]. ZhETF, 2010, Vol. 92, No. 4, P. 254-259 (In Russ.).
8. Aplesnin S. S., Piskunova N. I. [Spin and charge of electron correlation in the dimer with degenerate orbitals and electrons filling n = 1,5]. Vestnik SibGAU, 2012, No. 2(42), P. 8-10 (In Russ.).
9. Udod L. V., Aplesnin S. S., Sitnikov M. N., Mo-lokeev M. S. [Dielectric and electrical properties of polymorphic pirostanata bismuth Bi2Sn2O7]. FTT, 2014, Vol. 56, P. 1267-1271 (In Russ.).
10. Aplesnin S. S., Bandurina O. N., Ryabinkina L. I., Romanova O. B., Eremin E. V., Gorev M. V., Voroty-nov A. M., Balaev D. A., Vasilev A. D., Galyas A. I., Demidenko O. F., Makovetskiy G. I. [The relationship of
the magnetic and electrical properties of chalcogenides MouSei_XTeX]. Izvestiya RAN. Seriya fizicheskaya., 2010, Vol. 74, P. 741-743 (In Russ.).
11. Aplesnin S. S., Ryabinkina L. I., Romanova O. B., Sokolov V. V., Pichugin A. Yu., Galyas A. I., Demidenko O. F., Makovetskiy G. I., Yanushkevich K.I. [Magnetic and electric properties of the cation-substituted sulfides MeXMn1-XS (Me = Co, Gd)]. FTT, 2009, Vol. 51, P. 661664 (In Russ.).
12. Aplesnin S. S., Kharkov A. M., Eremin E. V., Romanova O. B., Balaev D. A., Sokolov V. V., Pichugin A. Yu. Nonuniform Magnetic States and Electrical Properties of Solid Solutions. IEEE Transactions on magnetics, 2011, Vol. 47, P. 4413-4416.
13. Aplesnin S. S., Kharkov A. M., Sitnikov M. N., Sokolov V. V. Spin reduction in the HoXMn1-XS solid solution. JMMM, 2013, Vol. 347, P. 10-13.
14. Petrakovskii G. A., Loseva G. V., Ryabinkina L. I., Aplesnin S. S. Metal insulator transition and magnetic properties indisordered systems of solid solutions MeXMn1-XS. JMMM, 1995, Vol. 140, P. 147-148.
15. Romanova O. B., Ryabinkina L. I., Sokolov V. V., Pichugin A. Yu., Velikanov D. A., Balaev D. A., Galyas A. I., Demidenko O. F., Makovetskii G. I., Yanushkevich K. I. Magnetic properties and the metal-insulator transition in GdXMn1-XS solid solutions. Solid State Comm., 2010, Vol. 150, P. 602-604.
16. Aplesnin S. S., Sitnikov M. N. [Magnetotransport effects in the ferromagnetic state in GdXMn1-XS]. ZhETF, 2014, Vol. 100, P. 104-110 (In Russ).
17. Aplesnin S. S., Romanova O. B., Kharkov A. M., Balaev D. A., Gorsv M. V., Vorotinov A. M., Sokolov V. V., Pichugin A. Yu. Metal-semiconductor transition in SmXMn1-XS solid solutions. Phys. Status Solidi B., 2012, Vol. 249, P. 812-817.
18. Aplesnin S. S., Kharkov A. M., Eremin E. V., Sokolov V. V. Electrical resistance of Sm0,25Mn0,75S spin glass. Solid State Phenomena, 2012, Vol. 190, P. 105108.
19. Aplesnin S. S., Ryabinkina L. I., Romanova O. B., Velikanov D. A., Balaev A. D., Balaev D. A., Yanushkevich K. I., Galyas A. I., Demidenko O. F., Bandurina O. N. [Transport properties of ferromagnetism and sulfides CoXMn1-XS]. ZhETF, 2008, Vol. 133, P. 875-883 (In Russ.).
© Романова О. Б., Харьков А. М., Ситников М. Н., Кретинин В. В., 2015
