Параметры стабилизации частоты автогенератора СВЧ с дополнительным резонатором вблизи согласованной микрополосковой линии Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

УДК 621.373

АЛ. Дмитренко, В.А. Малышев ПАРАМЕТРЫ СТАБИЛИЗАЦИИ ЧАСТОТЫ АВТОГЕНЕРАТОРА СВЧ С ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМ РЕЗОНАТОРОМ ВБЛИЗИ СОГЛАСОВАННОЙ МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ

Автогенератор СВЧ с внешним дополнительным диэлектрическим резонатором, подключенным к выходной микрополосковой линии, аппроксимирован экви-, , проводимостью Уе, подключен основной параллельный контур Ь2С2в2. К схеме автогенератора с помощью трансформатора т2 подключена проводимость У0, численно равная волновой проводимости выходной линии передачи. Между транс-т2 У0 т1,

к противоположным зажимам которого подключен параллельный контур Ь1С1в1, аппроксимирующий дополнительный диэлектрический резонатор.

Указанная эквивалентная схема сведена к общеизвестной схеме [1] параллельного подключения дополнительного контура.

Определены эквивалентные значения параметров этой схемы.

На основе найденных выражений определен коэффициент стабилизации частоты автогенератора при подключении дополнительного резонатора, а также получены и проанализированы соотношения для изменения мощности, выделяемой в , .

Формально приводимые выражения и их поведение при изменении параметров схемы автогенератора совпадают с аналогичными, известными из [1,2].

ЛИТЕРАТУРА

1. Дмитренко А.И., Малышев В А. Параметры стабилизации изохронных автогенераторов СВЧ дополнительным параллельным контуром при дестабилизирующих флуктуациях типа белого шума //Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1989. №10. С.10-14.

2. Малышев В А. Бортовые активные устрой ства сверхвысоких частот Л.: Судостроение, 1990. 264с.

УДК 621.382.2029.64

В.А. Малышев, Е.Ф. Супрунова, Г.Г. Червяков АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ НЕЛИНЕЙНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ АМПЛИТУДНОЙ МОДУЛЯЦИИ СВЕТОВОГО ПОТОКА

Проводится анализ процессов нелинейного преобразования частоты амплитудной модуляции светового потока, поступающего в объем полупроводников с переменной эффективной массой носителей заряда (например, диод Ганна) при воздействии на этот объем также постоянного и переменного электрических полей с частотой, отличной (или равной) от частоты модуляции света. Нелинейность