CC BY
48
Игонина Т.И.
ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ОБРАБОТКИ ДЕТАЛЕЙ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Совершенствование интегральных микроприборов определяет устойчивые тенденции к ужесточению требований к качеству размерной обработки, обусловленные надежностью функционирования приборов, которая связана с дефектами, вносимыми при подготовке подложек.
Одним из основных элементов полупроводниковых датчиков является чувствительный элемент -полупроводниковый кристалл, основой которого служит монокристаллическая пластина кремния, прошедшая весь цикл механической и химической обработок. Получение геометрически, химически и кристаллографически совершенных кремниевых пластин является основным условием получения высококачественных кристаллов:
пластины должны быть монокристаллическими, без нарушенного поверхностного слоя.
шероховатость поверхности пластин должна быть не ниже И 0,05-0,025 мкм. Это обусловлено
необходимой точностью процесса фотолитографии.
неплоскостность пластин должна быть не более 3 мкм. Это требование должно обеспечить получение одинаковых по толщине профилированных мембран в кристалле;
отклонения по величине диаметра пластин должны быть не более ±0,5 мм. Это вызвано особенностями газотранспортных реакций, применяемых при диффузии, эпитаксии, окислении.
Наиболее экономичная схема обработки кремниевых пластин: калибровка слитка кремния, снятие
базового среза, ориентированная резка на пластины, химическая обработка, шлифовка, химикодинамическое полирование, двусторонняя алмазная полировка, химико-механическая полировка, очистка и контроль пластин.
