CC BY
5ОСОБЕННОСТИ ДЕТОНАЦИИ ГЕТЕРОГЕННЫХ СИСТЕМ ЛИТЬЕВОГО ТИПА
выравниваются вероятности возникновения детонации в наполнителе и связующем. И в этом случае величина D будет стремиться к значению скорости Чепмена-Жуге, расчет которой возможен по классическим методам.
В рамках такого объяснения увеличение размера частиц ВВ-наполнителя эквивалентно повышению содержания АПС.
Предложенная модель объясняет рассмотренные особенности детонации гетерогенных систем на основе взрывчатых полимерных связующих, и требует более полного экспериментального исследования.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Komarov V.F., Sakovich G.V., Kazutin M.V., Popok N.I., Zhenikhov A.B. Design of composite explosive (CEM) with borderline detonation rate // Energetic Materials. Performance and Safety. 36th Inter. Annual Conf. of ICT. -Karlsruche, 2005. P.59.
2. Komarov V.F., Sakovich G.V., Kazutin M.V., Popok N.I. Launching Ability of Octogen in Compositions. Energetic Materials. Insensitiv-ity, Ageing, Monitoring. 37th Intern. Annual
Conf. of ICT. June 27-June 30-2006-Karlsruhe. P. 101.
3. Дубнов Л.В., Бахаревич Н.С., Романов А.И. Промышленные взрывчатые вещества. -3-е изд., перераб. и доп. - М.: Недра, 1988.
- 358 с.
4. Митрофанов В.В. Детонация гомогенных и гетерогенных систем. Новосибирск. - Изд-во Ин-та гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН, 2003. - 200 с.
5. Котомин А.А.Эластичные взрывчатые материалы.// Российский химический журнал
- 1997 - т.61 - №4 - с.89-101.
6. Поздняков А.В. Неэмпирический способ вычисления скорости и давления детонации гетерогенных ВВ. в сб. «Взрывное дело. Выпуск 97/54. Совершенствование технологии взрывных работ на горных предприятиях.» Под. ред. Е.И. Шемякина. стр. 48 - 55, М., «Произв.-изд. комбинат ВИНИТИ», 2007 г. (полный текст на сайте: http://orel3. rls. ru/nettext/russian/gor_i_vzr/ content/Pozdniakov.pdf)
ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПРИСУТСТВИЕ КОМПЛЕКСНОГО СОЕДИНЕНИЯ Кз[КИ(8СМ)а] В КАЧЕСТВЕ ХИМИЧЕСКОГО
СЕНСИБИЛИЗАТОРА
Б.А. Сечкарев, Д.В. Дягилев, Ф.В. Титов, У.В. Шараева, А.А. Владимиров
Статья посвящена исследованию влияния ионов используемых в процессе сенсибилизации, на протекание фотопроцесса в кубических микрокристаллах АдВг. Показано, что введение примесных ионов приводит к изменению кинетики процессов взаимодействия фо-тоиндуцированных носителей зарядов. На основании экспериментальных результатов предложены возможные механизмы влияния ионов на фотопроцесс в микрокристаллах АдВг.
ВВЕДЕНИЕ
Введение примесных ионов переходных металлов в микрокристаллы (МК) AgBr имеет резко выраженный эффект при воздействии светом на них. Фотопроцесс в таких микрокристаллах имеет отличие от процесса в обычных МК [1]. Наличие ионов металлов является причиной возникновения в МК примесных центров, которые являются акцепторами электронов или дырок [2]. Это приводит к захвату носителей зарядов при экспонировании светом и исключение их из процесса
быстрой рекомбинации. Замедление процессов рекомбинации приводит к изменению кинетических параметров фотолиза AgBr.
Общепринято использовать ионы металлов в качестве подповерхностных допан-тов, поскольку считается, что на поверхности AgBr они создают более глубокие ловушки электронов, а также могут выступать центром рекомбинации.
В фототехнологии ионы Rh3+ обычно используется при допировании МК AgCl, чтобы увеличить контраст и уменьшить чувствительность фотографических эмульсий [3].
СЕЧКАРЕВ Б.А., ДЯГИЛЕВ Д.В., ТИТОВ Ф.В., ШАРАЕВА У.В., ВЛАДИМИРОВ А.А.
Десенсибилизирующее действие объясняется увеличением концентрации поверхностных ловушек на поверхности МК [4].
Представляет интерес изучить влияние ионов Rh3+, включенных в поверхностные центры, на протекание фотохимических реакций в AgBr.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Для исследования была синтезирована эмульсия, содержащая МК AgBr кубической огранки, со следующими дисперсионными характеристиками d=0,4 мкм ^=10%. Затем полученная эмульсия подвергалась сернито-золотой химической сенсибилизации (ХС), во время которой вводили водный раствор комплексного соединения K3[Rh(SCN)6], в концентрации от 10-6 до 10-9 моль/моль Ag. Полученные эмульсии поливали на триацетатную основу и подвергали сенситометрическим испытаниям.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
На рисунке 1 а, б представлены результаты в виде зависимостей светочувствительности и максимальной оптической плотности от количества вводимого при сенсибилизации соединения Rh(Ш).
Из рисунка 1 видно, что значения светочувствительности S, определенного по критерию оптической плотности 0,2 уменьшается при увеличении концентрации комплекса родия, вводимого в процессе сенсибилизации. Ионы родия, внедренные в решетку AgBr, как известно, создают глубокие ловушки электронов около 0,8 эВ [5], способные к длительному удержанию фотоэлектрона. В результате эффективность образования центров скрытого изображения (ЦСИ) в МК снижается, приводя к снижению светочувствительности при всех концентрациях ионов Rh3+. Второй возможный механизм влияния этих ионов в процессе сенсибилизации, заключается в образовании центров чувствительности на поверхности МК с участием ионов Rh3+, увеличивая, таким образом, общее число центров чувствительности. В результате чего дополнительные центры чувствительности на поверхности МК, формируют конкурентные центры захвата продуктов фотолиза, образуя большее количество центров и субцентров скрытого изображения. В процессе экспонирования требуется большее количество квантов света для образования ЦСИ, и как следствие уменьшается значение светочувствительности.
1,2 1,1 1
0,9
¡§ 0,8
0,7
0,6 0,5
0,4
10"6 10"' 10"° 10"а 0 С(К3[РИ(БСМ)6]), моль/мольАд
Рисунок 1. Зависимость относительной светочувствительности от концентрации ионов Rh+ , вводимых в процессе химической сенсибилизации
При большем количестве субцентров скрытого изображения в темновой стадии возможно наблюдать их перераспределение с образованием крупных ЦСИ, способных катализировать реакцию восстановления AgBr до металлического Ag (проявления). Подтверждением этого, может служить изменение значения светочувствительности при отсроченном проявлении (время между экспонированием и проявлением) от 15 минут до 24 часов.
1,2 т
1,1 -
(Л
55
1 -
0,9
10
100 1000 lg t, мин
10000
Рисунок 2. Зависимость относительной светочувствительности от времени отсроченного проявления для образцов содержащих ионы Rh+3 в количестве (моль/мольAg): 1 -10-6, 2 -10-7, 3 - 10-8, 4 - 10-9, 5 - 0 (ионы Rh+3 не вводились)
На рисунке 2 представлены зависимости изменений светочувствительности ^ - светочувствительность при времени ^ Sстанд -светочувствительность по критерию S0,85 , проявление через 15 мин после экспонирования) от времени отсроченного проявления
ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПРИСУТСТВИИ КОМПЛЕКСНОГО СОЕДИНЕНИЯ К3^11^С^6] В КАЧЕСТВЕ ХИМИЧЕСКОГО
СЕНСИБИЛИЗАТОРА
для эмульсий с различным содержанием ионов Rh .
Из рисунка 2 видно, что с увеличением количества ионов родия используемых в процессе сенсибилизации увеличивается и прирост светочувствительности в темновой стадии. Прирост наблюдается в течение 30 мин. после чего чувствительность остается примерно на одном уровне. Большее количество ионов родия увеличивает дисперсность центров и субцентров СИ, а значит и активнее протекает темновая стадия перераспределения и укрупнения ЦСИ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Проведенные исследования позволили установить, что ионы Rh3+ используемые в процессе сенсибилизации эмульсионных МК АдВг приводят к снижению значения светочувствительности в диапазоне концентраций от 10-6 до 10-9 мольRh/мольAg. Установлено, что в темновой стадии происходит интенсивное перераспределение продуктов фотохимической реакции в течение 30 мин., возрастающее с увеличением концентрации ионов Rh3+. Полученные результаты убедительно
подтверждают, что ионы родия способны образовывать центры на поверхности МК AgBr являющиеся центрами концентрирования продуктов химической сенсибилизации и фотохимического разложения AgBr.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. S. Gahler, G. Roewer, E. Berndt Metallionen in photographischem Silberhalogenids systemen. - Journal of Information on Recording Materials, 1986, p. 427-431.
2. М.А. Горяев Полупроводниковые свойства фотографических материалов Успехи научной фотографии Т.24. 1986. C. 109-119.
3. S. Takada J. Soc. Photogr. Sci. Tehnol. Jpn., 1979, v. 42, p. 112.
4. И.К. Азизов, Я.З. Зайденберг, А. Л. Карту-жанский, Л.П. Яхонтова ЖНиПФиК. 18. 203. 1973.
5. R.S. Eachus, R.E. Graves ESR Spectroscopic Investigation of Metal Halides Doped with Transition-Metal Ions. Rhodi-um(III)-Doped AgBr J. Chem. Phys. 61. 1974. P. 2860-2067
СИНТЕЗ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛИЯДЕРНЫХ КОМПЛЕКСОВ ЛАНТАНА (III) И САМАРИЯ (III) С
ДИМЕТИЛСУЛЬФОКСИДОМ
Д.В. Харитохин, Е.Г. Гумбрис
Изучены условия синтеза тетраизотиоцианатодиаминхроматов (III) комплексов лантана, самария и гекса(изотиоцианато)лантаната (III) комплексов висмута (III) с диметил-сульфоксидом. Проведены физико-химические исследования соединений.
ВВЕДЕНИЕ
В последнее время все большее значение в современной координационной химии уделяется полиядерным комплексам. Соединения такого типа находят широкое применение в аналитической практике и могут служить основой для создания полифункциональных материалов.
В Кембриджской базе структурных данных (КБСД) [1] отсутствуют сведения по изучаемым полиядерным комплексам. Соль Рейнеке содержит стабильный анион хрома -тетраизотиоцианатодиамминхромат (III) - ион ([Cr(NH3)2(NCS)4]"). Сведения о соединениях, содержащих данный анион, достаточно огра-
ничены, несмотря на то, что тетраизотиоциа-натодиамминхроматны (III) металлов обладают рядом специфических свойств.
Цель работы заключалась в получении тетраизотиоцианатодиаминхроматов (III) комплексов лантана, самария и гек-са(изотиоцианато)лантаната (III) комплекса висмута (III) с диметилсульфоксидом (ДМСО) и проведении физико-химических исследований полученных соединений.
Используемый в качестве органического лиганда, ДмСо содержит два донорных атома, что способствует образованию разнообразных, в том числе полимерных структур.
