CC BY
8
= игК0/(2п) | { [ ехр [— /а (со — а)«}2 + /ш (* — т0 — X) 4- /т0со„] с1ш х
—оо — оо
X ис (X) ехр (У (шс — (ог) X + /фс — А2/(4а)] ¿X.
Преобразуем внутренний интеграл подстановкой ш = + [2ашн + (/ — т0 — Я)1/(2а); с1ш = йх!\га, тогда
ОО оо
иВых (0 = игК0/(2л УН) { | { ехр (— /Л'2) йх | X
—оо —оо
X ис (К) ехр [/(Он (/ - X) + / (I — т0 - Ь?/{4а) +
+ /((0С — (0Г) X + /фс — Л2/(4а)1 ¿а.
Внутренний интеграл в квадратных скобках сводится к интегралу Френеля и равен [ л'2 -ехр(—/л/4) [2]. Тогда
иВых (0 = игКЛ2 К2ла~)-ехр [¡щ/ + ¡(1- т0)2/(4а) - /л/4] х
^ан
X | ис (Я) ехр [/ ((0С — (0Г) X + /фс — /Ш.) ¿Я,, о
где Й = й (0 = шн + (( — т0)/(2а).
Напряжение на выходе ДЛЗ— это колебание с огибающей, опревав
деляемой интегралом £ 1/с (А) ехр [/ (ш,.—(ог)Х + /фс—/ЙХ] ¿Х=$(й). о
Такой интеграл является преобразованием Фурье радиоимпульса с огибающей ¿/с (0 и заполнением по частоте (а>с — (ог), т. е. спектральной функцией в (О) исследуемого участка реализации — радиоимпульса е(1). Текущая частота £2 линейно связана со временем и изменение амплитуды напряжения на выходе ДЛЗ во времени характеризует спектральную функцию напряжения е(/).
1. Гоноровский И. С. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: Сов. радио, 1982. 568 с. 2. Двайт Г. Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы / Под ред. К. А. Семендяева. М.: Наука, 1973. 210 с. 3. Хорунжий В. А., Долбня Е. В. Богатое П. И. Акустоэлектроника. Киев: Техн1ка, 1984. 150 с.
Поступила в редколлегию 11.04.84
УДК 621.3.012.8
В. С. ВУНТЕСМЕРИ, канд. техн. наук МАТРИЦА РАССЕЯНИЯ ГЕЛИКОНОВОГО ВЕНТИЛЯ
Геликоновые вентили относятся к классу невзаимных пассивных устройств. Их невзаимные свойства проявляются в изменении передаточной функции при перемене местами подключенных генера-
тора и нагрузки. В работах [2, 3, 5] при определении коэффициента передачи использованы классически нормированные матрицы параметров \1\ и [К], найденные на основе метода контурных токов и узловых напряжений.
Анализ цепей методом полюсов основан на волновой матрице рассеяния [4], широко применяемой в теории цепей с распределенными параметрами. Использование волновых матриц при анализе цепей с сосредоточенными параметрами позволяет проводить анализ по единой методике как в области низких, так и в области высоких частот. Особенно наглядно преимущества матрицы рассеяния проявляются при анализе невзаимных устройств, поскольку сами элементы матрицы рассеяния представляют собой передаточные и входные функции исследуемого многополюсника.
Рассмотрим схему геликонового вентиля [3], состоящего из двух катушек индуктивности и намотанных перпендикулярно друг другу на полупроводниковую пластину из антимонида индия «-типа толщиной 2(1 и конденсатора С. Вентиль подключен к источнику и нагрузке с помощью кабеля с волновым сопротивлением Ъ. Обозначим через иТ, ¿/Г, и£, Щ нормированные волны напряжения падающих и отраженных волн на входах вентиля. Выберем значения индуктивностей = Ь2 = Ь0 и значения волновых сопротивлений линий передачи 1Х = = 20. Нормированные по отношению к величины реактивных проводимостей 1/соЬ0 и соС0 обозначим соответственно через = / и у с— 20соС. Тогда нормированная матрица [К] параметров вентиля может быть записана в виде
[VI =
М'Ц + Их
— + 1Ус
— у
VI
где
_ т \~тч~
г и Iх х
М
1Ус
^ ..2 О. ц2 И1 ц -г И х - 1Ус
Ц|| + 'Ус
^ + ^2х
1 ( Цк+Л \
— 2 \ к_й к+Л }
(О
1.2
/г± =
ш ± агс^-Ь- _
—--е ; и = и Р0; I = у—1, р — сопротивление полу-
Р у I + иа
проводника; — подвижность электронов; В0 — индукция внешнего постоянного магнитного поля.
Зная элементы матрицы [У], найдем волновую матрицу рассеяния [5] по формуле преобразования матриц
[5] = ([1]-[Г])-([1] + [Г])'1. (2)
Здесь [1] — единичная матрица;
+
+
Поскольку в матрице [5] S12 ф S2i> то рассматриваемый четырехполюсник является необратимым и может быть представлен в виде каскадного соединения обратимого четырехполюсника и идеального преобразователя мощности [1]. Условием согласования вентиля по входу и по выходу является равенство нулю и S¡¡2. Внедиа-гональные элементы матрицы рассеяния являются коэффициентами передачи вентиля в прямом (+) и обратном (—) направлениях
При оптимизации параметров вентиля добиваемся максимума К+ и минимума К~.
1. Зелях Э. В. Идеальный преобразователь мощности — новый элемент электронной цепи// Электросвязь. 1957. № 1. С. 35—47. 2. Красилич Г. П. Эквивалентная схема полупроводникового вентиля//Вестн. Киев, политехи, ин-та: Радиотехника. 1978. Вып. 15. С. 80—82. 3. Красилич Г. П. Полупроводниковый вентиль метрового диапазона волн//Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1976. 19, № 3. С. 122—123. 4. Ортюэи Ж ;ория электронных цепей. М.: Мир, 1976. 400 с. 5. Толутис Р. Б. О свойствах полупроводниковых ВЧ-вентилей на эффект размерного резонанса электромагнитных магнитоплазменных волн // Радиотехника и электроника. 1978. Т. 23, № 3. С. 608.
УДК 621.374
Г. А. ГАЛИНА, мл. науч. сотр.. Г. И. КАЛЬНАЯ.
С. В. ОГУРЦОВ, кандидаты фиэ.-мат. наук
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОСАЖДЕННЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ ПЛЕНОК2пО
Обработка технологии получения пленок 1пО для'1 -устройств функциональной электроники нами осуществлялась с привлечением рентгеновских и оптических исследований. Пленки окиси цинка толщиной до 6 мкм наносились на подножки из плавленного кварца маг-
К1
±2y¿H 1 +H-'i>
(4)
ц-ц + м-х - А Ц - |Л) +1 [2ши + 2ус о*и + ¡Ли
Поступила в редколлегию 17.09.84
