CC BY
53
Краткие сообщения
УДК 621.38-022.532
А.В. Рукомойкин, М.С. Солодовник
ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫХ
НАНОСТРУКТУР НА НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ КОМПЛЕКСЕ
НАНОФАБ НТК-9
Нитевидные нанокристалы, а также структуры из пористого наноструктуриро-ванного арсенида галлия были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии, реализованном в составе сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.Нитевидные нанокристаллы получены на подложках GaAs(100) без предварительного нанесения каталитических центров. Пористый арсенид галлия формировался непосредственно в процессе эпитаксиального роста, а не традиционными методами электро-. -дом растровой электронной микроскопии на электронном микроскопе NOVA NANOLAB.
Молекулярно-лучевая эпитаксия; GaAs; нитевидные нанокристаллы; пористый GaAs.
A.V. Rukomoykin, M.S. Solodovnik
FORMING AND INVESTIGATION OF ARSENIDE GALLIUM NANOSTRUCTURE AT NANOTECHNOLOGICAL SYSTEM NANOFAB NTF-9
Nanowhisker and structure from porous nanostructured GaAs was obtained by method mo-lecular-beam epitaxy, integrated in consist ultrahigh-vacuum nanotechnological system NANOFAB NTF-9. Nanowhiskers gallium arsenide was obtain on substrates GaAs(100) without preliminary infliction catalytic centre. Porous GaAs was formed directly in process at epitaxy-growth, rather than traditional methods electrochemical etching. Show result ofinvestigation obtain structure by method scanning electron microscopy on microscope NOVA NANOLAB.
Molecular-beam epitaxy; GaAs; nanowhisker; por-GaAs.
Структуры GaAs пониженной размерности - нитевидные нанокристаллы (ННК) и пористый арсенид галлия - привлекают к себе все более пристальный интерес и как объекты фундаментальных исследований, и как перспективные материалы для создания на их основе приборов с новыми эксплуатационными возможностями [1].
Для получения арсенид-гадлиевых наноструктур использовался модуль мо- 3 5, -
ционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9 [2]. Полученные структуры исследовались растровой электронной микроскопии (РЭМ) на электронном микроскопе NOVA NANOLAB 600.
В рамках работы были получены нитевидные нанокристаллы на основе арсе, .
ННК выращивались на подложках GaAs(001) без предварительного нанесения катализаторов путем нанесения арсенида галлия. Исследования методами РЭМ показали, что полученные ННК имели длину порядка 4 мкм и диаметр в поперечном сечении 80-87 нм (рис. 1,а). Структуры с пористым арсенидом галлия
GaAs(001)
.
(рис. 1,6) показывает формирование пористой структуры на участках с затравоч-. -сталлический эпитаксиальный слой.
Известия ЮФУ. Технические науки
Тематичекий выпуск
Рис. 1. РЭМ-изображение: а - нанокристаллов и б - пористого GaAs
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Дубровский ВТ., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применение // Физика и техника полупроводников. - 2009. -Т. 43, №12. - С. 1585-1628.
2. . ., . . - -стемной техники // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2008. - № 12 (89). - C. 165-175.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н. A.C. Кужаров.
Рукомойкин Андрей Васильевич
Технологический институт федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Южный федеральный университет» в г. Таганроге.
E-mail: [email protected].
347928, . , . , 2.
.: 88634371611.
Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры; аспирант.
Солодовник Максим Сергеевич E-mail: [email protected]
Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры; аспирант.
Rukomoykin Andrey Vasil’evich
Taganrog Institute of Technology - Federal State-Owned Autonomy Educational Establishment of Higher Vocational Education “Southern Federal University”.
E-mail: [email protected].
2, Shevchenko Street, Taganrog, 347928, Russia.
Phone: +78634371611.
The Department of Micro- and Nanoelectronics; Postgraduate Student.
Solodovnik Maxim Sergeevich
E-mail: [email protected].
The Department of Micro- and Nanoelectronics; Postgraduate Student.
