CC BY
22
22. Liu D.V., Tuan W.Y. Microstructure and thermal conduction properties of Al2O3-Ag composites, Acta Mater, 1996, Vol. 44, No. 2, pp. 813-818.
23. Liu D.-M., Tuan W.H., Chiu Ch.-Ch. Thermal diffusivity, heat capacity and thermal conductivity in Al2O3-Ni composite, Mater. Science andEnginreeringB, 1995, Vol. 31, pp. 287-291.
24. Berman R Teploprovodnost' tverdykh tel [The thermal conductivity of solids]. Moscow: Mir, 1979, 286 p.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н., профессор Б.Г. Коноплев.
Карбань Оксана Владиславовна - ФТИ УрО РАН; e-mail: [email protected]; 426069, г. Ижевск, ул. Студенческая, 11; тел.: +79225056346; кафедра физики; д.ф.-м.н.; профессор.
Саламатов Евгений Иванович - е-mail: [email protected]; 426000, г. Ижевск, ул. Кирова, 132; тел.: +73412216933; отдел теоретической физики; г.н.с.; д.ф.-м.н.
Karban Oxana Vladislavovna - Physico-technical Institute, Ural branch of the Russian Academy of Sciences; e-mail: [email protected]; 11, Studencheskaya street, Izhevsk, 426069, Russia; phone: +79225056346; the department of physics; dr.of phys.-math. sc.; professor. Salamatov Evgeniy Ivanovich - е-mail: [email protected]; phone: +73412216933; 132, Kirova street, Izhevsk, 426000, Russia; the department of theoretical physics chief researcher; dr.of phys.-math. sc.
УДК 621.38-022.532 DOI 10.23683/2311-3103-2017-4-201-211
М.С. Солодовник
ФАЗООБРАЗОВАНИЕ В СИСТЕМЕ Ga-As-O В УСЛОВИЯХ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
Представлены результаты теоретических исследований термодинамики процессов фазообразования в системе Ga-As-O с учетом специфики условий, наблюдаемых при моле-кулярно-лучевой эпитаксии арсенидов металлов III группы. Представлены результаты расчетов двойных и тройных фазовых диаграмм состояний, возможных в рассматриваемой системе в заданных диапазонах температур и давлений, характерных для экспериментально наблюдаемых в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии процессов. Проведен анализ всех возможных промежуточных и конечных продуктов реакций взаимодействия между компонентами и их формами в системе Ga-As-O. На основе анализа фазовых диаграмм и вероятных продуктов реакций определены и составлены уравнения основных и промежуточных химических реакций, протекающих в системе. Рассчитаны температурные зависимости изменений свободной энергии Гиббса AG(T) для всех основных и промежуточных реакций между основными компонентами рассматриваемой системы: кристаллическим GaAs (подложка), атомарным Ga и молекулярным As4 из парогазовой фазы (потоки ростовых компонент) и компонентами собственного окисла GaAs. На основе анализа изменений энергий Гиббса полученных уравнений показано, что компоненты собственного оксида GaAs вступают в химические реакции не только с кристаллическим GaAs и Ga из паровой фазы, но и с потоком молекулярного As, а также участвуют в твердофазных реакциях между собой. Установлено, что в процессах взаимодействия оксида GaAs с ростовыми компонентами и объемным материалом в качестве продуктов реакции образуются не только летучие монооксид Ga2O и молекулярный As2(As4), но и монооксид AsO, возникающий как в ходе прямого разложения As-содержащих компонент оксидной пленки, так и в процессах их взаимодействия с молекулярными потоками. Также установлено, что реакции с прямым образованием преимущественно летучими соединениями начинают доминировать при температурах подложки выше 550 °С. Это позволяет оптимизировать процесс термической десорбции окислов GaAs в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs за счет подавления реакций с образованием Ga2O3, негативным образом влияющих на морфологию подложки путем непосредственного взаимодействия с нею.
Молекулярно-лучевая эпитаксия; арсенид галлия; собственный оксид; фазообразова-ние; термодинамика; оксид галлия; оксид мышьяка.
M.S. Solodovnik
THE PHASE FORMATION IN THE Ga-As-O SYSTEM UNDER CONDITIONS OF MOLECULAR BEAM EPITAXY
The paper presents the results of theoretical studies of the thermodynamics of phase formation processes in the Ga-As-O system, taking into account the specific conditions observed in molecular beam epitaxy of group III arsenides. The results of calculations of the double and triple phase diagrams which are possible in the system under conditions at given temperature and pressure ranges characteristic for the observed experimentally processes in the molecular beam epitaxy technology are presented. The analysis of all possible intermediate and final reaction products of the interaction between the components and their forms in the Ga-As-O system is carried out. Based on the analysis of phase diagrams and probable reaction products, the equations of basic and intermediate chemical reactions occurring in the system are determined and compiled. The temperature dependences of the changes in the free Gibbs energy AG(T) for all the main and intermediate reactions between the main components of the system - crystal GaAs (substrate), atomic Ga and molecular As4 from the vapor phase (fluxes of growth components) and GaAs native oxide components - are calculated. Based on the analysis of Gibbs energy changes for the obtained equations, we showed that the components of GaAs native oxide enter into chemical reactions not only with crystalline GaAs and Ga from the vapor phase, but also with the molecular As flux, and also participate in solid-phase reactions between themselves. It is established that in the processes of interaction of GaAs native oxide with growth components and bulk material, not only volatile monoxide Ga2O and molecular As2 (As4) are formed as reaction products, but also monoxide AsO that occurs both during direct decomposition of As-containing oxide film components, and in the processes of their interaction with molecular fluxes. It has also been found that reactions with direct formation predominantly volatile compounds begin to dominate at substrate temperatures above 550°C. This makes it possible to optimize the process of thermal desorption of GaAs oxides in the technology of molecular beam epitaxy of GaAs by suppressing the reactions with the formation of Ga2O3, which negatively affects the morphology of the substrate by direct interaction with it.
Molecular-beam epitaxy; gallium arsenide; intrinsic oxide; phase formation; thermodynamics; gallium oxide; arsenic oxide.
Введение. Получение поверхностей GaAs с низкой шероховатостью и сохранение целенаправленно сформированного рельефа очень важно для синтеза упорядоченных массивов самоорганизующихся полупроводниковых наноструктур с высокой структурной однородностью и точным размещением отдельных его элементов [1-5]. Поверхность GaAs в обычных условиях покрыта пленкой собственного окисла, тонкие слои которого пассивируют поверхность подложки и препятствуют дальнейшему её окислению [6, 7]. Толщина оксида составляет 2-3 нм и практически не изменяется со временем [8, 9] в отличие от шероховатости, которая с течением времени возрастает с 4-5 до 15 нм [8]. Окисел имеет аморфную структуру и состоит из Ga2O3, As2O3, As2O5 и элементарного As, скапливающегося на границе с кристаллической подложкой и между зернами [10-13]. Элементарный As выделяется в результате как медленной реакции в катионной подрешетке, так и еще более медленной твердофазной реакции на границе окисел/подложка [12].
В процессе молекулярно-лучевой эпитаксии окисел, как правило, удаляется термически, в том числе, за счет взаимодействия с кристаллическим материалом подложки [14]. При этом существенно ухудшается морфология поверхности. Как было показано в [15], основной причиной этого является травление поверхности оксидами As. Исследование процессов взаимодействия собственного окисла GaAs с поверхностью подложки и ростовыми компонентами при молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет минимизировать их влияние на морфологию поверхности,
что особенно актуально для задач наноразмерного структурирования поверхности, а также синтеза эпитаксиальных наноструктур [16-20]. Целью данной работы является исследование процессов фазообразования в системе Ga-As-O в условиях, характерных для процесса молекулярно-лучевой эпитаксии.
Методика исследований. Исследование процессов фазообразования в системе Ga-As-O проводилось с использованием программного пакета для термодинамических расчетов FactSage 6.3. На первом этапе рассчитывались двойные и тройные фазовые диаграммы в системе Ga-As-O и анализировались вероятные продукты реакций. Затем определялись и сравнивались температурные зависимости изменений свободной энергии Гиббса AG(T), на основании чего устанавливались наиболее вероятные промежуточные и основные (суммарные) уравнения химических реакций. Применение подходов равновесной термодинамики является оправданным в приближении квазиравновесного характера процесса МЛЭ [11]. Анализ процессов проводился при значениях давления в ростовой камере 10-7-10-5 Па, характерных для молекулярно-лучевой эпитаксии арсенидов III группы, и температурах в диапазоне 100-1000 °С. Рассмотрение процессов взаимодействия кристаллического GaAs и ростовых компонент Ga и As4 из парогазовой фазы с его естественным окислом проводилось с учетом его многокомпонентного состава. Для упрощения восприятия результатов расчетов стехиометрические коэффициенты в уравнениях химических реакций опущены.
Результаты и обсуждение. Анализ фазовых диаграмм в системе Ga-As-O при различных температурах поверхности показал, что оксиды мышьяка As2O5 и As2O3 в процессе нагрева образца GaAs с пленкой собственного окисла могут разлагаться напрямую с образованием летучих AsO и O2:
As2Ü5 = Asüt + 02t (1)
As2Ü3 = Asüt + Ü2t. (2)
и участвовать в твердофазных реакциях с объемным GaAs:
As2O5 + GaAs = As2O3 + Ga2O3 + As2(As4)t. (3)
As2O3 + GaAs = Ga2O3 + As2(As4)t. (4)
Температурные зависимости изменения энергии Гиббса AG(T) для реакций (1)-(4) представлены на рис. 1. Анализ зависимостей AG(T) показывает, что реакции разложения оксидов мышьяка (1) и (2) начинают протекать в прямом направлении при 337 °С и 318 °С, соответственно. До температуры 545 °С преимущество имеют твердофазные реакции (3) и (4). При превышении температуры подложки 545 °С As2O5 с большей вероятностью будет участвовать в реакции (1), чем в (3). Для As2O3 преобладание реакции прямого разложения (2) над реакцией с материалом подложки (4) наступает при 565 °С.
Оксид галлия Ga2O3 термически более стабильный, чем оксиды мышьяка, и может взаимодействовать с поверхностью GaAs по двум реакциям:
GaAs + Ga2O3 = Ga2Ot + AsOt. (5)
GaAs + Ga2O3 = Ga2Ot + As2(As4)t. (6)
Как видно из зависимостей изменения энергии Гиббса AG(T) для (5), (6), изображенных на рис. 2, реакция Ga2O3 с объемным GaAs с выделением молекулярного As в виде димеров и/или тетрамеров (6) начинается при 430 °С, в то время как реакция (5) - только при 554 °С. Во всем диапазоне рассматриваемых температур вероятность протекания реакции (5) в прямом направлении ниже, чем (6).
Рис. 1. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса AG(T) для реакций разложения и взаимодействия оксидов мышьяка с GaAs
Рис. 2. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса AG(T) для реакций взаимодействия GaAs с компонентами собственного окисла
Реакции взаимодействия компонент окисла GaAs с атомарным Ga и молекулярным As4 из парогазовой смеси в процессе МЛЭ GaAs определялись на основе анализа тройных фазовых диаграмм в системе Ga-As-O, рассчитанных в диапазоне температур 25-600 °С с учетом результатов, полученных выше. На рис. 3 приведена диаграмма состояний Ga-As-O, полученная при температуре 600 °С.
Рис. 3. Диаграмма состояний в системе Ga-As-O при температуре 600 °С
и давлении 10~5 Па
Взаимодействие А8205 с атомарным галлием из паровой фазы может протекать по реакциям вида:
А8205 + ва = 0а203 + Аз0|. (7)
А8205 + ва = 0а20| + Аз0|. (8)
А8205 + ва = А8203 + 0а203 + А32(А84)|. (9)
Анализ зависимостей №3(1) для реакций (7)-(9), представленных на рис. 4, показывает, что в области низких температур (до 300 °С) преимущественно протекает реакция (9), приводящая к одновременному образованию А8203 и 0а203 и выделению мышьяка в молекулярной форме. Начиная с 337 °С вероятность прямой реакции (8) становится выше: в продуктах реакции исчезает промежуточный А8203, а мышьяк начинает выделяться в форме Аз0. Это обусловлено тем, что, как было показано выше, при данной температуре начинается реакция (2) с прямым термическим разложением А8203.
Л -1750 -СЭ
1 - А8205+6а=6а203+Аз0 2 - Аз205+6а=Са20+Аз0 3 - А8205+0а=А8203+0а203+А82(А84) /
у'
\ 2
3
Рис. 4. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса АО(Г) для реакций взаимодействия Лз^05 с потоком атомарного Оа
Уравнения реакций взаимодействия между А8203 и ва из атомарного потока к поверхности имеют вид:
А820з + ва = ва20з + Аз0|. (10)
А820з + ва = 0а20| + Аз0|. (11)
А820з + ва = ва20з + Аз2(А84)|. (12)
Зависимости АО(Г) для реакций (10)—(12) представлены на рис. 5.
Рис. 5. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса АО(Г) для реакций взаимодействия Лз^03 и 0а^03 с потоком атомарного Оа
Видно, что до 520 °С с наибольшей вероятностью будет протекать реакция (12), а после - реакция (10), что обусловлено, видимо, возрастанием химической активности мышьяка при повышении температуры.
Оксид галлия реагирует с Ga из паровой фазы во всем рассматриваемом температурном диапазоне (рис. 5) с образованием летучего оксида одновалентного галлия:
Ga2O3 + Ga = Ga2OT. (13)
Взаимодействие компонент окисла GaAs с молекулярным мышьяком из парогазовой фазы протекает с образованием летучих AsO и Ga2O по реакциям вида:
As2O5 + As4 = AsOT. (14)
As2O3 + As4 = AsOT. (15)
Ga2O3 + As4 = Ga2OT + AsOT. (16)
На рис. 6 представлены зависимости АО(Т) для рассматриваемых реакций. Как видно из рисунка, взаимодействие потока As4 с оксидами мышьяка идет с большей вероятностью, чем с Ga2O3, а вероятность протекания реакции в прямом направлении возрастает с увеличением валентности мышьяка в составе оксида. Реакция (16) начинается при 560 °С и протекает с образованием сразу двух летучих соединений - моноокисей мышьяка и галлия.
Рис. 6. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса ЛО(Т) для реакций взаимодействия компонент оксида GaЛs с потоком молекулярного
Характер взаимодействия компонент окисла при одновременной подаче Ga и As4 будет обуславливаться особенностями реакций с ростовыми компонентами в отдельности.
Реакции As2O5 с потоками Ga и As4 имеют вид:
As2O5 + Ga + As4 = Ga2O + AsOT + As2(As4)T. (17)
As2O5 + Ga + As4 = Ga2O3 + AsOT + As2(As4)T. (18)
As2O5 + Ga + As4 = As2Oз+ Ga2Oз + As2(As4)T. (19)
Температурные зависимости изменения энергии Гиббса AG(T) для реакций
(17)-(19) представлены на рис. 7.
Анализ полученных зависимостей показывает, что протекание реакции (17) наименее вероятно во всем температурном диапазоне. До 555 °С будет преимущественно идти реакция (19), а при дальнейшем повышении температуры - реакция
(18), что, видимо, обусловлено интенсификацией реакции (10) при данных температурах.
As2Oз + Ga + As4 = Ga2O + AsOT + As2(As4)T. (21)
As2Oз + Ga + As4 = Ga2Oз + As2(As4)T. (22)
1 - Аз205+Са+А5а=Саг0+Аз0+А5г(А5д)
2 - А5г05+Са+А5<=0аг03+АБ0+А52{А54)
3 - Аз305+Са+А54=Аз20э+6аг03+А5г(А5ч)
-1000-
<
-1750-
-2250-
Рис. 7. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса ЛО(Г) для реакций взаимодействия Л&'205 с ростовыми компонентами
Взаимодействие между аб20з и потоками ростовых компонент представлено реакциями:
А820з + Оа + Аб4 = ва20з + АбСТ + Аб2(Аб4)Т. (20)
Зависимости АО(Г) для данных реакций на рис. 8, показывают, что, несмотря на возможность протекания в прямом направлении всех реакций во всем температурном диапазоне, в области ростовых температур будет преобладать реакция (21), все продукты которой находятся в газообразном состоянии.
Рис. 8. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса ЛО(Г) для реакций взаимодействия Л&'203 с ростовыми компонентами
Среди возможных реакций между ва20з и ва и аб4:
Са20з + ва + Аб4 = ва20| + А82(Аб4)Т. (2з)
ва20з + ва + АБ4 = ва20 + АБСТ + А82(АБ4)|. (24)
Как видно из рис. 9, в области ростовых температур преобладает реакция (2з). Отметим, что реакция (24), включающая в себя реакцию (16), начинается при существенно более низких температурах процесса - 460 °С для (24) против 560 °С для (16), что может быть обусловлено выделением атомарного аб с процессе реакции (16) и его последующим взаимодействием с ва20з.
При этом необходимо учитывать, что одновременно с реакциями взаимодействия между компонентами окисла и объемным ваАБ и его составляющими из паровой фазы могут протекать реакции образования ваАБ из молекулярных потоков и его термической диссоциации:
ва + АБ4 = ваАБ. (25)
ваАБ = ва| + АБ2(АБ4) |. (26)
Рис. 9. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса АО(Г) для реакций взаимодействия Оа2Оз с ростовыми компонентами
На рис. 10 представлены полученные зависимости АО(Т) для реакций (25), (26). Анализ зависимостей показывает, что реакция разложения ваАБ на элементарные составляющие (26) начинается при температуре 520 °С. Учитывая, что реакция (13) протекает при данной температуре с большей вероятностью, чем (6), можно предположить, что наблюдаемое на практике начало процесса удаления окисла при 530 °С обусловлено не только возрастанием скорости реакции (6) с увеличением температуры поверхности, но и началом более предпочтительной реакции (13) вследствие активации реакции (26).
г
3
О"
0 200 400 600 800 1000
Т,°С
Рис. 10. Температурные зависимости изменения энергии Гиббса АО(Т) для реакций образования и термической диссоциации GaAs
Заключение. Таким образом, проведенный анализ термодинамических закономерностей процессов фазообразования в системе ва-АБ-О при МЛЭ ваАБ показал, что компоненты оксида вступают в химические реакции не только с объемным ваАБ и ва из паровой фазы, но и с потоком молекулярного лб. Показано, что в процессах взаимодействия оксида ваАБ с ростовыми компонентами и объемным материалом в качестве продуктов реакции образуются не только летучие ва2О и аб2(лб4), но и або, возникающий как в ходе прямого разложения содержащих мышьяк компонент оксидной пленки, так и в процессах их взаимодействия с молекулярными потоками. Кроме того, было показано, что при температурах выше 550 °С доминируют реакции с образованием летучих соединений.
Исследование выполнено за счет гранта Президента РФ (проект № МК-2629.2017.8). Результаты получены с использованием оборудования Центра коллективного пользования и Научно-образовательного центра «Нанотехно-логии» Южного федерального университета.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Ageev O.A., Balakirev S. V., Bykov Al.V. et al. Development of new meta-materials for advanced ele-ment base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices // In: Advanced Materials - Manufacturing, Physics, Mechanics and Applica-tions. Parinov, Chang, Topolov (Eds.). - Springer International Publishing Switzerland, 2016. - P. 563-580.
2. Агеев О.А., Коноплев Б.Г. и др. Исследование влияния геометрических параметров на модуль Юнга ориентированных нитевидных нанокристаллов GaAs методом атомно-силовой микроскопии // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - C. 20-25.
3. Рукомойкин А.В., Солодовник М.С. Формирование и исследование арсенид-галлиевых наноструктур на нанотехнологическом комплексе НАНОФАБ НТК-9 // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2011. - № 4 (117). - C. 237-238.
4. Агеев О.А, Алексеев А.Н., Соколов И.А., Коноплёв Б.Г. Комплексный подход к технологическому оснащению центра прикладных разработок. Опыт реализации в НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2011. - № 4 (117). - C. 207-210.
5. Алексеев А.Н., Агеев О.А и др. Тандем ЗАО «НТО» и НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ -пример успешного взаимодействия производства и науки // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2016. - № 7 (157). - С. 78-83.
6. Агеев О.А., Варзарев Ю.Н., Солодовник М.С., Рукомойкин А.В. Получение и исследование HEMT-структур на основе GaAs для СВЧ-полевых транзисторов на нанотехнологическом комплексе НАНОФАБ НТК-9 // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2011.
- № 4 (117). - С. 13-21.
7. Агеев О.А., Балакирев С.В., СолодовникМ.С., Еременко М.М. Влияние взаимодействия в системе Ga-As-O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитак-сии // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, № 5. - С. 1011-1018.
8. Allwood D.A., et al. Characterization of oxide layers on GaAs substrates // Thin Solid Films.
- 2000. - Vol. 364. - P. 333-39.
9. Tanner B.K., et al. Kinetics of native oxide film growth on epiready GaAs // Materials Science and Engineering B. - 2001. - Vol. 80. - P. 99-103.
10. Vilar M.R., et al. Characterization of wet-etched GaAs (100) surfaces // Surface and Interface Analysis. - 2005. - Vol. 37. - P. 673-682.
11. Безрядин Н.Н., и др. Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100) // ФТП. - 2012. - № 6. - C. 756-760.
12. Валюхов Д.П., и др. Исследование взаимодействия кислорода с поверхностью (110) A3B5 // Вестник СКГТУ. - 2010. - № 2. - C. 1-6.
13. Bauters J.F., et al. Oxygen-enhanced wet thermal oxidation of GaAs // Applied Physics Letters. - 2011. - Vol. 99. - P. 142111.
14. Isomura N., et al. Investigation on GaAs(001) surface treated by As-free high temperature surface cleaning method // Journal of Crystal Growth. - 2007. - Vol. 301-302. - P. 26-29.
15. Guillen-Cervantes A., et al. GaAs surface oxide desorption by annealing in ultra-high vacuum // Thin Solid Films. - 2000. - Vol. 373. - P. 159-163.
16. Агеев О.А. Солодовник М.С., Смирнов В.А. и др. Исследование режимов формирования оксидных наноразмерных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления // Известия вузов. Электроника. - 2012. - № 2 (94). - C. 43-50.
17. Агеев О.А., Солодовник М.С., Смирнов В.А. и др. Исследование режимов локального анодного окисления эпитаксиальных структур арсенида галлия // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2011. - № 4 (117). - C. 8-13.
18. Авилов В.И., Краснобородько С.Ю. и др. Профилирование эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом локального анодного окисления // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2015. - № 9 (170). - C. 84-93.
19. Авилов В.И., Агеев О.А. и др. Исследование режимов наноразмерного профилирования поверхности эпитаксиальных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления // Российские нанотехнологии. - 2015. - Т. 10, № 3-4. - C. 39-43.
20. Ageev O.A., SolodovnikM.S., et al. Effect of GaAs native oxide upon the surface morphology during GaAs MBE growth // Journal of Physics: Conference Series. 2016. - Vol. 741, No. 1.
- P. 012012.
REFERENCES
1. Ageev O.A., Balakirev S.V., Bykov Al.V. et al. Development of new meta-materials for advanced ele-ment base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices, In: Advanced Materials - Manufacturing, Physics, Mechanics and Applications. Parinov, Chang, Topolov (Eds.). Springer International Publishing Switzerland, 2016, pp. 563-580.
2. Ageev O.A., Konoplev B.G. i dr. Issledovanie vliyaniya geometricheskikh parametrov na modul' Yunga orientirovannykh nitevidnykh nanokristallov GaAs metodom atomno-silovoy mikroskopii [A study of the influence of geometric parameters on young's modulus of oriented filamentary nanocrystals of GaAs by atomic force microscopy], Rossiyskie nanotekhnologii [Nanotechnologies in Russia], 2013, Vol. 8, No. 1-2, pp. 20-25.
3. Rukomoykin A.V., Solodovnik M.S. Formirovanie i issledovanie arsenid-gallievykh nanostruktur na nanotekhnologicheskom komplekse NANOFAB NTK-9 [Forming and investigation of arsenide gallium nanostructure at nanotechnological system NANOFAB NTF-9], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2011, No. 4 (117), pp. 237-238.
4. Ageev O.A, Alekseev A.N., Sokolov I.A., Konoplev B.G. Kompleksnyy podkhod k tekhnologicheskomu osnashcheniyu tsentra prikladnykh razrabotok. opyt realizatsii v NOTs «Nanotekhnologii» YuFU [Comprehensive approach to technological equipping for R&D center. The experience in implementing of SEC «Nanotechnology» SFedU], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2011, No. 4 (117), pp. 207-210.
5. Alekseev A.N., Ageev O.A i dr. Tandem ZAO «NTO» i NOTs «Nanotekhnologii» YuFU -primer uspeshnogo vzaimodeystviya proizvodstva i nauki [Tandem CJSC "NTO" and REC "Nanotechnology" of southern Federal University - an example of successful cooperation of production and science], Elektronika: nauka, tekhnologiya, biznes [Electronics: science, technology, business], 2016, No. 7 (157), pp. 78-83.
6. Ageev O.A., Varzarev Yu.N., Solodovnik M.S., Rukomoykin A.V. Poluchenie i issledovanie HEMT-struktur na osnove GaAs dlya SVCh-polevykh tranzistorov na nanotekhnologicheskom komplekse NANOFAB NTK-9 [Obtaining and investigation of HEMT-structure based on GaAs for ultra high frequency field effect transistors at nanotechnological system NANOFAB NTF-9], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2011, No. 4 (117), pp. 13-21.
7. Ageev O.A., Balakirev S.V., Solodovnik M.S., Eremenko M.M. Vliyanie vzaimodeystviya v sisteme Ga-As-O na morfologiyu poverkhnosti GaAs pri molekulyarno-luchevoy epitaksii [The effect of interaction in the system Ga-As-O on the surface morphology of GaAs during molecular-beam epitaxy], Fizika tverdogo tela [Physics of the solid state], 2016, Vol. 58, No. 5, pp. 1011-1018.
8. Allwood D.A., et al. Characterization of oxide layers on GaAs substrates, Thin Solid Films, 2000, Vol. 364, pp. 333-39.
9. Tanner B.K., et al. Kinetics of native oxide film growth on epiready GaAs, Materials Science and Engineering B, 2001, Vol. 80, pp. 99-103.
10. Vilar M.R., et al. Characterization of wet-etched GaAs (100) surfaces, Surface and Interface Analysis, 2005, Vol. 37, pp. 673-682.
11. Bezryadin N.N., i dr. Vliyanie finishnoy podgotovki poverkhnosti arsenida galliya na spektr elektronnykh sostoyaniy n-GaAs(100) [The influence of finish surface preparation of gallium arsenide on the spectrum of electronic States of n-GaAs(100)], FTP [Physics], 2012, No. 6, pp. 756-760.
12. Valyukhov D.P., i dr. Issledovanie vzaimodeystviya kisloroda s poverkhnost'yu (110) A3B5 [Study of the interaction of oxygen with the surface (110) A3B5], Vestnik SKGTU [Bulletin of North Caucasus state technical University], 2010, No. 2, pp. 1-6.
13. Bauters J.F., et al. Oxygen-enhanced wet thermal oxidation of GaAs, Applied Physics Letters, 2011, Vol. 99, pp. 142111.
14. Isomura N., et al. Investigation on GaAs(001) surface treated by As-free high temperature surface cleaning method, Journal of Crystal Growth, 2007, Vol. 301-302, pp. 26-29.
15. Guillen-Cervantes A., et al. GaAs surface oxide desorption by annealing in ultra-high vacuum, Thin Solid Films, 2000, Vol. 373, pp. 159-163.
16. Ageev O.A. Solodovnik M.S., Smirnov V.A. i dr. Issledovanie rezhimov formirovaniya oksidnykh nanorazmernykh struktur arsenida galliya metodom lokal'nogo anodnogo okisleniya [The study of the modes of formation of nanoscale oxide structures of gallium arsenide by local anodic oxidation], Izvestiya vuzov. Elektronika [Proceedings of universities. Electronics], 2012, No. 2 (94), pp. 43-50.
17. Ageev O.A., Solodovnik M.S., Smirnov V.A. i dr. Issledovanie rezhimov lokal'nogo anodnogo okisleniya epitaksial'nykh struktur arsenida galliya [Gallium arsenide epitaxial structures local anodic oxidation regimes investigation], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2011, No. 4 (117), pp. 8-13.
18. Avilov V.I., Krasnoborod'ko S.Yu. i dr. Profilirovanie epitaksial'nykh sloev arsenida galliya metodom lokal'nogo anodnogo okisleniya [Gallium arsenide epitaxial structures profiling by local anodic oxidation], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2015, No. 9 (170), pp. 84-93.
19. Avilov V.I., Ageev O.A. i dr. Issledovanie rezhimov nanorazmernogo profilirovaniya poverkhnosti epitaksial'nykh struktur arsenida galliya metodom lokal'nogo anodnogo okisleniya [The study of modes of nanoscale profiling of the surface of epitaxial structures of gallium arsenide by local anodic oxidation], Rossiyskie nanotekhnologii [Russian nanotech-nology], 2015, Vol. 10, No. 3-4, pp. 39-43.
20. Ageev O.A., Solodovnik M.S., et al. Effect of GaAs native oxide upon the surface morphology during GaAs MBE growth, Journal of Physics: Conference Series, 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012012.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н., профессор Б.Г. Коноплев.
Солодовник Максим Сергеевич - Южный федеральный университет; e-mail:
[email protected]; 347928, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, корп. Е; тел.: +78634371767;
кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; к.т.н.; доцент.
Solodovnik Maxim Sergeevich - Southern Federal University; e-mail: [email protected];
2, Shevchenko street, build. Е, Taganrog, 347928, Russia; phone: +78634371767; the department
of nanotechnologies and microsystems; cand. eng. sc.; associate professor.
