CC BY
13Статья поступила в редакцию 13.09.13. Ред. рег. № 1801
The article has entered in publishing office 13.09.13. Ed. reg. No. 1801
PACS 64.70.dg, 61.72.uj, 61.05.cp, 73.61.Ga, 73.40.Lq
ВЫРАЩИВАНИЕ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0,01) И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ СТРУКТУРНЫХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
1 12 1 А.С. Саидов , Ш.Н. Усмонов , М. У. Каланов , К.А. Амонов
1 Физико-технический институт НПО «Физика-Солнца» АН РУз Ташкент, Узбекистан, 100084, ул. Г. Мавлянова, д. 2Б Тел.: (+998-71)-235-41-04, e-mail: [email protected], [email protected]
2Институт ядерной физики АН РУз Ташкент, Узбекистан, 100214, М. Улугбекский район, поселок Улугбек Тел: (+998-71) 289-26-74
Заключение совета рецензентов: 18.09.13 Заключение совета экспертов: 23.09.13 Принято к публикации: 28.09.13
Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращивались эпитакси-альные слои твердого раствора (Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0,01) и-типа проводимости на Si подложках. Исследованы структура эпитаксиальной пленки и спектральные зависимости фоточувствительности гетероструктур />Si-«(Si2)1-x(ZnSe)x (0 < x < 0,01). Показано, что эпитаксиальная пленка (Si2)0 09(ZnSe)001 имеет совершенную монокристаллическую структуру с ориентацией (111) с размером субкристаллитов 52 нм. Наблюдается сдвиг края фоточувствительности гетерострук-туры/>Si-«(Si2)1-x(ZnSe)x (0 < x < 0,01) в коротковолновую сторону по сравнению с />Si-«Si структурами.
Ключевые слова: полупроводник, рентгенограмма, твердые растворы, жидкофазная эпитаксия, спектральная фоточувствительность.
GROWING SOLID SOLUTION (Si2)1-*(ZnSe)x (0 < x < 0.01) FILMS AND RESEARCH OF THEIR STRUCTURAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES
A.S. Saidov1, Sh.N. Usmonov1, M.U. Kalanov2, К.А. Amonov1
Physical-Technical Institute of Scientific Production Association "Physics-Sun" of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan
2Б Mavlyanov str., Tashkent, 100084, Uzbekistan Tel.: (+998-71) 235-41-04, e-mail: [email protected], [email protected] 2Institute of Nuclear Physics of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan Village of Ulugbek, M. Ulugbek District, Tashkent, 100214, Uzbekistan Тел: (+998-71) 289-26-74
Referred: 18.09.13 Expertise: 23.09.13 Accepted: 28.09.13
Epitaxial layers of the solid solution (Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0.01) и-type conductivity were grown on Si substrates by liquid phase epitaxy from limited volume of tin solution-melting. The structure of the epitaxial films and the spectral dependence of photosensitivity of heterostructures />Si-«(Si2)1-x(ZnSe)x (0 < x < 0.01) were researched. It is shown that the epitaxial film (Si2)009(ZnSe)001 has perfect monocrystal structure of (111) orientation with the size of subcrystallites 52 nm. A replace of the photosensitivity of the heterostructure />Si-«(Si2)1-x(ZnSe)x (0 < x < 0.01) toward shorter wavelengths (compared with />Si-«Si structures) was observed.
Keywords: semiconductor, X-radiogram, solid solution, liquid phase epitaxy, spectral photosensitivity.
Амин Сафарбаевич Саидов
Сведения об авторе: гл. научный сотрудник ФТИ НПО «Физика-Солнце» АН Республики Узбекистан, д-р физ.-мат. наук, профессор, лауреат Госпремий Республики Узбекистан (2007).
Область научных интересов: взаимодействие примесей в алмазоподобных полупроводниках и физические основы выращивания кремния, арсенида галлия, алюминия-арсенида галлия, высокоомных, однородных и варизонных твердых растворов IV1-X-IVX, (IV2)1-x(A3B5)x_ (IV2)1-x(A2B6)x, (IV2)i-x__v(A3B5)x (A B )y, а также гетероструктур на их основе. Вопросы растворимости в многокомпонентных растворах и технологии полупроводниковых материалов твердых растворов: Si-Ge, Al-GaAs, Ge-GaAs, Si-GaP, Ge-InP, Ge-CdTe, Ge-ZnSe, GaAs-ZnSe, Sn-InSb, Ge-Sn, Si-Sn, а также гомо-, гетероструктур и приборов на их основе. Им теоретически обоснованы и синтезированы новые классы полупроводниковых варизонных непрерывных твердых растворов: 1 класс IV1-X IVX: Si1-xGex, Si1-X Snx, Ge1-X Sn,; 2 класс (IV2)i-x(A3B5)x: (Ge2)1-x(GaAs)x, (^«(GaP),, (Geih-XInP),, (Sn2)1-x(InSb)x, (Si2)1-x(GaSb)x; 3 класс (Г^-ЛАВ6),: (Ge2)a-x)(CdTe)x, (Ge^UZnSe),, (^VXZnS),, (^-«(CdS),, (^^nSe)*; 4 класс (^WA^A^: (Ge2)1-x-y(GaAs),(ZnSe)y, (ZnSe^-^MGaPV
Публикации: 2 монографии, более 250 статей и 36 изобретений.
Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» № 15 (137) 2013 © Научно-технический центр «TATA», 2013
т
Сведения об авторе: канд. физ.-мат. наук., старший научный сотрудник ФТИ НПО "Физика-Солнце " АН РУз.
Область научных интересов: фотоэлектрические, примесновольтаические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах; взаимодействие примесей в алмазоподобных полупроводниках.
Публикации: более 45.
Шукрулло Негматович Усмонов
rW »v
ЬМ
Махмуд Умарович Каланов
Irl
Кобил Ашрафович Амонов
Сведения об авторе: зав. лабораторией фазовых переходов ИЯФ АН республики Узбекистан; канд. физ.-мат. наук.
Образование: физический факультет Московского областного педагогического института.
Область научных интересов: рентгенография и нейтронография, фазовые переходы, в том числе и радиационно-индуцированные в полупроводниках, сплавах внедрения и замещения в высокотемпературных сверхпроводниках.
Публикации: более 150.
Сведения об авторе: аспирант Физико-технического института НПО "Физика-Солнце" АН РУз.
Область научных интересов: фотоэлектрические эффекты в полупроводниках и полупроводниковых структурах; взаимодействие примесей в алмазоподобных полупроводниках. Публикации: 6.
Введение
Теоретический анализ
Поиск и исследование доступных тонкопленочных полупроводниковых материалов с широкими функциональными и эксплуатационными возможностями представляет как фундаментальный, так и практический интерес. Соединения А2В6 и А3В5 и их твердые растворы (ТР) считаются основными материалами для создания на их основе полупроводниковых приборов широкого класса. Ряд таких материалов можно значительно расширить, используя их ТР замещения элементарными полупроводниками - (С2 )1.Х(А2В6)Х и (С4 )1-х(А3В5)^. Принципиальная возможность получения таких ТР была показана в работах [1-5]. В данной работе приводятся результаты исследования по выращиванию, структурным и некоторым электрофизическим свойствам ТР (Б^ь^пБе)*.
Наш подход к возможности образования ТР замещения на основе 812 и 2п8е связан с условиями образования ТР замещения, основанных на молеку-лярно-статистических и кристаллохимических представлениях [6, 7]:
^=X *r -X z = о;
Ar =
X rr -X ri
i=l i=l
< 0,lXr?
(1)
(2)
где и — валентности; г и - ковалентные радиусы атомов растворяющего т и растворимого п химического элемента или элементов, образующих молекулы растворяющего т и растворимого п соединений соответственно; / = 1, 2, 3, 4.
International Scientific Journal for Alternative Energy and Ecology № 15 (137) 2013
© Scientific Technical Centre «TATA», 2013
А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов и др. Выращивание пленок твердого раствора (Si2)i-x(ZnSe)x (0 < х< 0,01) и исследование их ... свойств
Условие (1) предусматривает электронейтральность растворяемых химических элементов или соединений в растворяющем полупроводниковом материале. Условие (2) предусматривает близость геометрических параметров растворяющего т и растворимого п соединений, исключающих возникновение значительных искажений кристаллической решетки в ТР. Когда отличие суммы ковалентных радиусов атомов молекул раствор образующих компонентов больше, чем 10%, образование ТР этих компонентов незначительное.
Как известно, 2п8е и 812 изовалентны и для них выполняется условие электронейтральности (1):
zZn + zSe = zSi + zSi.
(3)
Отличие суммы ковалентных радиусов атомов молекул ZnSe и Si2 составляет
Ar = |(rzn + rSe ) - (/Si + rsi ) = |2,45Â - 2,34 Â | = 0,11 Â,
(4)
что не больше, чем 4,7%; следовательно, они удовлетворяют условию образования ТР замещения (2), их взаимное замещение не сильно деформирует кристаллическую решетку. Наличие на фронте кристаллизации молекулярных образований Si2 и ZnSe способствует квазимолекулярному замещению в твердой фазе ZnSe ^ Si2, предполагающему обязательное существование пар Si-Si и Zn-Se при любом значении х в виде (Si2)1-x(ZnSe)x. Замещение двух атомов Si2 двумя атомами молекулы ZnSe в кристаллической решетке приводит к количественному изменению сил взаимодействия между ближайшими соседями, но при этом ковалентно-тетраэдрический характер связи в кристаллической решетке остается (рис. 1). ТР замещения в виде (Si2)1-x(ZnSe)x представляет собой стабильную фазу, однако возможно возникновение локальных микронапряжений ростового характера и небольшого значения энергии упругих искажений кристаллической решетки.
Рис. 1. Пространственная конфигурация тетраэдрических
связей твердого раствора замещения (Si2)i-x(ZnSe)x Fig. 1. The spacial configuration of the tetrahedral bonds of substitutional solid solution (Si2)1-x(ZnSe)x
Методика эксперимента
ТР (812)1-х(2п8е)х выращивались методом жид-кофазной эпитаксии из ограниченного объема 8п раствора-расплава принудительным охлаждением в атмосфере очищенного палладием водорода. Состав раствора-расплава был получен на основе результатов предварительных опытов по исследованию растворимости 81 и 2п8е в 8п и литературных данных [8, 9]. Для выращивания эпитаксиальных слоев нами был использован кварцевый реактор вертикального типа с горизонтально расположенными подложками. В качестве подложек были использованы пластинки 81 с ориентацией (111) диаметром 20 мм и толщиной ~ 400 мкм.
В начальный момент роста пленки из раствора-расплава происходит кристаллизация 81 слоя, поскольку при выбранной температуре эпитаксии раствор является насыщенным по отношению к 81. При более низких температурах создаются условия для выращивания ТР (812)1-х(2п8е)х. Переходная область, расположенная между подложкой и эпи-таксиальной пленкой, представляет собой вари-зонный слой с изменяющимся составом. Разница между параметрами решеток первого кристаллизующего слоя ТР и подложки появляется из-за того, что первый выращиваемый слой ТР состоит из (812)1-х(2п8е)х, в котором х > 0, а подложка - из 81. С ростом следующих эпитаксиальных слоев эта разница уменьшается за счет того, что атомные слои по содержанию х отличаются между собой незначительно. В результате упругой деформации образующегося слоя, берущего на себя роль подложки, происходит снижение суммарной энергии системы. При кристаллизации следующего слоя без изменения параметра решетки эта энергия оказывается меньше, чем на начальной стадии процесса. Изменяя условия режима роста, можно управлять совершенством гетерограницы.
Образцы выращивались при различных значениях параметров жидкостной эпитаксии. Варьировались состав раствора-расплава, начало температуры кристаллизации от Т = 800 до 1100 °С, скорость охлаждения раствора-расплава и = от 0,5 до 7,5 град/мин, расстояние между верхними и нижними подложками 5 = от 0,25 до 2,5 мм. Эпитаксиальные слои с зеркально гладкими поверхностями и наилучшими параметрами выращивались при Т, = 1000 °С, и = = 0,85—1 град/мин, 5 = 0,65—1 мм. Скорость кристаллизации слоев составляла 0,12-0,20 мкм/мин. В зависимости от режима роста толщина пленок составляла 5—15 мкм. Выращенные слои имели электронный тип проводимости с концентрацией п = 1015 см-3, удельным сопротивлением р = 5,5 Омсм и холловской подвижностью цх = 1068 см2/(Вс) при комнатной температуре.
Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» № 15 (137) 2013 © Научно-технический центр «TATA», 2013
Результаты и их обсуждение
Исследования химического состава поверхности и скола выращенных слоев на рентгеновском микроанализаторе «1ео1» .Т8М 5910 ЬУ-.Тарап показали, что слои (812)1_х(2п8е)х не содержат металлических включений, распределение компонентов по поверхности слоя однородное, а в объеме изменяется в пределах 0<х<0,01. Поверхность пленки представляет собой твердый раствор состава (812)0,99(2п8е)0,м.
Рис. 2. Рентгенограмма Si подложки. На вставке - форма структурного рефлекса (111)Si в расширенном масштабе Fig. 2. X-radiogram of Si substrate. The inset shows the structural form of the reflex (111 )Si in an enlarged scale
рефлексов селективного характера над уровнем неупругого фона. Анализ рентгенограммы показывает, что подложка кремниевая монокристаллическая с ориентацией (111). Размеры блоков подложки ~ 57 нм. Она содержит примесную фазу 8Ю2 с весовой концентрацией меньшей, чем 1 вес. %, с ориентациями кристаллитов (110) и (202). Размеры кристаллитов этой фазы ~ 36 нм. Параметр решетки подложки составил а81 = 5,441 А.
Полученная эпитаксиальная пленка также монокристаллическая с ориентацией (111) и размерами блоков ~ 52 нм. В эпитаксиальной пленке примесная фаза 8Ю2 также присутствует, но только с ориентацией кристаллитов (202). В рентгенограмме еще присутствует другой селективный рефлекс (220) от фазы 2п8е. Интенсивный рефлекс (111) от фазы 2п8е по угловому положению совпадает с основным рефлексом (111) подложки, в силу чего разделить их было невозможно. По рефлексу (220) был определен параметр решетки фазы 2п8е, он составил а2п8е = 5,692 А, что несколько больше, чем табличное значение (5,661 А). Форма основного рефлекса (111) подложки и пленки синглетная, но симметричная (вставки на рис. 2 и 3), что свидетельствует о наличии равномерно распределенных микроискажений в их решетках. Следовательно, полученная пленка представляет собой ТР замещения (81)1-х(2п8е)х. Микроискажения в кремниевой решетке эпитаксиальной пленки вызваны различием ковалентных радиусов кремния (г81 + г81 = = 2,34 А) и селенида цинка (г2п + г8е = 2,45 А), расположенных в узлах замещения.
Рис. 3. Рентгенограмма эпитаксиальной пленки твердого раствора (Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0,01). На вставке - форма структурного рефлекса (111)Si в расширенном масштабе
Fig. 3. X-radiogram of epitaxial films of the solid solution (Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0.01). The inset shows the structural form of the reflex (111)Si in an enlarged scale
Кристаллическое совершенство и параметр решетки ТР изучены рентгенодифрактометрическим методом на установке ДРОН-3М (CuKa - излучение, X = 0,15418 нм) по схеме ю-29 с монохроматором из совершенного кристалла кремния (отражение (111), FWHM = 6,2"). На рис. 2 и 3 приведены рентгено-дифрактограммы Si подложки и эпитаксиальной пленки (Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0,01) соответственно, на которых присутствуют несколько структурных
Рис. 4. Зависимости отношения фототока короткого замыкания к его максимальному значению для гетероструктуры pSi-n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0,01) (1) и контрольной структуры pSi-nSi (2) от энергии фотонов Fig. 4. Ratio of short-circuit photocurrent to its maximum value for the heterostructure pSi-n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0.01) (1) and that for the control structure of pSi-nSi (2) of the photon energy
Для исследования спектральной зависимости фоточувствительности ТР (Si2)1-x(ZnSe)x были изготовлены гетероструктуры ¿>Si-n(Si2)1-x(ZnSe)x (0 < х < 0,01) с толщиной эпитаксиального слоя ~ 10 мкм. Для срав-
International Scientific Journal for Alternative Energy and Ecology № 15 (137) 2013
© Scientific Technical Centre «TATA», 2013
А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов и др. Выращивание пленок твердого раствора (вЬКх^пве)., (0 < х< 0,01) и исследование их ... свойств
нения также были исследованы стандартные кремниевые />81-и81 структуры. На рис. 4 показаны зависимости отношения фототока короткого замыкания к его максимальному значению (/ф/./ф, тах) исследованных структур от энергии фотонов (Еф), падающих на лицевую поверхность образцов. Из рис. 4 видно, что спектральная область фоточувствительности гетеро-структуры />81-и(812)1-х(2п8е)х (0 < х < 0,01) (кривая 1) сдвинута в коротковолновую сторону по сравнению с кремниевой/>81-и81 структурой (кривая 2), что свидетельствует об увеличении ширины запрещенной зоны (Её) ТР по сравнению с Её кремния. На основе кривых спектральной фоточувствительности была оценена Еъ ТР (812)1.х(2п8е)х (0 < х < 0,01), которая составляла Её, 812п8е « 1,24 эВ.
Зависимость /ф//ф,тах от Еф гетероструктуры />81-и(812)1.х(2п8е)х (0 < х < 0,01) начинает резко возрастать с энергии фотонов 1,18-1,46 эВ и достигает своего максимального значения при Еф = 1,97 эВ. После чего она уменьшается. В этой области зависимости 1/ф//ф,тах от Еф четко наблюдаются изгиб в интервале энергии фотонов 1,58-1,63 эВ и 2,14-2,28 эВ, полка в интервале 1,74-1,84 эВ, а также максимумы при 1,97 и 2,1 эВ, которые, вероятно, обусловлены различным составом твердого раствора (812)1_х(2п8е)х по глубине эпитаксиального слоя. Подъем фоточувствительности структуры при энергиях фотонов
Еф > 2,2 эВ, по-видимому, обусловлен 2п-8е связями, находящимися в узлах тетраэдрической решетки ТР в окружении кремния (рис. 1). Как известно, энергия ионизации 2п-8е связи в материале 2п8е, выражаемая шириной запрещенной зоны селенида цинка, составляет 2,7 эВ, однако когда молекула 2п8е замещает два атома 81 в тетраэдрической решетке кремния, кова-лентная связь 2п-8е ослабевает под влиянием окружающих ее атомов 81. В ТР (812)1_х(2п8е)х мольное содержание молекул 2п8е составляет ~ 1020 см-3, следовательно, подъем чувствительности гетерост-руктуры />81-и(812)1.х(2п8е)х при энергиях фотонов Еф > 2,2 эВ обусловлен 2п-8е связями.
Заключение
Таким образом, выращенные эпитаксиальные слои ТР (812)1_х(2п8е)х (0 < х < 0,01) из оловянной жидкой фазы являются совершенными монокристаллами с ориентацией (111) и размером субкристаллитов ~ 52 нм. Гетероструктуры на основе ТР />81-и(812)1_х(2п8е)х (0 < х< 0,01) имеют широкий диапазон чувствительности - от 1,2 до 2,6 эВ. ТР (812)1-х(2п8е)х (0 < х < 0,01) могут быть применены как фотоактивные области оптоэлектронных приборов, работающих в ближней инфракрасной и видимой области спектра излучения.
Список литературы
References
1. Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. О возможности улучшения структурного совершенства новых гетеропар GaAs-CGe^ZhSek Ge^Ge^XZnSe)*, GaP-(Ge2)i-I(ZnSe)I, Si-(Ge2)1-x(ZnSe)x // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, вып. 2. С. 12-16.
2. Saidov A.S, Razzakov A., Risaeva V., Koshchanov E. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1-x(ZnSe)x // Minerals Chemistry and Physics. 2001. Vol. 68. P. 1-6.
3. Саидов А.С., Усмонов Ш.Н., Холиков К.Т., Сапаров Д. Получение и исследование непрерывного твердого раствора (Si2)i.x.J,(Ge2)x(GaAs)J, // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33, вып. 16. С. 59-64.
4. Усмонов Ш.Н., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапа-ров Д., Холиков К.Т. Возможность получения пленок (GaSb)1-x(Si2)x на кремниевых подложках методом жидко-фазной эпитаксии // ФТП. 2009. Т. 43, вып. 8. С. 1131-1136.
5. Саидов А.С., Саидов М.С., Усмонов Ш.Н., Асатова У.П. Выращивание пленок (InSb)1-x(Sn2)x на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии // ФТП. 2010. Т. 44, вып. 7. С. 970-977.
6. Саидов М.С. Кремниевые твердые растворы и возможности их применения в каскадных солнечных элементах // Гелиотехника. 1997. № 5-6. С. 57-67.
7. Saidov M.S. Possible Semiconductor Continuous Solid Solutions for Thermophotovoltaic Cells // Applied Solar Energy. 1999. Vol. 35, No. 3. P. 48-53.
8. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975.
9. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургиздат, 1962.
1. Caidov А.S., Koscanov Е.А., Razzakov А.S. O vozmoz-nosti ulucseniâ strukturnogo soversenstva novyh geteropar GaAs-(Ge2)1.x(ZnSe)x, Ge-(Ge2)1-x(ZnSe)x, GaP-(Ge2)1-x(ZnSe)x, Si-(Ge2)1-x(ZnSe)x // Pis'ma v ZTF. 1998. T. 24, vyp. 2. S. 12-16.
2. Saidov A.S, Razzakov A., Risaeva V., Koshchanov E. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1-x(ZnSe)x // Minerals Chemistry and Physics. 2001. Vol. 68. P. 1-6.
3. Saidov А^., Usmonov S.N., Holikov K.T., Saparov D. Polucenie i issledovanie nepreryvnogo tverdogo rastvora (Si2)1.x.J, (Ge2)x(GaAs)J, // Pis'ma v ZTF. 2007. T. 33, vyp. 16. S. 59-64.
4. Usmonov S.N., Saidov А^., Lejderman А/Û., Saparov D., Holikov K.T. Vozmoznost' poluceniâ plenok (GaSb)1-x(Si2)x na kremnievyh podlozkah metodom zidkofaznoj èpitaksii // FTP. 2009. T. 43, vyp. 8. S. 1131-1136.
5. Saidov А^., Saidov M.S., Usmonov S.N., Аsa-tova U.P. Vyrasivanie plenok (InSb)1-x(Sn2)x na arsenid-gallievyh podlozkah metodom zidkofaznoj èpitaksii // FTP. 2010. T. 44, vyp. 7. S. 970-977.
6. Saidov M.S. Kremnievye tverdye rastvory i vozmoznosti ih primeneniâ v kaskadnyh solnecnyh èlementah // Geliotehnika. 1997. № 5-6. S. 57-67.
7. Saidov M.S. Possible Semiconductor Continuous Solid Solutions for Thermophotovoltaic Cells // Applied Solar Energy. 1999. Vol. 35, No. 3. P. 48-53.
8. Аndreev V.M., Dolginov L.M., Tret'âkov D.N. Zidkostnaâ èpitaksiâ v tehnologii poluprovodnikovyh priborov. M.: Sovetskoe radio, 1975.
9. Hansen M., Аnderko K. Struktury dvojnyh splavov. M.: Metallurgizdat, 1962.
Транслитерация по ISO 9:1995
— TATA — iXJ
Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» № 15 (137) 2013 © Научно-технический центр «TATA», 2013
