Уникальная возможность создания дешевого, но эффективного кремниевого солнечного элемента Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

8. ПЛАЗМЕННЫЕ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ, МИКРОВОЛНОВЫЕ

И ЛАЗЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

8.1. УНИКАЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ СОЗДАНИЯ ДЕШЕВОГО, НО ЭФФЕКТИВНОГО КРЕМНИЕВОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА

Имамов Эркин Зуннунович, профессор, д-р физ.-мат. наук, профессор. Ташкентский университет информационных технологий, e-mail: erkinimamov@mail.ru

Джалалов Темур Асфандиярович, старший преподаватель. Ташкентский университет информационных технологий, e-mail: tdjalalov@gmail.com

Муминов Рамизулла Абдуллаевич, академик АНРУз, Физико-Технический Институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан

Рахимов Рустам Хакимович, доктор технических наук, заведующий лабораторией №1. Институт Материаловедения Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан, e-mail: rustam-shsul@yandex.com

Аннотация: В данной работе предлагается один из вариантов решения проблемы создания эффективных кремниевых солнечных элементов, которые должны:

- обладать дешевой технологией их производства,

- применять дешевые материалы;

- быть долговечными, устойчивыми и стабильными при функционировании.

Рассмотрены подходы и методы, обеспечивающие возможность создания эффективных кремниевых солнечных элементов.

Предложены технологические факторы подбора материала нанокластеров, а также проведен анализ физики роста, бездислокационности и устойчивости наногетероструктур на подложке на основе фундаментального эффекта самоорганизации полупроводниковых систем. Показана возможность использования дефектного и дешёвого кремния, с учетом достижений нанотехнологий, что позволяет превратить отрицательные факторы в достоинства.

Ключевые слова: солнечная энергетика, солнечный элемент, нановключения, квантовые точки, наноразмерная контактная структура, наноразмерный «p-n переход», самоорганизации.

UNIQUE OPPORTUNITY TO CREATE CHEAP BUT EFFECTIVE SILICON SOLAR CELLS

Imamov Erkin Zunnunovich, Dr., Professor of physics deportment TUIT, Professor. Tashkent University of Information Technologies, e-mail: erkinimamov@mail.ru

Jalalov Temur Asfandiyarovich, senior lecturer Tashkent University of Information Technologies, e-mail: tdjalalov@gmail.com

Muminov Ramizulla Abdullaevich, Academician Uzbekistan Academy of sciences. Institute of Physics and Technology, Scientific and Production Association «Physics-Sun» of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan

Rahimov Rustam Khakimovich, Doctor of Technical Sciences, Head of laboratory №1. Institute of Materials, Scientific and Production Association «Physics-Sun» of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan, e-mail: rustam-shsul@yandex.com

Abstract: In this paper, we propose one of the solutions to the problem of creating efficient silicon solar cells, which should:

- has a cheap technology of their production;

- using cheap materials;

- be durable, resilient and stable in functioning.

The approaches and methods, providing the ability to create efficient silicon solar cells.

Proposed technological factors selection of material of nanocluster as well as an analysis of the growth of physics, dislocation less and nanoheterostructures stability on the substrate based on the fundamental effect of self-organization of semiconductors systems. By using nanotechnology the negative properties of cheap and faulty silicon to transform into advantages.

Index terms: solar energy, solar cell, nanoinclusions, quantum dots, nanoscale contact structure, nanoscale «p-n junction», self-organization.

УНИКАЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ СОЗДАНИЯ ДЕШЕВОГО, НО ЭФФЕКТИВНОГО КРЕМНИЕВОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА

Имамов Э. З., Джалалов Т. А., Муминов Р. А., Рахимов Р. Х.

Введение. Современная гелиоэнергетика требует разработки инновационных подходов повышения эффективности производства солнечной энергии, без которых она не в состоянии конкурировать с углеводородной энергетикой.

Главной компонентой гелиоэнергетических устройств является кремниевый солнечный элемент, эффективность которого определяется географическими факторами, его геометрическими формами, а также свойствами контакта, контактирующих материалов, токосъемных электродов и многими другими факторами.

Главной компонентой солнечного элемента является возникающее в области контакта двух материалов встроенное электростатическое поле, характеристики которого в значительной степени определяют эффективность солнечного элемента.

Эти два фактора традиционно доминировали до сих пор при выборе способов повышения эффективности в процессах преобразования света в электричество. Главным способом являлось применение в качестве подложки солнечного элемента, по возможности, чистого и строго кристаллического кремния.

Однако, это направление развития исследований достигает своего предела 25^30% - теоретический предел эффективности кремниевых солнечных элементов.

Пути повышения эффективности кремниевых солнечных элементов включают в себя:

- снижение затрат на их производство,

- снижение затрат напроизводство применяемых при их создании материалов,

- долговечность, устойчивость и стабильность их функционирования в процессе массового производства электроэнергии.

В связи с этим, для создания солнечных элементов, удовлетворяющих в полной мере вышеперечисленным требованиям качества, необходим поиск новых нетрадиционных подходов и методов. В данной работе предлагается один из вариантов решения этой проблемы.

Особенности нового солнечного элемента. Главной особенностью предлагаемого подхода является использование технического кремния, который не отличается высокой степенью чистоты и идеальной кристаллической структурой в качестве подложки солнечного элемента. Использование технического кремния может привести к значительному удешевлению процесса массового преобразования излучательной энергии Солнца в электричество, а также к росту сферы прикладных возможностей солнечной энергетики. Именно в этом заключается уникальность предлагаемых солнечных элементов с подложкой из сильно дефектного технического кремния. Подобные решения до сих пор сразу отвергались, так как именно эта сильная дефектность кристалла считалась главным негативным фактором.

Однако столь простое, казалось бы, решение проблемы удешевления производства солнечной энергии до сих пор никак не реализуется. Причина в существующем в сознании многих справедливом утверждении о невозможности классическими средствами создать высокоэффективный разделяющий контакт на базе сильно дефектного кремния.

Это действительно так в обычном макромире, где вещества, из которых выполнены все элементы приборов, имеют чрезвычайно устойчивые электрофизические свойства.

В комплексе работ [1] нами было предложено принципиально иное рассмотрение проблемы, при котором встроенное электростатическое поле создается НКС - новой контактной структурой. Её эффективность как раз и определяется нали-

чием в материале подложки богатого спектра различных по качеству дефектов (различных и по размерам, и типу формирующих ими электронных энергетических состояний). Между этими объемными дефектами микронных размеров существуют узкие и длинные бездефектные области с повышенной степенью упорядоченности и чистоты, вдоль которых и создаются встроенные электростатические поля.

Новая контактная структура может повлиять на эффективность солнечного элемента из-за замены у него некоторых макроскопических компонент на наноразмерные аналоги. Например, один из двух контактных областей пространственного заряда заменяется на нанокластер (или нанов-ключение), на основе которого в процессе установления термодинамического равновесия с подложкой формируется сложная и неоднородная наногетероконтактная структура (или НГС - «наногетероструктура»). Её принципиальная новизна в том, что материал нанокластера из сильно электроемкого, отличного от кремния, полупроводника с поперечным размером порядка 4^35 нм.

Кроме того, эти наноразмерные компоненты соединяются между собой соответствующими наноразмерными токосъем-ными электродами. Это могут быть графеновые покрытия или углеродные нанотрубки, обладающие высокой электропроводностью с соответствующими необычными свойствами.

Подобные замены некоторых макрокомпонент на наноком-поненты в принципе изменили свойства солнечного элемента. Происходят эти изменения весьма закономерно, так как в наноразмерном состоянии многие электрофизические свойства объектов принципиально отличаются от свойств макротел. Часто то, что плохо в макромире, - хорошо в наномире, и наоборот! Именно сочетание в новом солнечном элементе макро- и нано- компонент позволило на базе сильно дефектного кремния создать достаточно эффективную контактную структуру солнечного элемента.

В частности, отличие выражается в том, что фотопреобра-зующие функции предлагаемого солнечного элемента осуществляются не отдельным цельным кремниевым р-п переходом, как в традиционном солнечном элементе, а очень многими параллельно соединенными между собой наноге-тероконтактными структурами или «наноразмерными р-п переходами» [1].

Высокая электроемкость нановключения необходима для повышения вместимости ограниченного пространства нано-кластера большому количеству носителей заряда, при установлении термодинамического равновесия.

Накопление одним нанокластером большого количества, например, электронов позволяет рассматривать его как область пространственно локализованного отрицательного заряда или как наноразмерную «р-область».

Пространство по глубине подложки рассматривается как область, локализованная неподвижными, положительно ионизированными остаточными примесями или как своеобразная «п-область» новой контактной структуры, в которой свободные электроны перешли в нановключения.

В отличиеот «р-области», длина «п-области» измеряется несколькими микронами.

Таким образом, предлагаемую наногетероконтактную структуру (или «наноразмерный р-п переход») действительно можно рассматривать как

- р-п переход (состоит из двух фиксированных противоположно заряженных частей или двух типов электропроводности);

- гетеропереход (контакт двух разных полупроводников);

- наноразмерная структура (один из элементов - нанокластер).

Токосъем с наногетероструктур на поверхности осуществляется, как уже указывалось, углеродными нанотрубками или графеновыми покрытиями.

Множество «наноразмерных р- n переходов», параллельно соединенных между собой, образуют электрическую цепь одного солнечного элемента. Это «солнечный элемент с нано-размерными контактными структурами» (СЭ НРКС).

Требования к материалам наногетероструктур.

Монокристаллическое состояние сверхчистого кремния характеризуется высокой степенью симметрии. Но такое состояние не может сохраняться долго. Со временем состояние будет изменяться, напряжения будут спадать, энтропия системы будет возрастать. Все это эквивалентно медленному, но верному переходу структуры в состояние термодинамического равновесия, то есть в состояние с гораздо меньшей степенью симметрии. Если рабочие параметры прибора ориентированы на конкретное высокосимметричное состояние монокристаллического кремния, то энтропийные процессы с течением времени будут выводить прибор из строя, то есть прибор начнёт стареть.

Подобный процесс «термодинамического старения» практически незаметен у приборов со временем жизни в два-три года. Но когда речь идет о солнечных элементах, преобразующих энергию излучения в электричество в открытой атмосфере в течении двух-трех десятков лет, то, очевидно, имеет смысл поиск методов затягивания процесса «старения» у применяемых материалов. Следует учитывать и то обстоятельство, что современные фотоэлементы «возвращают» затраченную на их производство энергию с течение 5-15 лет.

Принципиально иная ситуация, когда прибор ориентирован на свойства высокоэнтропийного дефектного кремния:

- скорость «старения» материала подложки уменьшается,

- повышается устойчивость и стабильность свойств,

- замедляются деградационные процессы.

Все это равносильно повышению срока службы солнечного элемента на основе сильно дефектного кремния.

Итак, из термодинамических соображений следует, что применение в качестве материала подложки дефектного технического кремния с равномерно распределенной и чрезвычайно высокой дефектностью, обеспечивает не только дешевизну солнечного элемента, но и долговечность, устойчивость и стабильность его работы.

Дефектность материала подложки из категории недостатка кристаллов переходит в категорию их достоинств.

Необходимо учитывать и то обстоятельство, что использование в качестве материала подложки дефектного кремния, может способствовать повышению эффективности солнечного преобразования только в случае применения предлагаемых солнечных элементов с «наноразмерными p-n переходами».

Исходя из этого, применительно к новым солнечным элементам, в работе:

- рассматриваются особые требования, предъявляемые к материалу подложки и к структуре дефектов;

- проводится отбор и классификация дефектов в кремнии;

- определяются наиболее оптимальные параметры дефектности кремния.

В техническом, не очищенном кремнии запрещенная зона нагружена [2] различными энергетическими электронными уровнями локальных состояний.

В кремниевой подложке хаотично расположенных дефектов много: - много их разновидностей, различно их влияние на протекание физических процессов. Именно беспорядочное расположение дефектов по всему объему вызывает появление различных локальных энергетических состояний для электронов, расположение и распределение которых по всей запрещенной зоне зависит от особенностей междефектных и межатомных взаимодействий.

В свою очередь, наличие в запрещенной зоне локальных состояний приводит к тому, что зависимость от энергии Е плотности электронных состояний 1\1(Е) в ней не только отлична от нуля, но и в немонотонной форме по разному проявляет себя в пределах запрещенной зоны. При этом, наиболее локализованные состояния - в центре, а менее локализованные - вблизи её краев.

В зависимости от типа и природы дефектов возможны:

- локальные состояния (N0 или N0 донорной или акцепторной природы (примесь отдает или принимает электрон) с малой энергией ионизации Е = кТ (мелкие примесные состояния). Это остаточные дефекты (ОД);

- локальные состояния (N00 или ^д) либо строго донорной, либо строго акцепторной природы (примесь отдает или принимает электрон) с энергией ионизации Е >> кТ (глубокие примесные состояния). Это структурные дефекты (СД). Здесь Е - энергия ионизации, Т - температура.

Локализованные энергетические состояния, связанные с дефектами структуры, как правило, располагаются в середине запрещенной зоны, - чем больше степень беспорядка, тем больше локализованных состояний ближе к середине запрещенной зоны.

Остаточные дефекты в техническом кремнии это фоновые примеси наподобие легированных мелких примесей. Это обычно элементы 3 и 5 групп таблицы химических элементов. Желательно, чтобы их концентрации (N0, или были максимально низкими (==1018 -1019 м-3), а средние расстояния между ними в пределах 3 4 60 мкм. Остаточные примеси - это мелкие примесные энергетические состояния в кремнии.

Структурные дефекты - это вакансии, чужеродные узельные и междоузельные атомы, двойники, разрывы химических и межмолекулярных связей, небольшие несовершенства и неоднородности структуры и т.д. Они случайным образом распределены по кристаллу и однородны, создают в запрещенной зоне глубокие энергетические состояния акцепторной или донорной природы. Их концентрация (1\1вд или ^0) должна быть максимально возможной (= 1024 4 1026м-3); средние расстояния между ними в пределах 4410 нм, распределение энергетических состояний по запрещенной зоне - квазиравномерное и квазиоднородное. Поэтому кремний с такими дефектами близок к состоянию термодинамического равновесия, при котором энтропийные изменения его свойств (старение) происходят достаточно медленно.

Структурные дефекты - это нейтральные дефекты. Они активизируются при Е >> кТ. Однако, если их концентрации достаточно велики и приблизительно соизмеримы, то с большой вероятностью может происходить их взаимная компенсация: если > все глубокие акцепторы ионизированы, если > все глубокие доноры ионизированы. Из-за однородности используемого кремния расположение по соседству двух глубоких акцепторов или двух глубоких доноров маловероятнее, чем расположение глубокого акцептора рядом с донором.

Структурные дефекты могут быть и многоатомными системами, которые пространственно занимают значительно большие объемы. Поэтому неизбежно образование как отдельных

УНИКАЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ СОЗДАНИЯ ДЕШЕВОГО, НО ЭФФЕКТИВНОГО КРЕМНИЕВОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА

Имамов Э. З., Джалалов Т. А., Муминов Р. А., Рахимов Р. Х.

очень дефектных областей, так и достаточно чистых бездефектных областей между этими двумя областями. Они являются, по существу, зонами особой повышенной чистоты кристалла или зонами монокристалличности.

Требования к материалу нанокластеров.

В первую очередь, необходимо определить параметры, в соответствии с которыми выбирается материал нановклю-чения. В работе [3] показана возможность спонтанного формирования равновесных, периодически упорядоченных, когерентно напряженных, трехмерных наногетеро-структур на поверхности широкозонного полупроводника, в случае, когда материалом нанокластера является узкозонный (относительно подложки) полупроводник. Кроме того, материал нанокластера должен обладать высокой электроемкостью, для того, чтобы нановключение могло быть центром концентрации электронов и формирования р-области наногетероструктуры. Таким требованиям удовлетворяет семейство халькогенидов свинца: PbS, PbSe, PbTl. Для них характерны следующие отличия:

- узкие ширины запрещенной зоны: в отличии от «широкозонного» кремния (ДЕе5~1,1 эВ); для халькогенидов свинца ^Е§рь5;рь5е;РЬТ1 ~ 0,240,4 эВ;

- высокие значения диэлектрической проницаемости: в отличии от кремния (е5| =12) для халькогенидов свинца £рь5 =175, Ерьэа = 250, Ерьт: = 450;

- малые значения эффективных масс носителей заряда: мм/м0=0,8=мр/м0 для РЬБ, м„/м0 = 0,04 и мР/м0=0,03 для РбБе [4].

На освещаемой поверхности кремниевой подложки методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) формируются наноструктуры. Рассматривая в них носителей заряда пространственно ограниченными в трех измерениях, получим для энергетического спектра электронов наноструктур набор дискретных уровней, разделенных областями запрещенных состояний, то есть точную копию спектра идеальной квантовой точки.

Обычно спектр идеальной квантовой точки возможен у на-нокластера, состоящего из тысячи, полутора тысячи атомов [5], то есть идеальность квантовой точки сохраняется до поперечного размера в 3-4 нм. Однако рассматриваемые реальные наноструктуры на поверхности кремния состоят из сотен тысяч атомов (с значительно большими поперечными размерами). В этом случае модель квантовой точки можно сохранить до тех пор, пока перепады рабочей температуры не в состоянии размыть дискретность её энергетических уровней.

Исходя из этого, определим минимальный и максимальный поперечный размер нанокластера, при которых сохраняется применимость модели квантовой точки.

Минимально возможный размер (1_т|п) для реальных, самопроизвольно возникающих наноструктур определяется из условия появления для электрона в её потенциальной яме хотя бы одного дискретного энергетического уровня. В сферической квантовой точке такое возможно в том случае, если величина разрыва зоны проводимости ДЕС между кремнием и материалом нановключения превышает величину ДЕ1 — первого энергетического уровня электрона (с эффективной массой те) в квантовой яме прямоугольной формы шириной 1_т|п: ДЕс > ДЕ1 = (^2/2-те)-(п/ 1_тт)2

Если при оценке 1_т|п величину ДЕС принять в интервале 0,340,5 эВ, то получим, что минимальное значение диаметра квантовой точки (или нанокластера) не должно быть меньше 3 4 5 нм.

Предельный максимальный размер нанокластера (или нановключения) определяется из условия сопоставимости теплового разброса энергии (величина ~ кТ) с энергетическим расстоянием между уровнями, при котором резко возрастает нежелательная заселенность высоких уровней (требование для работы модели квантовой точки). Для квантовой точки условие пренебрежения заселенностью высоколежащих уровней можно представить в виде:

кТ < (Е2 - Е1)/3,

где Е1 и Е2— энергии первого и второго уровней размерного квантования, соответственно. Расчетная величина максимально возможного размера нанокластера в зависимости от значения эффективной массы колеблется в интервале 204-35 нм.

Таким образом, для реальных самопроизвольно возникающих наноструктур условие:

кТ < Е1 и (345)нм < I < (20435)нм вполне обеспечивает применимость модели квантовой точки. Здесь I - диаметр квантовой точки.

Физика роста, бездислокационности и устойчивости наногетероструктур. Согласно [3] рост на поверхности кремниевой подложки равновесных, периодически упорядоченных, когерентно напряженных, трехмерных наногетероструктур стал возможным благодаря фундаментальному эффекту самоорганизации [6] полупроводниковых систем. В результате его проявления создаются наногетероструктуры (НГС), каждая из которых представляет собой сложную систему из двух компонент. Первая компонента - р-область в виде нанокластера со свойствами идеальной квантовой точки (с дискретным энергетическим спектром, высоким кристаллическим совершенством и высокой однородностью по размерам). Вторая компонента - достаточно протяженная, положительно заряженная п-область.

Самоорганизация наногетероструктур - это эффект спонтанного возникновения в первоначально однородной системе макроскопически упорядоченных нанокластеров, которые в процессе установления термодинамического равновесия с кремниевой подложкой становятся наногетероструктурами.

Спонтанное возникновение упорядоченных нанокластеров связано с дальнодействующими полями упругих напряжений:

- двух контактирующих поверхностей (подложки и наноструктуры), которые имеют различные постоянные кристаллических решеток и различные структуры поверхностей;

- наружных поверхностей самих наноструктур - напряжения, возникающие из-за наличия у них граней и границ ребер.

Соотношение между энергиями дальнодействующих полей упругих напряжений определяется режимом роста трехмерных наногетероструктур, которые возникают на открытой поверхности подложки и поверхности наногете-роструктуры. Интенсивный рост возможен в том случае, когда сумма энергии упругих напряжений двух контактирующих поверхностей окажется больше, чем энергия одной только границы поверхности подложки.

Согласно термодинамическим представлениям возможность спонтанного возникновения наногетероструктур обусловлена малостью свободной энергии твердого раствора с неоднородным профилем по сравнению со свободной энергией твердого раствора с постоянным составом. Поэтому система самопроизвольно или спонтанно стремится перейти в состояние с малой свободной энергией. Это означает, что процесс спонтанного формирования когерентных наногетероструктур сопровождается переходом системы в энергетически устойчивое равновесное состояние с минимумом свободной энергии.

Согласно выводам работы [3], были определены следующие условия формирования разреженного равновесного массива наногетероструктур:

- средние расстояния между наногетероструктурами гораздо больше по сравнению с их размерами;

- взаимодействие наногетероструктур между собою, обеспечивающее их устойчивость, определяется упругой анизотропией подложки и является диполь-дипольным (оно пропорционально г-3, имеет характер отталкивания при любом направлении между ними);

- при температурах, далеких от температур плавления, равновесная форма содержит только грани с малой поверхностной энергией;

- равновесная форма отдельной наногетероструктуры не зависит от ее объема и совпадает с экспериментально наблюдаемой формой -пирамидой с квадратным основанием;

- минимум энергии на единичную площадь приходится на нано-кластер с двумерной квадратной решеткой, энергетическая выгодность которой по сравнению с другими формами объясняется именно упругой анизотропией подложки, а не формой отдельной наногетероструктуры;

- термодинамическая тенденция к коалесценции (слиянию) отсутствует, если отношение изменения поверхностной энергии системы при образовании одной наногетероструктуры и вклада ребер в энергию упругой релаксации меньше единицы;

- возникновение наногетероструктуры связано химическими связями с подложкой и деформационной зависимостью поверхностной энергии.

В реальном случае равновесие успевает установиться частично, да и то только на поверхности, а не в объеме. Возможны возникновения различных самопроизвольных нарушений устойчивости равновесных состояний у различных нанокласте-ров. Однако, переход в упорядоченное состояние неоднородных систем (то есть образование наногетероструктур) характерен для любых наноструктур.

При выполнении вышеуказанных условий на поверхности массивной подложки формируются строго упорядоченные, когерентные наноструктуры, с идентичными размерами и одинаковыми расстояниями между ними.

Заключение: В работе обоснована возможность использования высокодеффектного кремния в качестве подложки, для создания эффективных солнечных элементов. Показана роль остаточных и глубоких примесей в формировании встроенного электростатического поля, а также роли электроёмких квантовых наноструктур. Рассмотрен механизм формирования когерентных идентичных нанокластеров на поверхности подложки. Показана возможность с помощью использования достижений нанотехнологии превратить отрицательные свойства дефектного и дешёвого кремния в достоинства.

Список литературы:

1. E. Z. Imamov, T. A. Dzhalalov, , and R. A. Muminov/ Electrophysical Properties of the «Nano-object—semiconductor» new contact structure/ ISSN 1063-7842, Technical physics, 2015, Vol. 60, No. 5, pp. 740-745 © Pleiades Publishing, Lid., 2015.

2. T.A. Dzhalalov, E.Z. Imamov, R.A. Muminov/«The Electrical Properties of a SC with Multiple Nano scale p-n Transitions» //ISSN 0003701X, Applied Solar Energy, 2014, Vol. 50, No. 4, p.p. 228-232. © Allerton Press, Inc., 2014

3. R.A. Muminov, E.Z. Imamov, T.A. Jalalov/ Condition and prospects of the problem of the direct transformation of the solar radiation in electric energy on base silicon photo transformation/ //Jorn.»Problems of energy and sources saving» (special issue) № 3-4. Tashkent, 2013, P.50-55

4. E.Z. Imamov, T.A. Jalalov, R.A. Muminov, H.Kh. Rakhimov //The theoretical model of new contact structure «nanoobject-semicondactor» // J. «Computational nanotechnology». XII. 2015. 80 page, №4. Moscva p.p 5863 ISSN 2313-223X.

5. Imamov E. Z., Djalalov T. A., Muminov R. A., Rakhimov R. Kh. //The Difference Between The Contact Structure With Nanosize Inclusions From The Semiconductor Photodiodes// J. «Computational nanotechnology». №32016, p.p. 203-207, ISSN 2313

6. Т.А. Джалалов, Э.З. Имамов, Р.А. Муминов //Анализ возможных методов повышения эффективности гелио-энергетических устройств //Book of abstracts of the 9th International Scientific Conference «Modern achievements of physics and fundamental physical education» /October, 12-14, 2016, Kazakhstan, Almaty. p. 255-256

7. Muminov R.A., Imamov E.Z., Djalalov T.A., Tukfatullin O.F. // The innovation's specifics of solar cell with nanoscales contact structure// SYMPOSIUM PROCEEDINGS, IPS 2016. New Trends of Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects //10-11November 2016, Tashkent, Uzbekistan. P.299-301-223X. Moscva

8. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников // М. Наука. 1977.

9. Walter A. Harrison /Solid state theory / McGRAW-HILL BOOK COMPANY, NEW YORK-LONDON-TORONTO 1970.

10. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg // Quantum dot heterostructures: fabrication, properties, lasers. Review //PhTS 1998 32, 4, p.p. 385-410

11. I.M. Tsidilkovsky //Electrons and holes in semiconductors // Mos-cow.1972. «Science». p. 640

12. Темур Джалалов, Эркин Имамов //Принципы наногелиоэнерге-тики. Актуальные проблемы сочетания и развития двух технологий //LAP LAMBERT Academic Publishing. Monograph, www.omniscriptum.com, e-mail:info@omniscriptum.com Saarbrucken, Deutschland / 2016 / P.113, ISBN: 978-3-659-89808-2

13. A.I. Gusev //Nanomaterials, nanostructures, nanotechnology. Moscow. Fizmatlit. 2009

14. В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Основы наноэлек-троники // М. Логос. 2006

15. H. Haken // Synergetics // Springer, Berlin-Heidelberg, 1997.