Циклотронный авторезонанс в сильном статическом гравитационном поле Текст научной статьи по специальности «Физика»

Известия ТРТУ

УДК 538.3

И.И. Красюк, Б.Н. Погорелов

ЦИКЛОТРОННЫЙ АВТОРЕЗОНАНС В СИЛЬНОМ СТАТИЧЕСКОМ ГРАВИТАЦИОННОМ ПОЛЕ

Построенный в [1] одномерный гамильтонов формализм описывает движение заряженной частицы в электромагнитной волне, распространяющейся вдоль параллельных статических магнитного В и электрического Е полей; магнитное поле полагается однородным, а волна стационарной, причем в общем случае амплитуда волны и фазовая скорость -функции продольной координаты: А=А(г), у=у(г). В рамках этого фо-риализма простейшему варианту авторезонансного режима - режиму монотонного энергообмена частицы с волной при А=сопэ1, у=0, Е=0 соответствует движение частицы вдоль сепаратрисы, уравнение которой является следствием условий авторезонанса.

Представление об авторезонансном режиме как о движении частицы вдоль авторезонансной сепаратрисы позволяет установить существование этого эффекта в сильном статическом гравитационном поле с метрикой (z)=diag(a(z),-b(z)1-b(z)), где а,Ь>0. При выполнении соотношения (еВ/(тссо))2а/Ь+Ь=соп51 (е, т - заряд и масса частицы, га - частота волны, с - скорость света в вакууме) имеет место циклотронный авторезонанс, условие которого записывается в виде

{У'Г (1 - игТ / с) = , (1)

где частота волны га? и циклотронная частота Ох определяются по отношению к времени Т: с1Т=(а/Ь)сН:, I - мировое время, иит=с1г/с1Т.

Таким образом, циклотронный авторезонанс не является специфически евклидовым эффектом.

ЛИТЕРАТУРА

Давыдовский В.Я., Погорелое Е.Н., Филиппов Ю.С. Адиабатические инварианты заряженных частиц в полях некоторых симметрий Изв. вузов. Физика, 1990. № 1.

УДК 539.2:541.135.5

О.В. Колпачена

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ИНТЕРМЕТАЛЛИДОВ Си3Т1 и Си3Т1г

В кластерном приближении теории многократного рассеяния рассчитана электронная энергетическая структура интерметаллических соединений Сц3Т1 и Си3Т12, имеющих тетрагональные кристаллические структуры. Кристаллические потенциалы обоих соединений строились в ти{йп-1т приближении с использованием приближения локального функционала электронной плотности для обмена. Рассчитаны локальные парциальные и полные плотности электронных состояний (ПЭС) атомов Си и Т1. На рис. 1 и 2 приведены полные ПЭС соединений. Основной