Субмикронные комплементарные фототранзисторы со статической индукцией Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

Секция конструирования электронных систем

УДК 621.3.049.77.001.66

ЕЛ. Рындин

СУБМИКРОННЫЕ КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ФОТОТРАНЗИСТОРЫ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ

Одной из основных проблем, решаемых при создании субмикронных СБИС, является повышение быстродействия при снижении мощности и энергии переключения интегральных логических элементов (ЛЭ) [1]. Суб-микронные комплементарные транзисторы со статической индукцией (СИТ), имеющие трапециевидное сечение каналов, открывают новые возможности для решения данной проблемы на уровне ЛЭ [2]. Решение этой задачи на уровне кристаллов осложняется влиянием емкости соединений (суммарная

).

а б

Рис. Зонные диаграммы фото-СИТ: а - до облучения; б - при облучении

В данной работе предлагается заменить металлические межблочные соединения в СБИС, имеющие большую длину по сравнению с внутриблоч-ными, на оптические линии связи, что позволит в несколько раз сократить среднюю емкость соединений и, соответственно, энергию переключения ЛЭ. При этом одной из основных проблем является разработка сверхбыстродействующих фотоприемников амплитудно-модулированного лазерного .

Предлагается в качестве фотоприемников использовать оптоэлементы на основе двух фототранзисторов со статической индукцией. Первый СИТ под воздействием излучения открывается за счет снижения высоты потенциального барьера в канале [1]. Второй СИТ содержит фоточувствительную р-1-п-структуру и резонансно-туннельный диод в области истока (рис.). Его передаточная характеристика имеет участок с отрицательной фотопроводимостью за счет смещения зонной диаграммы под воздействием лазерного излучения (см. рис.).

, , -щийся низкой энергией переключения за счет использования комплементарных транзисторов и высоким быстродействием, характерным для СИТ. При этом оба комплементарных фототранзистора имеют каналы п-типа, что способствует уменьшению задержки переключения элементов вследствие более высокой подвижности электронов.

ЛИТЕРАТУРА

1. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов: Монография. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264с.

2. Рындин ЕЛ. Метод повышения характеристик СБИС на основе комплементарных ПТШ. // Известия ТРТУ. Специальный выпуск «Материалы Х1_У! научнотехнической конференции». Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2001. №1(19). С.93-95.

УДК 621.3.049.77.001.66

..

МЕТОД СИНТЕЗА VHDL ОПИСАНИЙ РЕКОНФИГУРИРУЕМЫХ СИСТЕМ

Необходимость развития методов проектирования реконфигурируемых микросистем обусловлена возрастающей потребностью, во-первых, в резервируемых системах (основанных, как известно, на перестроении конфи-), , - , , -циональность за счет реконфигурации [1, 2].

Предложен метод проектирования реконфигурируемых систем и алгоритм, реализующий модификацию УНйЬ-описаний для проектирования ре. -тируемых элементов на основе УНйЬ-описания.

( ),

обеспечивающие эффективный автоматизированный синтез УНРЬ-описаний реконфигурируемых систем:

1) -тов, не описанных явно в проекте;

2) ,

произвольную коммутацию элементов проекта.

Предложены подходы к решению задачи эффективного автоматизированного синтеза УНйЬ-описаний реконфигурируемых систем:

1) ( ) ,

реализующими необходимые описательные свойства;

2) ;

3) , -

вающих необходимые свойства;

4)

для разработки проектов.

Разработанный метод основывается на применении третьего и чет.

Сформулированы задачи метода автоматизированного проектирования реконфигурируемых систем:

1) ;

2) ;

3) ;

4) ;

5) ;

6) -

.

Для представления коммутируемых элементов проекта использован структурный уровень представления УНРЬ-описаний. Для создания конст-