Структура эпитаксиальных слоев узкозонных твердых растворов и компенсация дефектов Текст научной статьи по специальности «Физика»

Структура эпитаксиальных слоев узкозонных твердых растворов и

компенсация дефектов

1 2 2 3 1

А.В. Благин , Л.В. Благина , В.В. Кодин , Н.А. Нефедова , И.Г. Попова

1 Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону 2Институт технологий ДГТУ, г. Волгодонск

3Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени

М.И. Платова, г. Новочеркасск

Аннотация: Обсуждаются экспериментальные исследования структуры эпитаксиальных слоев элементной базы оптоэлектроники ближнего ИК диапазона. Описана технология получения твердых растворов на основе соединений А3В5 методом возвратно-поступательного движения жидкого включения в поле градиента температуры. Определены условия обогащения эпитаксиальных слоев компонентами с низкой растворимостью. Приведены результаты рентгеноструктурных исследований узкозонных твердых растворов, показаны пути формирования пленок с заданным распределением компонентов.

Ключевые слова: твердые растворы, перекристаллизация, градиентная жидкофазная эпитаксия, термомиграция, антимонид-висмутида индия, толщина расплава, градиент температуры, компоненты, координата роста, эпитаксиальные слои.

Введение

Многокомпонентные твердые растворы на основе узкозонных соединений А3В5 (InAs, GaSb, InSb) находят все более широкое и многофункциональное применение в оптоэлектронных устройствах ближней инфракрасной области спектра (1,5^16 мкм) [1-4]. Их получают различными эпитаксиальными методами (жидкофазные, газофазные, молекулярно-пучковые и др.). Для обеспечения роста слоев с заданными характеристиками необходима такая модификация технологической методики, которая обеспечивала бы одновременное управление и топологией слоев, и распределением компонентов в них. В настоящей работе предложен вариант модификации одного из методов жидкофазной эпитаксии - термомиграция жидких зон в поле градиента температуры со сменой знака последнего, при которой жидкая зона может последовательно двигаться в двух противоположных направлениях. Этот вариант получил название "градиентная жидкофазная эпитаксия" (ГЖЭ) [5,6]. Нами исследовалось

движение обогащенной висмутом зоны 1пБЬ в твердотельной матрице того же состава.

Исследования квазибинарных гетеросистем антимонида-висмутида индия были проведены еще в начале 1970-х годов Жаном Луисом и его коллегами [7]. Крайне низкая растворимость Ы явилась главным фактором, ограничившим эти работы. В 1990-х годах возникла новая волна интереса к этим материалам [8,9]. Особый интерес вызвал висмутид индия. Это соединение, в отличие от широко используемых других соединений А3В5 -таких, как ОаЛБ, 1пЛб, 1пБЬ и др., проявляет, как сурьма и висмут, полуметаллические свойства и его решетка имеет тетрагональную структуру. Растворение 1пЫ в антимониде индия привносит ряд новых тонких эффектов - термодинамических, кинетических, кристаллохимических, и, как следствие, дает возможность получения материалов с новыми приборными характеристиками. Настоящая статья содержит описание результатов исследования процессов роста твердых растворов 1п8Ь1-хБ1х в условиях ГЖЭ.

Метод ГЖЭ с возвратно-поступательным движением жидких зон

Кратко опишем сущность методики. "Сэндвич", образованный подложками 1пБЬ и тонким (50^200 мкм) слоем расплава 1п:8Ь;Б1 (с долей до 85 % последнего компонента) располагается в реакционной камере ГЖЭ, в которой композиция вначале нагревается до расчетного значения температуры роста, а затем создается градиент температуры и осуществляется последовательное расплавление и последующая перекристаллизация подложки (в этом и заключается миграция жидкой зоны). Процесс вплоть до момента вывода зоны на поверхность матрицы -симметричен: смена знака УТ (У'Т = -УТ) приводит лишь к тому, что подложка и источник обмениваются "ролями". Но при этом перекристаллизованная подложка будет сходной с источником только по

структуре, но не по составу. В [5] показано, что такая смена направления перекристаллизации может успешно применяться для управления составом слоев. Распределение компонентов по координате роста можно варьировать в довольно широких пределах. Оно, в свою очередь, обусловливает определенные значения характеристик твердых растворов - коэффициент термического расширения (КТР), энергию фундаментального перехода, наличие и тип р-п-перехода.

Несоответствие постоянных решетки подложки и кристаллизуемого слоя, расхождение по КТР, градиенты элементных содержаний становятся дефектообразующими факторами. Разумеется, изменение технологических условий приводит к изменению "ландшафта напряжений", возможной их релаксации, генерации дислокаций несоответствия, развитию или подавлению других дефектов.

Исследуем формирование профилей компонентов антимонида-висмутида индия, кристаллизуемых в поле переменного градиента температуры. Будем использовать стандартные допущения и предположения (о малости скорости кристаллизации и давлений паров компонентов и об отсутствии заметного диффузионного массопереноса на временах роста) - в [5] нами показано, что эти допущения оправданы.

В условиях ГЖЭ химический состав расплава и параметры теплового поля измeняютcя при движении зоны (поэтому метод относят к неконсервативным вариантам ЖФЭ) и коэффициенты сегрегации компонентов зависят от координаты роста:

Стартовое распределение интересующего нас компонента можно описать выражением [10]:

к = к(х).

(1)

(2)

где СО - исходное содержание, например, сурьмы в пластине-источнике;

С - таковое в подложке; С - содержание сурьмы в расплаве до смачивания им подложки; в - стартовая доля начального вещества подложки и источника в жидкой фазе перед порогом насыщения; у - отношение долей подложки и источника в растворе-расплаве.

Приняв площадь межфазной границы равной 1, объем композиции можно приравнять толщине расплава 1; изменение содержания составляющей расплава dCL при смещении поверхности затвердевания на величину ёх,

можно записать в виде уравнения неразрывности [5]:

dCL = CS • — - к(X) • CL (x> I(x)

1 + dl (x)

dx

dx (3)

l(x)

где CL (x)- содержание соответствующего компонента в жидкой зоне.

Поскольку коэффициент распределения к(x) = CSCL ,

где CS и CL - содержания компонента на межфазной границе, содержание в твердом растворе

CS(x) = k(x)• CL(x). (4)

Последнее уравнение отображает эффект вариации толщины расплава при его миграции. Это изменение может быть вызвано двумя факторами - 1) дрейф включения в горячую зону, и 2) разная скорость вхождения компонентов расплава в решетку. Первый фактор, как правило, не дает существенного вклада, так как значение VT не превышает 6 К/мм, и путь зоны не более 100 мкм, таким образом, изменение температуры - в пределах погрешности ее измерения (0,1^0,3 К). Второй фактор можно свести к минимуму, используя самые низкие значения температуры миграции. Таким

образом, примем, что l = const, или dlydx = 0.. Тогда (3) можно преобразовать к виду

^^ + Щс^х) = (5)

йх 11 11

Его решение, при стартовых условиях (2) дает распределение компонентов в пленке после одного прохода расплава (будем фиксировать это значком "I" (С^(х)).

После реверса градиента температуры зона мигрирует в противоположном направлении и начинается процесс эпитаксии на перекристаллизованной пластине, служившей источником компонентов в первой стадии. Уравнение концентраций можно представить в виде:

^+ккМсм=Щ (6)

Координата роста г связана с "встречной" координатой х соотношением

г = (к ± й0) - х, (7)

где - поперечный размер закристаллизованного слоя (если температуру уменьшали, Т11<Т1), или толщина слоя расплава, в случае Т11>Т1. Как показано в работе [11], размеры эти примерно одинаковы и задаются выражением

2й0 «АД,

где Ар - содержание добавочно расплавленной твердой фазы (или, напротив, добавленного твердого раствора).

Содержание вещества 2й0«Ар11, С(х) в твердом растворе, через который происходит миграция зоны в противоположном направлении, задается уравнениями

С5 (х) =

С5(к + 40 - г) при г > 40, Тц < Т1, С (к) при г = 4, (т.е. х = к), Тп < Т1, С/(к + 40 - г) при г < 40, Тп < Т1, С5 (к - 40 - г) при любом г, Тп > Т1.

(8)

Далее задача (8) решается с начальными условиями

С/

=Ав

.+(1 - 7)С/,

+ (1 -Ар) С7

(9)

Решение представляет собой распределение компонентов в слое.

Теоретический анализ конечных стадий растворения Ы в слоях антимонида индия требует учета изменения коэффициента сегрегации висмута кБ1 как примеси. Если изначально Ы не содержится в источнике, уравнения (2), (5) и (9) можно упростить:

С

'х =0

= (1 - в С,

с1С

1-,

^ + к1(х) СЬ =

4х

I

С = 0,

СЬ

"Ар? С7

, + (1 -АР) С7

(10)

(11)

(12)

Без изменений остается уравнение (6).

Исследуем изменение содержания висмутида индия в твердом растворе после 2-х перемещений зоны, поскольку далее все повторяется; конечные содержания компонентов после 1-го прохода зоны берутся в качестве начальных для (/+1)-го.

Уравнение (6) для второго цикла принимает вид:

4С*11 + квп(х)

4.2

к

С1

(1 -Рш)к' | О0в ехР

(' к -1

к ___

Л0 В1 ,

V

1 У

где

а1С0В + к0В1 ехр к/2) = к0 В11 + а11 [С0 В - СВ11 (

к

к-г

0 В1

1 У

(13)

(14)

ь

ь

Аналитическое решение этого уравнение возможно только в самых простых частных случаях, не представляющих существенного интереса. Нами был осуществлен вычислительный эксперимент в среде Borland+, использовался метод Рун^-Кутты с точностью 10-6. Из полученных данных следует, что если температуры Т1 и Т11 равны, кроме того, равны толщины 11 и 111, при изменении начальных содержаний компонентов, температуры и дистанции миграции расплава, содержание 1пВ1 и его градиент можно управляемо изменять в широком диапазоне. Градиент УХ В оказывается обратно пропорциональным толщине пленки 1.

Кроме того, эта величина возрастает при обогащении расплава чистым висмутом. Еще одним успешным технологическим приемом, как показало моделирование, является уменьшение объема расплава перед сменой знака УТ. При этом растет значение УХ8ш. Таким образом, изменяя параметры С^в, Т и 1, можно получить варизонные эпитаксиальные слои с заданной

геометрией и составом.

В экспериментах формировались композиции с толщиной расплава до 200 мкм; процесс перекристаллизации в каждом направлении осуществлялся в течении 15-25 мин; дистанция перемещения зоны составляла порядка нескольких процентов ее стартовой толшины и поперечный размер перекристаллизованных в двух и более циклах слоев составлял 5^15 мкм.

На рис. 1 показана нелинейная зависимость содержания висмута в расплаве от дистанции термомиграции. Здесь и на следующем рисунке видно, что растворимость В1 конечна и его содержание в твердом растворе лимитировано - не более 2%.

■В\ ?

ат.

% 60

45

Ы*

13

0 0.025 0.05 0.075 0.1 М

Рис. 1. - Содержание висмута в расплаве как функция дистанции перекристаллизации, кривые - результаты вычислений, значки при кривых ■ экспериментальные данные. Температура во всех случаях 677 К. 1 = 200 мкм (1), 80 мкм (2), 50 мкм (3)

С*% аг.%

1.5

1.125

0.75

0.375

0

# ... _1 V-

• ■ . 2 -

* ... 3

0

0.025 0,05 0.075 0.1 ЬЛ

Рис. 2. - Содержание висмута в твердой фазе в зависимости от дистанции перекристаллизации. Условия те же, что на рис.1.

"Ъ1Ш 5

0.028

мол.дол.

0.021

0.014

о.оо:

1 • •

2 » А.

■ 3 *

■ *4

0 0.05 0.1 0.15 0.2 тА

Рис. 3. - Вариации концентрации висмута после смены знака градиента температуры (миграция зоны во встречном направлении)

(1) 1= 200 мкм, Т = 703 К, Х% = 0,55;

(2) 1 = 80 мкм, Т = 703 К, Х% = 0,45;

(3) 1 = 50 мкм, Т = 703 К, Х% = 0,40;

(4) 1 = 50 мкм, Т = 677 К, Х% = 0,40. Значки при кривых - данные эксперимента

0.06 0.05 | 0.04

хл ^

О 0.03 0

2

*о ~ с

1

-У

9 О.95 0,1 Р.,15 г/1 0.2 0.15 0.1 0.05

0Г2 М 0

Рис. 4. - Вариации концентрации висмута после 2-х смен знака

градиента температуры, Т = 723 К: (1) - первый, (2) - второй встречный, (3) - третий пути перекристаллизации. Значки при кривых - данные эксперимента

Рентгеноструктурные исследования твердых растворов антимонида-висмутида индия

Измерения проводились на установке ДРОН-3М, излучение в линиях С^ с никелевым фильтром, и = 30 кВ, I = 30 мА, скорость ленты самописца 12 мм/мин.

Использовалась схема Брэгга-Брентано. Образец твердого раствора помещался в расходящемся пучке и вращался вместе со счетчиком вокруг оси гониометра, отношение скоростей 1:2. Пики соответствовали отражению п-го порядка от комплекса плоскостей ^к1) с межатомным расстоянием d, отношение его к номеру порядка d/n определяло угол 20. Данные измерений сопоставлялись с известными значениями d [12]. Параметры ячейки для антимонида индия известны, для идентификации структуры фазы 1пБЬ-1пБ1 эксперимент осуществлялся по следующей схеме: 1) определение 20 по рентгенограмме; 2) вычисление 20 для различных комбинаций ^к1); 3) сопоставление совпавших чисел.

Индексы плоскостей вычислялись по найденным значениям d, далее межплоскостные расстояния уточнялись и осуществлялись дальнейшие расчеты. В таблице 1 даны значения постоянной решетки и ^к1) для антимонида индия, в таблице 2 - для висмутида индия.

На рис. 5 (вставка) приведены дифрактограммы твердого раствора мбьвшпбь. Линии Б1 с 20 = 45,86° проявляются на позиции 9 (см. рис. 5). То есть, предельное содержание висмута - 0,045, что несколько превышает расчетные значения (см. предыдущий раздел).

Таблица 1 Постоянная решетки в направлении координаты, поперечной к пластине антимонида индия и индексы плоскостей Таблица 2 Постоянная решетки в направлении координаты, поперечной к слою квазисоединения висмутида индия и индексы плоскостей

N 2п0 эксп dэксп, А hkl I % dрасч.А

2п0 эксп. d А ^эксп 5 ГЛ- hkl I % d А ^расч- ГЛ- 1 22,468 3,954 0,03 4?9 3,952

1 23,771 3,74008 111 100 3,7401 2 23,794 3,73653 101 1,47 3,7365

2 27,516 3,23900 200 0,03 3,23902 3 27,165 3,28009 012 100,0 3,2801

3 39,307 2,29032 220 79,61 2,2903 4 37,955 2,3687 104 37,28 2,3688

4 46,455 1,95319 311 48,98 1,9532 5 39,619 2,273 110 39,29 2,270

6 44,554 2,0398 015 6,67 2,03982

5 48,651 1,87004 222 0,01 1,87

7 45,863 1,977 006 5,90 1,979

6 56,802 1,61950 400 13,25 1,61948 8 46,021 1,9706 113 4,64 1,971

7 62,439 1,48616 331 19,76 1,4862 9 46,740 1,94192 021 0,25 1,9419

8 64,252 1,44852 420 002 1,4485 10 48,700 1,86826 202 21,22 1,8683

9 71,258 1,32232 422 26,44 1,3223 11 56,027 1,64004 024 12,45 1,64

10 76,322 1,24669 511 10,89 1,2467 12 59,325 1,55651 107 5,27 1,5565

11 76,322 1,24669 333 3,63 1,2467 13 61,126 1,5149 205 2,68 1,515

12 84,545 1,14516 440 8,42 1,14512 14 62,181 1,4917 116 14,66 1,492

13 89,414 1,09498 513 15,03 1,09496 15 62,896 1,47646 211 0,21 1,4765

16 64,513 1,4433 122 18.74 1,4430

14 91,034 1,07967 600 000 1,07963

17 67,439 1,3876 018 4,08 1,3878

15 91,034 1.07967 442 001 1,07963 18 70,786 1,32998 214 12,69 1,32994

16 97,537 1,02426 620 13,23 1,02424 19 71,528 1,318 009 1,52 1,3179

20 71,885 1,31232 300 7,2 1,3123

21 73,711 1,28426 027 2,85 1,2843

22 75,333 1,26058 125 2,98 1,2606

23 76,408 1,24551 033 0,55 1,2455

24 76,408 1,24551 303 0,55 1,2455

25 81,143 1,18435 208 2,52 1,1844

26 85,000 1,14019 119 5,99 1,1402

Рис. 5. - Дифрактограммы (a) 1п8Ь, а=6,478А ,а = в = х = 90 °;( б) 1п8Ь0,995Б10,005, (в) 1п8Ь0,99Б10,01;

(г) 1пБЬ0,985Б10,015;(д) 1п8Ь0.98В^,02; (е) 1п8Ь0,975Б10,025; (ж) 1п8Ь0,97Б10,03; (з) 1п8Ь0,965Б10,035; (и) 1п8Ь0,96Б10,04; (к) Б1, а=Ь=4,546 А, с=11,862 А,

а = в = 90°, х = 1200. Данные (б)-(и) соответствуют прямой миграции расплава

(1=1.24686А 518Ь

45.873 45.448

Рис. 6. - Кривые дифракционного отражения слоя антимонида-висмутида индия (Х ш = 0,035), выращенного на однократном перемещении расплава

через пластину 1п8Ь

Зависимость межплоскостного расстояния от содержания висмута в твердой фазе отображена на рис. 7.

Рис. 7. - Постоянная решетки как функция состава твердой фазы По оси абсцисс - содержание Ы в 1п8Ъ1_хБ1х, мол. дол.

Вид кривых отражения свидетельствует о высоком структурном совершенстве эпитаксиальных пленок. Пики становятся более интенсивными - вплоть до 3-х циклов термомиграции. В дальнейшем вид кривых не изменялся, то есть, достаточно двух прямых и одного обратного процесса перекристаллизации для получения слоев требуемого качества.

Рис. 8. - Кривые дифракционного отражения гетеросистемы 1п8Ъ-1пБ1. Число актов термомиграции расплава - 1 (1), 2 (2), 3 (3)

Выводы

В работе показана возможность формирования в поле температурного градиента эпитаксиальных пленок узкозонного твердого раствора -антимонида-висмутида индия с управляемым по геометрии слоя составом. Факторами управления являются стартовый состав расплава, его топология, дистанция термомиграции, градиент температуры и количество циклов перемещения жидкой зоны. В частности, там, где это необходимо, можно получить однородный по координате роста слой при исходном варизонном распределении компонентов. В ходе многостадийного процесса оказываются возможными программируемые скачки концентраций и, в перспективе, получение мезоструктуры слоя (сверхрешетки с периодом 300 нм и менее).

Результаты рентгеноструктурного анализа выращенных образцов квазибинарного твердого раствора антимонида-висмутида индия показали возможность формирования пленок приборного качества. Определено предельное содержание Bi в структуре с допустимым уровнем дефектов (Х Bi = 0,035 мол. дол). Для системы InSbBi-InSb уточнено значение постоянной решетки по линиям, соответствующим углам 20 =76,310°, d =1,2469 А, ориентация (511) - а = 0,6479 нм.

Исследования выполнены в лаборатории физики полупроводников ЮРГПУ (НПИ) и лаборатории вычислительного эксперимента физического материаловедения ДГТУ.

Литература

1. Благин А.В., Благина Л.В., Нефедова Н.А. и др. Физические свойства светоизлучающих твердых растворов, изопериодных антимониду галлия. // Инженерный вестник Дона, 2017, № 4 URL: ivdon.ru/ru/magazine/arhive/n4y2017/4613.

2. Шутов С.В. Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1999. №5-6. С. 48-50.

3. Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В., Филатов Д.О., Морозов С.В. Влияние легирования слоя квантовых точек InAs на морфологию и фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs // Физика и техника полупроводников. 2001. №1 Т.35. С. 91-97.

4. Благин А.В., Гусев Д.А., Середин Б.М., Алфимова Д.Л. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1-xAsyP1-y/GaAs в процессе ионно-лучевого осаждения // Неорганические материалы. 2014. №3 Т.50. С. 237-243.

5. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур / Лунин Л.С., Благин А.В., Алфимова Д.Л., Попов А.И., Разумовский П.И., Ростов-на-Дону: СКНЦ ВШ, 2008. 212 с.

6. Благин А.В., Калинчук В.В., Лебедев В.И., Лунин Л.С. Физика кристаллизации и дефектов твердотельных структур на микро- и наноуровне. Ростов-на-Дону: ЮНЦ РАН, 2009. 288 с.

7. Jcan-Louis, A.M. and G. Duraffourg, 1973. Phys. St. Sol. V.59, p:

495.

8. Волошин А.Э., Вермке А. и др Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1991. №3 Т.27. С. 451-456.

9. Дейбук В.Г., Виклюк Я.И., Раренко И.М. Физика и техника полупроводников. 1999. №3 Т.33. С. 289 - 292.

10. Крыжановский В.П., Овчаренко А.Н., Юрьев В.А. Исследование эволюции формы межфазных границ при выращивании кристаллов методом ЗПГТ при наличии на межфазных границах структурных неоднородностей // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск: НПИ, 1985. С. 61-66.

11. Кристиан Дж. Теория превращений в металлах и сплавах. М.: Мир, 1978. 808 с.

12. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения А3В5. М.: Металлургия, 1984. 144 с.

13. Дудкина С.И., Шилкина Л. А., Андрюшина А.Н. и др. Влияние технологических режимов на свойства твердых растворов (1-х) PbZrO3 -xPbTiO3. // Инженерный вестник Дона, 2015, № 2 URL: ivdon.ru/ru/magazine/arhive/m2p2y2015/2971.

14. Попова И.Г., Ершов И.В., Илясов В.В. Электронная структура и магнитные свойства квазидвумерных систем MeO (Me = Mn, Fe, Co, Ni) в ферромагнитном упорядочении. // Инженерный вестник Дона, 2014, № 3 URL: ivdon.ru/ru/magazine/arhive/n3y2014/2519.

15. Zav'yalov, V.V., E.A. Zotova and E.Yu. Shamparov, 2008. A Two-Channel Two-Frequency Low-Temperature Photodetector at Wavelengths of 119 and 220 mm of an H2O Laser. Instruments and Experimental Techniques, 3(51): рр. 428-433.

References

1. Blagin A.V., Blagina L.V., Nefedova N.A. i dr. Inzenernyj vestnik Dona (Rus), 2017, № 4. URL: ivdon.ru/ru/magazine/arhive/n4y2017/4613.

2. Shutov S.V. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoy apparature. 1999. №5-6. рр. 48-50.

3. Zvonkov B.N., Karpovich I.A., Baydus' N.V., Filatov D.O., Morozov S.V. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 2001. №1 T.35. рр. 91-97.

4. Blagin A.V., Gusev D.A., Seredin B.M., Alfimova D.L. Neorganicheskie materialy. 2014. №3 T.50. рр. 237-243.

5. Fizika gradientnoy epitaksii mnogokomponentnykh poluprovodnikovykh geterostruktur [Physics of a gradient epitaxy of multicomponent semiconductor

heterostructures]. Lunin L.S., Blagin A.V., Alfimova D.L., Popov A.I., Razumovskiy P.I., Rostov-na-Donu, SKNTs VSh, 2008. 212 p.

6. Blagin A.V., Kalinchuk V.V., Lebedev V.I., Lunin L.S. Fizika kristallizatsii i defektov tverdotel'nykh struktur na mikro- i nanourovne [Physics of crystallization and defects of solid-state structures on micro and a nanolevel]. Rostov-na-Donu, YuNTs RAN, 2009. 288 p.

7. Jcan-Louis, A.M. and G. Duraffourg, 1973. Phys. St. Sol. V.59, 495 p.

8. Voloshin A.E., Vermke A. i dr Izv. RAN. Ser. Neorganicheskie materialy. 1991. №3 T.27. pp. 451-456.

9. Deybuk V.G., Viklyuk Ya.I., Rarenko I.M. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 1999. №3 T.33. pp. 289 - 292.

10. Kryzhanovskiy V.P., Ovcharenko A.N., Yur'ev V.A. Kristallizatsiya i svoystva kristallov [Crystallization and properties of crystals]. Novocherkassk, NPI, 1985. pp. 61-66.

11. Kristian Dzh. Teoriya prevrashcheniy v metallakh i splavakh [The theory of transformations in metals and alloys]. M. Mir, 1978. 808 p.

12. Strel'chenko S.S., Lebedev V.V. Soedineniya A3V5 [Combination A3B5]. M. Metallurgiya, 1984. 144 p.

13. Dudkina C.I., Shilkina L.A., Andryushina A.N. i dr. Inzenernyj vestnik Dona (Rus), 2015, № 2. URL: ivdon.ru/ru/magazine/arhive/m2p2y2015/2971.

14. Popova I.G., Ershov I.V., Ilyasov V.V. Inzenernyj vestnik Dona (Rus), 2014, № 3. URL: ivdon.ru/ru/magazine/arhive/n3y2014/2519.

15. Zav'yalov, V.V., E.A. Zotova and E.Yu. Shamparov, 2008. Instruments and Experimental Techniques, 3(51), pp. 428-433.