CC BY
2
%
SIS4Ü'
УДК 621.92
СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ШЛИФОВАНИЯ И ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН КАРБИДА КРЕМНИЯ
(ОБЗОР)
MODERN TECHNOLOGIES OF GRINDING AND POLISHING OF SILICON CARBIDE WAFERS (REVIEW)
© Кондратенко Владимир Степанович
Vladimir S. Kondratenko доктор технических наук, профессор, академик Европейской академии наук. Почётный работник науки и техники РФ, Почётный работник образования РФ, советник ректората, главный научный сотрудник, Российский техноло гический университет (г. Москва).
DSc (Technical), Professor, Academician of the European Academy of Sciences, Honorary worker of science and technology of the Russian Federation, Honorary worker of education of the Russian Federation, Advisor to the Rector's Office, Chief Researcher, Russian technological University (Moscow).
© Бирюков Григорий Михайлович
Grigory M. Biryukov магистр, инженер 1 категории, Российский технологический университет (г. Москва).
master, 1st category engineer, Russian technological University (Moscow).
Аннотация. В статье проведён анализ современных методов шлифования и полирования пластин монокристаллического карбида кремния ^Ю), применяемых в производстве полупроводниковых приборов. Рассмотрены ключевые проблемы обработки, включая хрупкость материала и низкую скорость удаления дефектов. Особое внимание уделено гибридным технологиям, сочетающим механические и химические методы. Приведены экспериментальные данные по оптимизации параметров шлифования и полирования, а также перспективы внедрения инновационных подходов.
Ключевые слова: карбид кремния, шлифование, химико-механическая полировка, гибридные методы, прецизионная обработка.
Abstract. The paper analyzes modern methods of grinding andpolishing of single-crystal silicon carbide (SiC) used in semiconductor wafer fabrication. Key processing problems, including ma terial brittleness and low defect removal rates, are discussed. Special attention is given to hybrid technologies combining mechanical and chemical methods. Experimental data on optimization of grinding and polishing parameters are presented, as well as prospects of innovative approaches implementation.
Key words: silicon carbide, grinding, chemical-mechanical polishing, hybrid methods, precision processing.
Введение
Карбид кремния (БЮ занимает уникальное место в современных высокотехнологичных отраслях благодаря своим исключительным физико-химическим свойствам. Высокая теплопроводность (120-270 Вт/(м-К)), широкий запрещённый энергетический диапа-
зон (2,2-3,3 эВ. 3,26 эВ для 4Н-5г'С), устойчивость к экстремальным температурам и радиации делают его незаменимым материалом для производства мощной электроники, СВЧ-устройств и радиационно-стойких компонентов. Особую актуальность БЮ приобретает в контексте монолитных интегральных схем для высокочастотных
■^mi
SISK^'
плат, где требования к геометрической точности и качеству поверхности пластин достигают нанометрового уровня [1]. Однако именно эти преимущества SiC - его исключительная твёрдость (9,5 по шкале Мооса) и хрупкость становятся основными препятствиями для массового внедрения материала в промышленность. Низкая эффективность обработки, риск образования субповерхностных дефектов (микротрещин, дислокаций) и высокая себестоимость процессов ограничивают производство крупноформатных пластин, что особенно критично в условиях растущего спроса на SiC-подложки для силовой электроники и электромобилей.
Современные исследования в области обработки SiC сосредоточены на двух ключевых аспектах:
1. Механизмы удаления материала и изучение формирования повреждений поверхности [2];
2. Прецизионные технологии - оптимизация классических методов (шлифования, полирования) и разработка гибридных подходов для минимизации как нарушенного, так и трещиноватого слоя.
Ключевые проблемы обработки
SiC:
1. Хрупкость материала. Использование крупнозернистых абразивов (>15 мкм) приводит к глубоким дефектам (20-30 мкм), что критично для пластин карбида кремния [1];
2. Ограничения полирования. Скорость классической химико-механической полировки (CMP) не превышает 0,1 мкм/ч при использовании традиционных суспензий, что удлиняет производственный цикл [3];
3. Геометрическая точность. Для СВЧ-пластин требуется высокая точность разброса толщины <2 мкм и шероховатость Ra <2 нм, что достигается только многоступенчатой обработкой [1].
В промышленности доминирует трёхэтапный процесс обработки SiC-пластин:
1. Двухстороннее шлифование для устранения макронеровностей;
2. Односторонняя финишная обработка алмазным инструментом;
3. Химико-механическая полировка для достижения шероховатости Ra <2 нм.
Каждый этап вносит вклад в итоговую себестоимость: низкая скорость полирования свободным абразивом увеличивает время цикла в разы по сравнению с алмазным шлифованием. В этом контексте прецизионное шлифование, предложенное в работе [4], демонстри-
рует потенциал для замены традиционных методов за счёт сочетания высокой скорости и минимального уровня повреждений для шлифования (Яа <100 нм).
Цель данного обзора - систематизировать последние достижения в области шлифования и полирования монокристаллического Б1С, уделяя особое внимание:
- сравнительному анализу механизмов удаления материала при использовании связанного и свободного абразива;
- влиянию параметров обработки (размер зерна, скорость, давление) на шероховатость и дефектность;
- перспективам внедрения ротационного шлифования в промышленность.
- перспективам гибридизации методов обработки пластин из карбида кремния.
Работа опирается на экспериментальные данные из ряда ключевых исследований, охватывающих как фундаментальные аспекты (моделирование повреждений), так и прикладные решения (оптимизация режимов шлифования).
Шлифование пластин SiC
Монокристаллы БЮ обладают чрезвычайной твёрдостью и хрупкостью в сочетании с химической инертностью, что значительно ограничивает их применение. Как правило, пластины БЮ подвергаются планарной обработке с помощью процессов притирки и полировки. Сначала БЮ-подложки притираются для достижения определённой параллельности и однородности, а затем полируются для удаления остаточных дефектных слоёв, образовавшихся в процессе шлифовки.
Метод шлифования свободным абразивом основан на применении алмазных паст или суспензий в сочетании с притирами (стекло, сталь). Как показано в работе [3] свободный абразив обеспечивает лучшую плоскостность и контроль дефектов. Ключевые данные из работы представлены ниже.
- Грубая обработка: 60/40 мкм (Яа= 0,91,6 мкм).
- Промежуточная: 40/28 мкм (Ла=0,4-0,6 мкм).
- Финишная: 28/20 мкм (Яа=0.54-0,58 мкм).
Время обработки:
- этап 1 (60/40 мкм): 4 ч.;
- этап 2 (40/28 мкм): 3 ч.;
- этап 3 (28/20 мкм): 3 ч.
Поэтапное уменьшение размера абразива (60/40 - 40/28 - 28/20 мкм) позволило снизить шероховатость с 1,6 до 0,54 мкм, а глубина дефектного слоя сократилась на 90%. Однако полный цикл занял 10 часов, что ограничивает производительность.
Шлифование приборных пластин карбида кремния в работе [1] осуществлялось суспензиями на основе карбида бора В4 С с добавлением этиленгликоля для обеспечения необходимой взвеси абразива. Оставшуюся часть объёма су-
спензии составляла деионизованная вода (10% B4 C + 10% этиленгликоль + 80% деионизованная вода). Применялась чугунная шлифовальная плита, скорость вращения плиты на всех этапах 70 об/мин. Постепенное уменьшение размера зерна абразива связано с уменьшением нарушенного слоя, который для таких твёрдых материалов, как карбид кремния, составляет величину, приблизительно равную размеру зерна абразива. Утонение пластины производилось 3,5 часа 15-микронной суспензией карбида бора при давлении на пластину в 100 г/см2.
Шлифование связанным абразивом. В последние годы технологии сверхточного шлифования широко применяются в процессах уплощения и утонения твёрдых и хрупких полупроводниковых пластин, демонстрируя значительный потенциал в обработке монокристаллов SiC. В работе [4] рассматривается текущее состояние исследований шлифовки-полировки и технологий обработки монокристаллов SiC. Шлифование монокристалла SiC обычно включает два этапа: двухстороннее шлифование и одностороннюю шлифование. При двухсторонней шлифовке достигается необходимая параллельность и равномерность, а односторонняя шлифовка позволяет уменьшить дефекты поверхности, оставшиеся после двухсторонней шлифовки, тем самым повышая эффективность химико-механического полирования (CMP).
sis-l^'
Для изучения влияния двухстороннего шлифования на слой поверхностных повреждений ЙС-подложек используется модель Хилла [5], которая позволяет соотнести глубину микротрещины и глубину царапины при двустороннем шлифовании пластин БЮ.
Обработка связанным абразивом предполагает использование алмазных кругов с фиксированными зёрнами. Согласно исследованиям [4], данный метод обеспечивает высокую скорость съёма материала, но сопровождается значительным риском образования субповерхностных дефектов.
Шлифование связанным абразивом в работе [6] проводят на шлифовальных кругах, которые представляют собой металлические диски с нанесённым на их поверхность алмазным слоем толщиной в несколько миллиметров (рис. 1). Круги различаются по зернистости и содержанию алмаза. Более крупный размер зерна обеспечивает большие скорости удаления материала, но и большие нарушения поверхности и приповерхностного слоя (большая глубина нарушенного слоя). Вследствие этого шлифование проводят в 2 или даже 3 этапа, последовательно уменьшая размер зерна алмазного абразива от 100-80 до 10-3 мкм. Далее представлена таблица зависимости трещиноватого и рельефного слоя от размера абразивного зерна из данной работы (таблица 1).
Зависимости рельефного и трещиноватого слоя от размера зерна абразива
Таблица 1
Размер зерна абразива, мкм Глубина рельефного слоя, нм Глубина трещиноватого слоя, мкм
15 100 1-3
12 50 1
8 10 0.2-0.3
4 < 1 0:1
При шлифовании алмазным кругом с зерном 15 мкм наблюдается значительная глубина трещиноватого слоя (1-3 мкм), что требует последующей многоступенчатой полировки. Уменьшение размера зерна до 4 мкм снижает дефектность до 0.1 мкм, но увеличивает время обработки на 40%.
В современных работах иностранных коллег разработана новая жёсткая притирочная площадка с сотовой структурой, как показано на рисунке ниже. Сотовая структура заполнена алмазным абразивом в мягком геле, выполняющим функцию полуфиксированного шлифования [7]. С помощью нового шлифовального круга были проведены эксперименты по двусторонней шлифовке двух типов кристаллов SiC. Шлифованные пластины имели шероховатость поверхности в диапазоне от 75 до 125 нм.
В обозреваемой работе [8] проведены сравнительные эксперименты между шли-
фованием с использованием ультразвуковой вибрации и обычным шлифованием на монокристалле БЮ. Результаты показали, что добавление ультразвуковой вибрации увеличило MRR (скорость удаления материала), но также привело к ухудшению шероховатости поверхности. Из рассмотренной литературы ясно, что повреждения поверхности и шероховатость 5г'С-пластин после двухсторонней притирки всё ещё превышают 0,1 мкм, что не соответствует стандартам применения в полупроводниковой промышленности. Поэтому последующие этапы, включающие одностороннее шлифование и полировку, необходимы для дальнейшего уменьшения повреждений.
Одностороннее шлифование используется для минимизации остаточных дефектов от двухсторонней притирки, тем самым повышая эффективность химико-механической обработки. Таким образом, одностороннее
А л Л<
шлифование играет решающую роль в процессе уплощения. В работе [8] использовали grey relational analysis (GRA). Основная идея GRA - оценивать близость между последовательностями в зависимости от геометрической формы их кривых. Чем больше похожи кривые, тем ближе взаимосвязь между последовательностями, и наоборот. Данный подход для изучения дефектов
поверхности и оптимизации ультразвукового шлифования, предложил оптимизацию параметров шлифования для максимизации MRR и минимизации шероховатости поверхности. Несмотря на вышесказанное, MRR при текущей шлифовке монокристаллических SiC-пластин низкий, и всё ещё остаётся значительный слой повреждений, который требует последующей полировки для их удаления.
РРГГ liippinjr pl.llc
l-apping flats lj;anüi wlüstl
UKKiC nnjl Sffär CiS Iipfii: £ К tl
I
аЗЗОп-.т
V
3
• •• tte
• Ät üit
etii •■0 :•*• SS! BS} Itz
w I I Щ1
Ксчп Juji kL>tun:lj rlnumii;
Рис 1. Шлифовальный круг с сотовой структурой
Въюоды из исследований
1. Связанный абразив предпочтителен для черновой обработки из-за высокой скорости, но требует последующей полировки для устранения дефектов [9].
2. Свободный абразив обеспечивает превосходное качество поверхности и минимальный дефектный слой, но требует значительных временных затрат [1, 3].
3. Гибридные подходы (например, начальная обработка связанным абразивом + финишная свободным) позволяют сократить время цикла на 30% без потери качества [1, 4].
Полирование пластин карбида кремния
После шлифования на пластинах SiC остаётся рельефный слой, требующий последующей полировки для получения практически свободных от повреждений пластин SiC. Химико-механическая полировка (CMP) широко используется при изготовлении полупроводниковых пластин для получения плоских поверхностей, с требуемыми характеристиками
шероховатости поверхности. Она предполагает использование полировальной суспензии, которая химически взаимодействует с материалом, облегчая удаление материала и повышая качество поверхности.
1. Химико-механическая полировка (CMP)
CMP является стандартным методом финишной обработки SiC, сочетающим механическое удаление материала и химическое окисление поверхности. Ниже представлены ключевые данные и составы суспензий.
Базовый вариант: Коллоидный диоксид кремния (SiO2) с размером зерна 0,090,07 мкм [9].
- Скорость съёма: <0.1 мкм/ч при pH 10-11.
- Шероховатость: Ra = 0,47-0,56 нм.
С добавлением наноалмаза: Алмазный порошок (0.1 мкм) + SiO2.
- Скорость съёма: 0,9 мкм/ч (в 6 раз выше базового варианта).
- Шероховатость: Ra = 0,52-0,59 нм.
С окислителем (NaClO): Гипохлорит натрия + SiO2.
- Скорость съёма: 0,2-0,92 мкм/ч в зависимости от температуры и pH.
- Глубина дефектного слоя: <10 нм.
Введение наноразмерного алмаза (0,1 мкм) в коллоидную суспензию SiO2 позволило увеличить скорость полировки до 0,9 мкм/ч при сохранении шероховатости Ra < 0,6 нм. Однако глубина дефектного слоя возрастает до 20 нм, что требует оптимизации давления на полировальник.
2. Гибридные методы полирования
Для ускорения процесса применяются комбинированные суспензии, сочетающие химические и механические компоненты. Пример состава суспензии из работы [i] представлен ниже.
Суспензия SF1 (аморфный SiO2) + алмазный порошок АСМ 1/0 (1 мкм). Данная суспензия обеспечивает следующие параметры: Скорость съёма 3,5 мкм/ч (в 2,3 раза выше, чем с чистой SF1). Главной особенностью является, что SiO2 связывает алмазные частицы, предотвращая царапины. Добавление алмазного порошка (1 мкм) в суспензию SF1 сократило время полировки на 40%, обеспечив шероховатость Ra=2,04 нм. Это критично для пластин с готовыми СвЧ-схемами, где исключено двустороннее полирование, однако для крупносерийного производства требуется дальнейшая оптимизация нагрузки на пластину.
В работе [10] исследовали процесс CMP поверхности (0001) 4H- и 6H-SÏC с использованием коллоидной полировочной суспензии SiO2. Результаты экспериментов показали, что абразивы SiO2 большого размера достигли высокого MRR, но плохого качества поверхности, в то время как абразивы SiO2 малого размера имели меньшую эффективность обработки, но лучшее качество поверхности. Также было предложено включить наночастицы катализатора в суспензию CMP для обработки пластин 4H-S1C на Si-поверхности, чтобы повысить MRR и добиться высокогладких поверхностей без использования абразивных материалов. Результаты показали, что этот катализатор может вызывать реакции окисления SiC, активируя OH-гидроксильных радикалов, образующихся из пероксида водорода, обеспечивая эффективное удаление материала [11]. Измерения поверхности показали наличие ступенчатых структур на атомном уровне и шероховатость поверхности Ra=0,05 нм по всей пластине SiC.
Янг [12] представил бесшламовую электрохимическую механическую полировку (ECMP) для нарезанных пластин. Эта инновация оптимизирует анодное окисление и полировку по отдельности, что потенциально повышает эффективность. Благодаря отсутствию суспензий и сильных химикатов она обеспечивает экологически безопасную полировку SiC. Метод использует керамический абразив из оксида церия в растворе хлорида натрия при 10 мА/см2 в течение 2 часов для получения зеркальных поверхностей без царапин, уменьшая шероховатость с 286 нм до 1,352 нм. Оксид церия оказался оптимальным для ECMP 4H-SiC, обеспечивая гладкость на высоком уровне и высокий MRR
SISi®'
23 мкм/ч, с минимальным количеством остаточного оксида. ECMP эффективно обеспечивает ровные поверхности 4H-SiC без повреждений, что подтверждается спектроскопией, и демонстрирует превосходное качество по сравнению с традиционными методами. Эти результаты подчёркивают, что ECMP без суспензии повышает MRR, снижает затраты и упрощает производство SiC.
Заключение
Обработка монокристаллического SiC находится на стыке фундаментальной науки и высоких технологий. Несмотря на прогресс в гибридных методах полирования и ротационном шлифовании, ключевые проблемы -неэффективность многоступенчатых процессов и отсутствие специализированного оборудования требуют всестороннего подхода. Интеграция международного опыта, такого как разработка структурированных притиров и оптимизация комбинированных методов, с отечественными наработками в области обработки СВЧ-пластин позволит занять лидирующие позиции в производстве SiC-подложек для третьего поколения полупроводников. Обработка монокристаллического карбида кремния остаётся сложной задачей, однако современные методы демонстрируют значительный прогресс:
1. Шлифование:
- Свободный абразив обеспечивает минимальную дефектность (глубина <0,05 мкм), но требует много времени (10-14 ч).
- Связанный абразив подходит для черновой обработки с высокой скоростью (2050 мкм/ч), однако оставляет глубокие дефекты.
2. Полирование:
- Гибридные суспензии (наноалмаз + Si02) сокращают время CMP в 2-6 раз, сохраняя R <0,6 нм.
a '
- Прецизионное гибридное полирование перспективно для полупроводниковых пластин, но требует доработки для получения высокого MRR и наноразмерной шероховатости.
В рамках собственных разработок авторами статьи был создан связанный алмазный инструмент с поэтапным переходом по фракциям от 100/80 мкм до 5/3 мкм, обеспечивающий стабильный съём материала с высоким MRR и отличное качество поверхности (Ra<5 нм) [13]. Данный инструмент позволяет минимизировать этапы обработки за счёт оптимизированной градации зерна в переходах, что сокращает время цикла обработки пластины в разы по сравнению с традиционными методами. Перспективы работы напрямую связаны с внедрением инструмента в промышленные линии для обработки пластин из SiC, что критично для снижения себестоимости полупроводниковых компонентов нового поколения.
Материалы поступили в редакцию 03.04.2025 г.
Библиографический список (References)
1. Трофимов, А. А. Режимы шлифования и полирования пластин из сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ монолитные интегральные схемы // А. А. Трофимов. - Текст : непосредственный // Материаловедение. - 2017. - №3. - С. 89-95. ISSN 1684-579X.
2. Liu, Y., Li, B., Kong, L. Моделирование молекулярной динамики поведения наноразмерного удаления материала из карбида кремния. Ceram Int 2018; 44:11910-11913.
3. Алехин, С. С. Технологическое обеспечение качества и ограничения трещинообразования при абразивной обработке алмазными пастами тонких пластин из карбида кремния : дис. кандидат. - Брянск, 2023.
4. Wang, H., Kang, R., Dong, Z., Gao,S.
Ultraprecision machining for single crystal silicon carbide wafers: State of the art and prospectives. Journal of Advanced Manufacturing Science and Technology. 2025. Vol. 5, No. 2. P. 9-11.
5. Zhou, H., Xu, X., Gao, X., et al. Research on the distribution of subsurface damage layer on SiC substrate after doubleside lapping. J Adv. Manuf. System 2015; 14: 1-10.
6. Qiour, W., Skawronski, M., Augustine, R. C., Glass, M.
Characterisation of polishing - Related Surface Damage in (0001) Silicon Carbide Substrate. Jour. Electrochem. Soc., 1995, vol. 142, no. 12, р. 4290-4293.
7. Yu, YQ., Hu, ZW., Wang, WS., et al. The double side lapping of SiC wafers with semi fixed abrasives and resin-combined plates. Int J Adv. Manuf. Technol 2020; 108: 997-1006.
8. Hu, Y., Shi, D, Hu, Y., et al.
Experimental investigation on the ultrasonically assisted single-sided lapping of monocrystalline SiC substrate. J Manuf Process 2019; 44: 299-308.
9. Ивенин, И. И. Обработка пластин монокристаллического карбида кремния / И. И. Ивенин. - Текст : непосредственный // Электротехника. - 2015. - Т. 15. - №4. - С. 37-48. - ISSN 0013-5860.
10. Shi, X., Pan, G., Zhou, Y., et al. Characterization of colloidal silica abrasives with different sizes and their chemical-mechanical polishing performance on 4H-SiC (0001). Appl Surf Sci 2014; 307:
414-427.
11. Zhou Y, Pan G, Shi X, et al. Chemical mechanical planarization (CMP) of on-axis
1. Trofimov, A. A. (2017). Rezhimy shlifovanija i polirovanija plastin iz sapfira i karbida kremnija, soderzhashhih SVCh monolitnye integral'nye shemy [Grinding and polishing modes of sapphire and silicon carbide plates containing microwave monolithic integrated circuits]. Materialovedenie. No.3. P. 89-95. ISSN 1684-579X.
2. Liu, Y., Li, B., Kong, L. (2018). Modelirovanie molekuljarnoj dinamiki povedenija nanorazmernogo udalenija materiala iz karbida kremnija [Modeling of the molecular dynamics of the behavior of nanoscale removal of material from silicon carbide]. Ceram Int; 44:11910-11913.
3. Alehin, S. S. (2023). Tehnologicheskoe obespechenie kachestva i ogranichenija treshhinoobrazovanija pri abrazivnoj obrabotke almaznymi pastami tonkih plastin iz karbida kremnija : dis. kandidat [Technological quality assurance and limitations of cracking during abrasive processing of thin silicon carbide plates with diamond pastes. dissertation]. Bryansk.
4. Wang, H., Kang, R., Dong, Z., Gao, S. (2025). Ultraprecision machining for single crystal silicon carbide wafers: State of the art and prospectives. Journal of Advanced Manufacturing Science and Technology. Vol. 5, No. 2. P. 9-11.
5. Zhou, H., Xu, X., Gao, X., et al. (2015). esearch on the distribution of subsurface damage layer on SiC substrate after double-side lapping. JAdv. Manuf. System 2015; 14: 1-10.
6. Qiour, W., Skawronski, M., Augustine, R. C., Gass, M. (1995). Characterisation of polishing -Related Surface Damage in (0001) Silicon Carbide Substrate. Jour. Electrochem. Soc. Vol. 142, no. 12, r. 4290-4293.
7. Yu, YQ., Hu, ZW., Wang, WS., et al. (2020). The double side lapping of SiC wafers with semi fixed abrasives and resin-combined plates. Int J Adv. Manuf. Technol; 108: 997-1006.
8. Hu, Y., Shi, D, Hu, Y., et al. (2019). Experimental investigation on the ultrasonically assisted single-sided lapping of monocrystalline SiC substrate. J Manuf Process; 44: 299-308.
9. Ivenin, I. I. (2015). Obrabotka plastin monokristallicheskogo karbida kremnija [Processing of plates of monocrystalline silicon carbide]. Jelektrotehnika. V. 15. No.4. P. 37-48. ISSN 0013-5860.
10. Shi, X., Pan, G., Zhou, Y., et al. (2014). Characterization of colloidal silica abrasives with different sizes and their chemical-mechanical polishing performance on 4H-SiC (0001). Appl Surf Sci; 307: 414-427.
11. Zhou Y, Pan G, Shi X, et al. (2014). Chemical mechanical planarization (CMP) of on-axis Si-face
Si-face SiC wafer using catalyst nanoparticles in slurry. Surf Coat Technol 2014; 251: 48-55.
12. Yang X, Yang X, Kawai K, et al. Highly efficient planarization of sliced 4H-SiC (0001) wafer by slurry less electrochemical mechanical polishing. Int J Machine Tool Manuf 2019^44: 103431.
13. Кондратенко, В. С. Разработка связанного алмазного инструмента для обработки карбида кремния / В. С. Кондратенко, Г. М. Бирюков, И. И. Бородынкин, А. П. Семёнов, А. Д. Тамбовский. - Текст : непосредственный // матер. междунар. научно-техн. конф. (МНТК ОПТОТЕХ-2024). Москва, 2-8 декабря 2024 г.). - М. : РТУ МИРЭА, 2024. - С. 158-163.
sis-l^'
SiC wafer using catalyst nanoparticles in slurry. Surf Coat Technol; 251: 48-55.
12. Yang X, Yang X, Kawai K, et al. (2019). Highly efficient planarization of sliced 4H-SiC (0001) wafer by slurry less electrochemical mechanical polishing. Int J Machine Tool Manuf;144: 103431.
13. Kondratenko, V. S., Birjukov, G. M., Borodynkin, I. I., Semjonov, A. P., Tambovskij, A. D. (2024). Razrabotka svjazannogo almaznogo instrumenta dlja obrabotki karbida kremnija [Development of a bonded diamond tool for processing silicon carbide]. Mater. mezhdunar. nauchno-tehn. konf. (MNTK OPTOTEH-2024). Moskva, 2-8 dekabrja 2024 g.). M. : RTUMIRJeA. P. 158-163.
