Научная статья на тему 'Радиационный рост гафния'

Радиационный рост гафния Текст научной статьи по специальности «Технологии материалов»

CC BY
336
54
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
ГАФНИЙ / РАДИАЦИОННЫЙ РОСТ / РЕАКТОРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ / HAFNIUM / RADIATION GROWTH / REACTOR STUDY

Аннотация научной статьи по технологиям материалов, автор научной работы — Кадочкин Алексей Сергеевич, Муралева Елена Михайловна

В данной работе представлены результаты исследования радиационного роста гафния после облучения в реакторах СМ-2, СМ-3 и БОР-60. Исследована зависимость линейного и объёмного радиационного роста гафниевых образцов от флюенса нейтронов и температуры облучения.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по технологиям материалов , автор научной работы — Кадочкин Алексей Сергеевич, Муралева Елена Михайловна

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

RADIATION GROWTH OF HAFNIUM

This paper presents the results of a study of radiation growth of hafnium after irradiation in the SM-2, SM-3, and the BOR-60 reactors. The dependence of the linear and volume radiation growth of hafnium samples on neutron fluence and irradiation temperature is determined.

Текст научной работы на тему «Радиационный рост гафния»

УДК 621.039

РАДИАЦИОННЫЙ РОСТ ГАФНИЯ

© 2012 А.С. Кадочкин1, Е.М. Муралева1-2

1 Ульяновский государственный университет 2 ОАО «ГНЦ НИИАР», Димитровград

Поступила в редакцию 20.11.2012

В данной работе представлены результаты исследования радиационного роста гафния после облучения в реакторах СМ-2, СМ-3 и БОР-60. Исследована зависимость линейного и объёмного радиационного роста гафниевых образцов от флюенса нейтронов и температуры облучения. Ключевые слова: гафний, радиационный рост, реакторные исследования.

ВВЕДЕНИЕ

Способность изделий сохранять целостность, форму, геометрические размеры в процессе реакторного облучения - важнейший критерий их радиационной стойкости. Для материалов с ГПУ-решеткой, к которым относится и гафний, основное формоизменение связано с радиационным ростом.

Под радиационным ростом понимают изменение размеров, формы изделий без изменения объема в отсутствие приложенного напряжения при облучении энергетическими частицами. Он связан с кристаллографической и микроструктурной анизотропией материалов. Для поликристаллических структур с зернами, близкими к равноосным, деформация радиационного роста

в направлении ~d определяется из выражения:

^ = SGdF", (1)

где S - структурный коэффициент, зависящий от особенностей микроструктуры материала и температуры облучения; F- флюенс нейтронов; n -показатель степени; Gd - текстурный фактор (индекс) роста, связанный с текстурным коэффициентом f соотношением Gd=1-3 f. (f определяется рентгеноструктурными методами).

Радиационный рост обусловлен асимметричным взаимодействием генерируемых облучением вакансий и междоузлий (с определенным фактором предпочтения) с анизотропно распределенными различного рода стоками в виде дислокаций, границ зерен, дислокационных петель, кластеров, в результате чего происходит перераспределение атомов материала. Одновременно междоузлия и вакансии участвуют в фор-

Кадочкин Алексей Сергеевич, кандидатфизико-математи-ческих наук, доцент кафедры радиофизики и электроники. E-mail: [email protected]

Муралева Елена Михайловна, кандидат технических наук, научный сотрудник. E-mail: [email protected]

мировании и эволюции структуры радиационных дефектов, являющихся в свою очередь соответствующими стоками для точечных дефектов.

Следует отметить, что в настоящее время не существует количественной модели радиационного формоизменения, которая бы адекватно учитывала структурные изменения, происходящие в гафнии под действием реакторного облучения. Можно лишь проследить некоторые особенности и закономерности поведения исследованных материалов. При этом важным является изготовление материалов одинакового состава по единой технологической схеме, т.к. коэффициент £ в формуле (1) является решающим фактором, влияющим на ход радиационного формоизменения, и его значительное изменение связано, главным образом, с легированием, термообработкой и деформационной схемой производства. Именно исходная структура и температура реакторного облучения в основном обуславливают характер радиационной повреждаемости и эволюции радиационных дефектов.

РЕАКТОРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ГАФНИЕВЫХ ОБРАЗЦОВ

1. Облучение в реакторах СМ

Нами исследовались прутки из гафния марки ГФЭ-1 диаметром 9,6 мм и высотой 50 мм, изготовленные по различным технологиям. Все образцы имели равноосные зерна размером 14-20 мкм.

Микротвердость образцов из трех первых партий составила 2200-2400 МПа, у последней - 2100-2200 МПа. Рентгеноструктурными исследованиями были построены обратные полюсные фигуры. Был рассчитан текстурный коэффициент / (см. табл. 1), характеризующий эффективную долю базисных плоскостей в осевом направлении образцов. В зависимости от технологии изготовления текстурный коэффициент изменяется от 0,117 до 0,33.

Таблица 1. Основные характеристики образцов из гафния марки ГФЭ-1 для исследования радиационного роста

№ п/п Схема деформации Температура отжига, К Размер зерна, мкм Микротвердость, МПа Текстурный коэффициент

1 Ковка 1073 20 2200-2400 0,19

2 Обжатие и ковка 1076 16 2200-2400 0,33

3 Двойное горячее прессование 1423 14 2200-2400 0,02

4 Горячая экструзия 1123 14 2100-2200 0,17

0,8

Рис. 1. Изменение длины образцов после облучения в реакторе СМ-2: 1,2,3,4 - партии образцов

Образцы облучались в реакторе СМ-2 до максимального флюенса быстрых нейтронов 7,8-1021 см-2 (Е>0,1 МэВ) при температуре на поверхности образцов 593-603 К, в центре - 643-668 К. Исследования облучённых образцов проводили с извлечением из реактора через 53, 160, 191, 237 и 347 эфф. суток. Таким образом, на одних и те же образцах были получены экспериментальные данные по изменению длины и диаметра образцов (рис. 1). Следует отметить имеющийся разброс в полученных результатах. С учетом этого разброса и ошибки измерений не всегда возможно корректно выявить преимущества той или иной технологии изготовления образцов гафния. Во всех случаях увеличение длины не превышало 0,38%. Наблюдается тенденция к уменьшению скорости радиационного роста при увеличении времени облучения и флюенса нейтронов.

Кривые плавно переходят на плато без стадии перелома и резкого увеличения скорости радиационного роста. Диаметры образцов гафния при этом практически не изменились, хотя следовало бы ожидать их уменьшения на величину до ~ 0,1%. Это связывается как с ошибкой измерений, так и образованием оксидной пленки на поверхности образцов.

Электронно-микроскопические исследования также не выявили принципиальных различий в дислокационных структурах у облученных образцов гафния, изготовленных по четырем различным технологиям. Плотность дислокационных петель с-типа у них находится на уровне ~3-1013 м-2, размер до 115 нм.

В реакторе СМ-3 облучались трубки из гафния марки ГФИ-1. Они имели диаметр от 8,2 до

13,5 мм, толщину стенки 2,0 мм и высоту 50 мм. Максимальный флюенс быстрых нейтронов составил 2,4-1022 см-2, температура облучения 583ё603 К. После облучения измеряли высоту и диаметры образцов, по полученным результатам определяли деформацию радиационного роста (рис. 2). Увеличение длины образцов гафния происходит в две стадии:

1) - сравнительно интенсивного роста до флюенса быстрых нейтронов (5ё7)-1022 см-2 (Е>0,1 МэВ);

2) - стадию насыщения при более высоких флюенсах быстрых нейтронов.

Полученные результаты радиационного роста прутков гафния после облучения в исследовательском реакторе СМ-2 хорошо коррелируют между собой, несмотря на различия в технологических схемах получения металла и

0,45

Флюенс нейтронов, 102г см г (Е>0,1 МэВ)

Рис. 2. Деформация роста образцов гафния марки ГФИ-1 в зависимости от флюенса быстрых нейтронов(реактор СМ-2) [1]

F0 i

t4^ • • * о

• •

100 200 300

Флюенс нейтронов, 1022 см-2

400

=° 1

Ü О

1-1 §

CD-2

К

э.

s 1 к

-4

-5

Fo,i

* ■

А

V

100 200 300

Флюенс нейтронов, 1022 см-2

400

Рис. 3. Зависимость изменения диаметров макетов ПЭЛа от флюенса нейтронов^01) по высоте активной зоны реактора БОР-60 ( О - труба Ш ,0 9,6 мм; ф - пруток Ш 0 8,2 мм): а - облучение в течение одной микрокампании; б - облучение в течение четырех микрокампаний

изготовлении изделий. По-видимому, следует ожидать существенных различий в радиационном росте при более высоких повреждающих дозах. Если проводить аналогию с цирконием, как структурным и химическим аналогом гафния, должен появиться и перелом кривой, связанный с резким возрастанием скорости радиационного роста (рис. 3).

2. Облучение в реакторе БОР-60

Обнаружено сильное влияние температуры облучения в совокупности с более жестким потоком нейтронов на радиационный рост гафния при облучении в ядерном реакторе на быстрых нейтронах БОР-60. Облучали прутки диаметром 8,2 мм и трубы диаметром 9,6г2,0 мм длиной около 100 мм из гафния марки ГФЭ-1 [2].

Облучение проводили в среде натрия, температура которого составляла 603-613 К на входе в активную зону и 630-640 К на выходе из зоны (в реакторе СМ-2 температура теплоносителя не превышала 560-570 К). Расчетная температура образцов гафния варьировалась в пределах 630ё670 К. Максимальная плотность потока быстрых нейтронов составляла (0,9ё1,0)-1015 см-2-с-1(Е>0,1 МэВ), максимальный флюенс быстрых нейтронов - 3,4-1022 см-2 (Е>0,1 МэВ). Одновременно облучали две одинаковые сборки. Первую сборку выгрузили после одной микрокампании, вторую - четырех.

После реакторного облучения наблюдалось анизотропное изменение размеров образцов гафния 3. При достижении флюенса быстрых нейтронов 1,1-1022 см-2 (Е>0,1 МэВ) длина прутков увеличилась на (0,6±0,1) %, а диаметры уменьшились, соответственно, на 0,7% и 1,1%. При достижении флюенса 3,4-1022 см-2 (Е>0,1 МэВ) диа-

метры прутка и трубы уменьшились на 2,4% и 3,1%. Измерить длину этих образцов не удалось из-за их искривления. Искривление произошло вследствие отсутствия достаточного аксиального зазора в облучательном устройстве. Прогиб составлял около 3 мм. С учетом прогиба и исходного аксиального зазора, максимальное увеличение длины макетов было оценено величиной не менее 3%.

Таким образом, в данной работе представлены результаты исследования радиационного роста гафния после облучения в реакторах СМ-2, СМ-3 и БОР-60. Исследована зависимость линейного и объёмного радиационного роста гаф-ниевых образцов от флюенса нейтронов и температуры облучения. Отмечены стадии радиационного роста: быстрый рост до флюенса (5-7)-1022 см-2 и последующее насыщение.

Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Рисований В.Д., Захаров А.В., Клочков Е.П. Органы регулирования на основе гафния и титаната диспрозия для тепловых водоохлаждаемых реакторов // Сб.тр. Четвертой межотраслевой конф. по реакторному материаловедению, (г.Димитровград, 15-19 мая, 1995 г.). Т.4. Димитровград: ГНЦ РФ НИИАР, 1996. C.37-53.

2. Варлашова Е.Е.,Рисованый В.Д., Клочков Е.П. и др. Размерная и структурная стабильность образцов гафния марки ГФЭ-1, облученных до высоких повреждающих доз // Сб. докл. Пятой международной конф. по реакторному материаловедению, г.Димит-ровград, 8-12 октября, 1997 г. В 2-х томах. Т.1. Димитровград: ГНЦ РФ НИИАР, 1998. C.143-154.

3. Варлашова Е.Е., Рисованый В.Д., Клочков Е.П. и др. Размерная и структурная стабильность образцов гафния марки ГФЭ-1, облученных до высоких по-

вреждающих доз // Сб. тезисов докл. Пятой между- (г.Димитровград, 8-12 октября, 1997 г.) Димитровг-

народной конф. по реакторному материаловедению рад: ГНЦ РФ НИИАР, 1997. С.57.

RADIATION GROWTH OF HAFNIUM

© 2012 A.S. Kadochkin1, E.M. Muraleva1-2

1 Ulyanovsk State University 2Joint Stock Company "State Scientific Center Research Institute of Atomic Reactors", Dimitrovgrad

This paper presents the results of a study of radiation growth of hafnium after irradiation in the SM-2, SM-3, and the BOR-60 reactors. The dependence of the linear and volume radiation growth of hafnium samples on neutron fluence and irradiation temperature is determined. Keywords: hafnium, radiation growth, reactor study

Alexey Kadochkin, Candidate of Physics and Mathmatics, Associate Professor at the Radiophisics and Electronics Department. E-mail: [email protected] Elena Muraleva, Candidate of Technics, Research Fellow. E-mail: [email protected]

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.