CC BY
173
УДК 621.382.3
Горбань А. Н.1, Кравчина В. В.2
1Д-р физ.-мат. наук, профессор, Классический приватный университет, Запорожье, Украина, E-mail: [email protected]
2Канд. техн. наук, доцент, Запорожская государственная инженерная академия, Украина
ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ ИМС С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ _____________________________________ЭЛЕМЕНТОВ_________________________________________________
В работе оптимизированы процессы селективной эпитаксии слоев кремния на структурах Si-SiO2-Si*, процессы формирования диэлектрической изоляции и диффузионных областей комплементарных биполярных транзисторных структур. При формировании диэлектрической изоляции элементов ИМС проводится окисление границы между эпитаксиальными слоями эпимоно-Si и эпи-Si*, расположенной под углом 55° к поверхности. В этом случае градиент механических напряжений направлен или к краевой области объема моно-Si или в объем слоя эпи-Si* и образование механических напряжений достаточных для генерации дефектов в слое эпимоно-Si не происходит. При толщине эпитаксиальной пленки 3,0-4,0 мкм характеристики комплементарных транзисторов составили величины U > 20 В и в > 60.
ке '
Ключевые слова: комплементарные биполярные транзисторы, диэлектрическая изоляция, селективная эпитаксия, ток утечки.
В настоящее время количество полупроводниковых приборов и интегральных схем, изготавливаемых на структурах кремния на изоляторе (КНИ) увеличивается по степенной зависимости. Для изготовления структур КНИ применяют различные технологические маршруты. При этом используются такие процессы как рекристаллизация слоя кремния, формирование изолирующего слоя с помощью окисления пористого кремния, молекулярно-лучевая эпитаксия на пористом кремнии, имплантация ионов кислорода (азота) в кремниевую подложку, сращивание кремниевых пластин с формированием тонкого изолированного слоя кремния. Smart-cut технология, например, включает такие технологические процессы как имплантация ионов водорода (приборная пластина), активация поверхности и сращивания приборной и опорной пластин кремния, отжиг кремниевых пластин при температуре 450°С, стимулирующий образование структурных нарушений, по слою которых производится скалывание и полирование кремния.
В статье рассматривается метод изготовления структур КНИ, который, не получив широкого распространения, тем не менее является интересным для разработки и изготовления специализированных схем, микромеха-нических устройств и датчиков [1-5].
Необходимость получения малых значений величин
токов утечки ИМС - 10 < 10 100 мкА, высокой частоты
обмена сигналов информации, высоких коэффициентов усиления (в > 60) сигналов разной полярности и больших импульсных токов коллектора (I =0,5 А) биполярных транзисторов в активном режиме обусловливает необходимость разработки конструкции и технологии формирования комплементарных вертикальных транзисторов с обеспечением указанных характеристик.
При разработке радиационно-стойких ИМС с малыми токами утечек возможно применение кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Технология формирования КСДИ с использованием толстых пленок Si* из-за образования механических напряжений
© Горбань А. Н., Кравчина В. В., 2013
ограничена использованием подложек диаметром 76 мм. По такой технологии достаточно сложно получить транзисторные структуры ИМС в слоях кремния толщиной 2-4 мкм. Возможность технологического формирования и использование слоев кремния с определенными параметрами и толщиной в 2-4 мкм при отсутствии многоразовой перекомпенсации примесей было достигнуто за счет объединения технологии КСДИ с технологией «ЛОКОС» [1]. При этом за счет точного управления процессом эпитаксии на пластинах КСДИ формировались слои монокристаллического эпитаксиального кремния необходимой толщины. Создание указанных структур позволило разработать ИМС на основе комплементарных вертикальных транзисторных структур с диэлектрической изоляцией с требуемыми частотными и вольтам -перными характеристиками. Оптимизация маршрута изготовления структур, рассмотренных в работе [1], позволила улучшить параметры комплементарных транзисторов и разрабатываемых на их основе ИМС.
Целью данной работы является оптимизация технологии и конструкции комплементарных транзисторов с диэлектрической изоляцией с и >20 В, импульсными токами в прямом направлении питания 0,5 А через один из транзисторов, с токами утечки ИМС менее 100 мкА при температуре 125°С.
Основная часть исследований. Технология изготовления структур с вертикальными комплементарными транзисторами опробовалась при изготовлении ИМС передатчика и 2-канального дифференциального приемника сигналов в коде «с возвращением к нулю» по
отраслевому стандарту «АИМС-429»).
Назначение предложенной системы передачи сигналов - реализация физического уровня межприборного интерфейса бортового пилотажно-навигационного ком -плекса. Система обеспечивает обмен цифровой информацией в широком диапазоне скоростей передачи с восстановлением на приемном конце импульсов синхронизации. В качестве линейного кода выбран код К2, что
обеспечивает восстановление импульсов синхронизации непосредственно из входного информационного потока. Разновидность кода - двухфазный с передачей по физической линии «витая пара в экране» с волновым сопротивлением 400 Ом. Свойства трехуровневого кода с возвращением к нулю в варианте двухфазного передатчика, который работает на симметричную линию «витая пара в экране», и дифференциального приемника, разрешают решить многие проблемы, которые возникают при применении других кодов. Для уменьшения уровня приведенных напряжений в других цепях при общей прокладке коммуникаций на борту информационные импульсы имеют симметричную трапециевидную форму, при этом уменьшаются как емкостные наводки на другие цепи, так и электромагнитные поля, которые возникают при передаче информационных импульсов. Соответственно, уменьшается уровень наводок в линии от внешних электромагнитных полей, что и определяет повышенную помехоустойчивость систем передачи информации, построенных по данной идеологии. Так, например, в ходе испытаний на надежность разработанных микросхем неоднократно подтверждалась величина вероятности ошибок менее чем 10-9 в условиях имитации реальных условий работы на борту (от параметров сети энергопитания и электромагнитной обстановки). Высокую оценку получили и такие свойства систем, как стойкость при влиянии грозовых разрядов.
Подготовка структур к эпитаксии. На исходных пластинах 81(100) р-типа проводимости листовым легированием формировались области р+сс1 скрытого слоя р-п-р-транзисторов. КСДИ получали путем травления в горячей щелочи КОН канавок на глубину 14-15 мкм, окисления структур, осаждения пленки поликристаллического кремния толщиной 270 мкм, полирования монокристал-лического кремния до вскрытия канавок. На поверхнос-
ти КСДИ формируют скрытые слои р+сс2 и п+сс. Скрытый слой рсс2 формируют диффузией бора в областях глубокого коллектора р-п-р-транзисторов, а псс формируют диффузией или ионным легированием сурьмы.
Исследование процессов эпитаксии. При разработке ИМС проводилось исследование процессов локальной эпитаксии монокристаллического кремния с формированием локальной изоляции «ЛОКОС», которая соединяется с диэлектрической изоляцией КСДИ. Эпитаксия мо-нокристаллического кремния проходит селективно в областях монокристаллического кремния 81. В процессе локальной эпитаксии [1] формировалась пленка монокристаллического кремния п-типа проводимости, легированная примесями фосфора с удельным сопротивлением 2 Ом-см. Эволюция рельефа поверхности в различных областях КСДИ изучалась при помощи растровой электронной микроскопии [1]. На рис. 1 показаны схемы структур ИМС после эпитаксии и формирования локальной боковой изоляции, которая сращивается с объемной изоля-циею КСДИ. В областях над карманами из монокристал-лического кремния 81 (100) формируется эпитаксиальный монокристаллический кремний (эпи-81). Над областями из 81* и 81О2 изоляции первого уровня осаждается эпитаксиальный поликристаллический кремний эпи-81*. При температуре эпитаксии 1050°С толщина эпи-81* представляет величину от Н0/2 до 2Н0/3, где Н0 толщина эпи-81. Уменьшение толщины 81* наблюдается на границе с мо-нокристаллическим кремнием и в областях с большой плотностью монокристаллического эпи-81, что можно объяснить концентрационными отличиями газовых потоков вследствие превалирующей скорости роста эпи-81 в направлении [100]. Толщина эпитаксиального кремния над областями окисла кремния изоляции подложки КСДИ составляет ~1/3Н0 толщины эпитаксиального монокрис-таллического кремния. Исследования кинетики селектив-
эпи-Si*
S1U2 -объёмнсйьизоляция
а)
локальная изоляция
SiCh Si2* эпи-Si*
ri-эмттер Wpn-p-n
Wn p-n-p р-эмиттер
г)
Рис. 1. Схема структур: а) формирование эпитаксиальных пленок поликристаллического кремния с W-подобным рельефом; б) формирование локальной изоляции; в) формирование эпитаксиальных пленок поликристаллического кремния с дополнительными пленками 8Ю2 и 812*; г) структура комплементарных транзисторов
ных процессов осаждения эпитаксиального кремния на структурах КСДИ в зависимости от температуры и состава рабочей смеси приведены в работе [1] на основании которых выбран режим эпитаксии при 1050°С. Скорость роста пленки составляет 100 нм/мин.
При температуре эпитаксии в 1050° С формирование эпитаксиального кремния на поверхности 81О2 объемной изоляции происходит в основном за счет роста и увеличения объема от соседних боковых поверхностей поликристаллического кремния с одной стороны и монокристаллического кремния с противоположной стороны (рис. 1, а). Вследствие наличия двух областей 81О2, разграниченных 81* и кинетических отличий роста пленок эпитаксиального поликристаллического кремния 81* над разными материалами в области изоляции КСДИ структур, при эпитаксии формируется W- подобный рельеф поверхности [1-3]. Впадины W- подобного рельефа формируются над областями 81О2 (рис. 1). Такой рельеф при толщине пленки < 2 мкм позволяет проводить процесс окисления и формирования 81О2 локальной изоляции без дополнительного формирования углублений.
Количество создаваемых дефектов, как при эпитаксии и формировании локальной изоляции, так и при формировании транзисторных структур является минимальным по сравнению с другими известными методами формирования КНИ структур, которые рассмотрены в табл. 1.
При локальном эпитаксиальном росте монокристалли-ческого кремния образующаяся развитая граница карманов является геттером, который поглощает имеющиеся или зарождающиеся кристаллографические дефекты. В дальнейшем планируется применение разработанных технологий на структурах, на которых устраняется или значительно уменьшается образование механических напряжений, что позволит снять ограничения по диаметру подложек.
В разработанной технологии эпитаксиальный рост областей монокристаллического кремния происходит локально и с наклоном в 55°, а рост областей поликрис-таллического кремния происходит путем встраивания частиц эпи-81* на уже сформированной пленке эпитаксиального монокристаллического кремния (эпимоно-81), что обеспечивает формирование области сращивания с относительно малыми механическими напряжениями. Последующее окисление границы раздела пленок эпи-моно-81 и эпи-81* при формировании локальной боковой изоляции элементов и ее сращивание с объемной изоляцией основания из КСДИ позволяет формировать
полную изоляцию элементов в тонкой эпитаксиальной пленке. Окисляемая граница эпимоно-81 и эпи-81* расположена под углом и градиент механических напряжений направлен или к поверхности или в объем пленки эпи-81*. При этом релаксация механических напряжений происходит в менее прочной и более быстро окисляемой пленке эпи-81*. Это позволяет уменьшить величину механических напряжений, возникающих при росте локальной пленки термического окисла кремния, и устранить на этом этапе генерацию кристаллографических дефектов. При росте эпитаксиальной пленки также отсутствует образование дефектов с глубокими энергетическими уровнями в запрещенной зоне.
Технология формирования ИМС с диэлектрической изоляцией, полученная за счет объединения разных технологий, позволила достигнуть величины токов утечки ИМС на уровне или менее единицы микроампера. Малый уровень токов утечки обнспечивается малой концентрацией исходных дефектов после эпитаксии и наличием условий, которые приводят к уменьшению генерации дефектов, которые обычно образуются во время формирования локальной изоляции из окисла кремния.
С целью расширения технологических и конструктивных возможностей создавались структуры с увеличенной толщиной слоя эпитаксии до 2,8-4,0 мкм. Перед эпитаксией в области изоляции создавались дополнительные пленки окисла кремния и поликристаллического кремния как это показано на рис. 1, в [1]. Защита поликристаллическим кремнием поверхности пленки 81О2 позволяет проводить осаждение эпитаксиальной пленки более равномерно. При толщине пленки эпи-81* 2,0 мкм проводят ее травление на глубину в 1,0 мкм. Травление канавок эпи-81* осуществляют в КОН. Травление селективно по отношению к боковым поверхностям эпимоно-81. Одновременно формируют канавки под спейсеры, отделяющие области глубокого коллектора и базы транзисторов на поверхности эпимоно-81, что позволяло уменьшить поверхностные междуэлемен-тные расстояния и площадь кристалла в целом. При травлении и окислении используют маску из пленок нитрида и окисла кремния, причем маска может закрывать края областей эпи-81* на толщину окисления.
Формирование локальной изоляции проводилось на установке «Термоком» при температуре 1000°С и давлении 10 атм, при этом учитывалось, что скорость окисления эпи-81* превышает скорость окисления эпимоно-81. Формирование в области локальной изоляции перед
Таблица 1. Сравнение дефектности КСДИ структур, формируемых разными технологиями
Параметры Бшюх (имплантация кислорода, формирование скрытой изоляции Б1О2) Smart-cut (имплантация протонов, сращивание, термообработка и скалывание Si) Eltran (сращивание пластин Si) Эпитаксия на КСДИ, локальное окисление слоя эпитаксиального кремния
Плотность дефектов, см-2: - в приборном слое; 104-106 < 102 < 102 <10
- в слое изоляции. >10* <0,1 <0,1 <0,1
Максимальный диаметр, мм 100-300 100-300 100-300 76
эпитаксией пленки 81О2 и 81* позволяет за счет выбора необходимой толщины дополнительной пленки 81О2 корректировать уровень поверхности локального 81О2 изоляции ИС относительно уровня поверхности эпи-81 [4].
В ходе эпитаксиального роста кремния рассматривались процессы автолегирования и обратной диффузии примеси, которые определяют итоговую толщину слаболегированной пленки и влияют на значение напряжения и . Для рассматриваемых удельных сопротивлений структур для р-п-р-транзисторов в незначительной степени характерны процессы обратной диффузии фосфора, что вместе с возможностью формирования углубленного скрытого слоя р+сс1 позволяет формировать структуры со значительной величиной и . Процессы автолегирования имеют важное значение для получения и п-р-п-транзис-торов. Эти значения и можно улучшить путем корректировки распределения легирующей примеси скрытого слоя, например, для процессов ионного легирования сурьмой с энергией ионов Е > 150 кэВ.
При разработке и оптимизации процесса эпитаксии были определены следующие параметры эпитаксиальной пленки и технологического процесса: толщина 3,0-
4,0 мкм, удельное сопротивление 2,0 Ом-см, температура процесса 1050°С, скорость роста 100 нм/мин.
Формирование комплементарных транзисторов. На рис. 2 показана конструкция р-п-р- транзистора, а на рис. 3 показана конструкция п-р-п- транзистора.
Конструкция вертикальных транзисторов (рис. 1-3) предусматривает формирование для р-п-р-транзисторов глубоких коллекторов, диффузионные области которых формируют автолегированием примеси бора из скрытого слоя р+сс2 и поверхностного легирования эпитаксиального кремния из газовой фазы. Для уменьшения сопротивления и времени диффузии возможно использование приповерхностных боковых поверхностей области эпимоно-81 [4].
Конструкция р-п-р-транзисторов предусматривает формирование базы в слое кремния эпитаксиальной пленки, а для формирования базы п-р-п- транзисторов используется более низкоомные области легированного бором кремния. Временное моделирование высокотемпературных технологических процессов осуществлялось таким образом, чтобы к окончанию разгонки эмиттеров транзисторов происходило соединение примеси исходного скрытого р+-слоя с примесью поверхностного р+-слоя, которые совместно создают область глубокого коллектора р-п-р-транзистора. Концентрации примесей, геометрические размеры базовых областей и эмиттеров транзисторов обеспечивали необходимые пробивные, усилительные и мощностные характеристики транзисторов.
Формирование эмиттерных областей необходимо проводить с максимально высокой концентрацией легирующих примесей для обеспечения максимальных значений коэффициентов инжекции, что позволяет получить высокие значения коэффициентов усиления. Для получения высокой концентрации легирующей примеси бора при формировании эмиттеров р-п-р-транзисто-ров исследовались различные процессы загонки и раз-
Рис. 2. Схема расположения слоев р-п-р- транзистора
Рис. 3. Схема расположения слоев п-р-п- транзистора
гонки примеси. Опробовались различные газообразные борсодержащие диффузанты, твердые источники диффундирующей примеси в виде пластин нитрида бора, а также применялись процессы ионного легирования. Хорошие результаты были получены для процессов диффузии из трехфтористого бора и из твердых источников. Наиболее воспроизводимые и в то же время высокие значения коэффициентов усиления р-п-р-транзисторов были получены для структур с ионным легированием. Подобная оптимизация технологических процессов проводилось и при диффузии примеси фосфора для процессов формирования эмиттеров п-р-п- транзисторов. В этом случае хорошая воспроизводимость и необходимые коэффициенты усиления достигнуты для технологии диффузии с применением треххлористого фосфора.
При формировании ИМС применялись процессы ионного легирования р- эмиттеров ионами бора дозой в 1400 мкКл/см2 на образец. При разгонке бора получены коэффициенты усиления р-п-р-транзисторов Рр п р = 60 и пробивные напряжения ике > 25 В. Применение ионного легирования р-эмиттеров позволило улучшить характеристики транзисторов, рассматривавшихся ранее в работе [1]. При формировании эмиттера п-р-п-транзи-стора применялся отжиг при температуре 950°С в течение 10 минут. После этого проводилось вскрытие контактных окон и последующие операции для формирования металлизации и ее защиты.
Основными критериями при оптимизации технологии изготовления транзисторов являлись значения пробивного напряжения коллектор-эмиттер ике не менее 20 В. По результатам оптимизации технологического маршрута с учетом описанных выше технологических особенностей были получены следующие характерис-
тики транзисторов: для п-р-п-транзистора: Uкв > 25 В, в > 100; для р-п-р-транзистора: Uке > 25 В, в > 60.
Выводы. В результате оптимизации разработанной технологии получены ИМС с диэлектрической изоляцией где величины пробивных напряжений и коэффициентов усиления при толщине эпитаксиальной пленки 3,0-
4,0 мкм для р-п-р- и п-р-п-транзисторов составили Uке > 20 В и в > 60. При максимальном импульсном коллекторном токе 0,5 А получены величины токов утечки функционирующих ИМС на уровне единицы микроампера при температуре 125 °С.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Горбань, А. Н. Разработка конструкции и технологии комплементарных транзисторов для радиационностойких ИС / А. Н. Горбань, В. В. Кравчина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - № 3. - 2011. - С. 23-27.
2. Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией: а.с. № 1616445 СССР, МКИ Ы01Ь 21/76 / Липко В. А., Макаренко Л. В., Трещун А. П.,
Кравчина В. В., Синеокий В. Н.; Заявитель и собственник патента: ОКБ «Элмис». - заявл. 26.09.1988. опубл. 22.08.1990. бюл. N0. 15. - 1990.
Способ изготовления кремниевых структур с комбинированной диэлектрической изоляцией комплементарных транзисторов: патент на полезную модель №27068, Украина, МКИ Ы01Ь 21/70 / Костенко В. О., Кравчина В. В., Гомольский Д. М. ; заявитель и собственник патента : Запорожский национальный университет ; заявл. 2006. опубл. 2007, бюл. № 16. - 2007.
Способ изготовления интегральных микросхем с комплементарными транзисторами Декларационный пат. 29594А Украина, Ы01Ь 21/76 / Горбань А. Н., Кравчина В. В., Костенко В. О. ; Заявитель и собственник патента : Запорожский национальный технический университет. - за-явл. 2003. опубл. 2004. бюл. № 8. - 2004.
Горбань, А. Н. Формирование полупровониковых приборов на КНИ структурах / А. Н. Горбань, В. В. Кравчина // Матеріали 1 Міжнародної науково-практичної конференції «Актуальні проблеми прикладної фізики», АППФ-2012, 24-28 вересня, Севастополь, Україна. - С. 61-62.
Стаття надійшла до редакції 16.11.2012.
Після доробки 24.01.2013.
Горбань А. Н.1, Кравчина В. В.2
1 Д-р фіз.-мат. наук, професор, Класичний приватний університет, Україна
2Канд. техн. наук, доцент Запорізька державна інженерна академія, Україна
ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ КОМПЛЕМЕНТАРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ ДЛЯ ІМС З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ ЕЛЕМЕНТІВ
У роботі оптимізовані процеси селективної епітаксії шарів кремнію на структурах Si-SiO2-Si*, процеси формування діелектричної ізоляції і дифузійних областей комплементарних біполярних транзисторних структур. При формуванні повної діелектричної ізоляції елементів ІМС проводиться окислювання межі між епітаксійними шарами епімоно-Si і епі-Si*, розташованої під кутом 55° до поверхні. У цьому випадкуградієнт механічних напруг спрямований або до крайової області об’єму моно-Si або до об’єму шару епі-Si і утворення механічних напруг достатніх для генерації дефектів у шарі епімоно-Si не відбувається. При товщині епітаксійної плівки 3,0-4,0 мкм характеристики комплементарних транзисторів склали величини Ukc >20 В и в > 60.
Ключові слова: комплементарні біполярні транзистори, діелектрична ізоляція, селективна епітаксія, струм просочування.
Gorban A. N.1, Kravchina V. V.2
1Doctor of science, professor Classical private university, Ukraine
2Associate professor the chair of FBME, doctor of science, Zaporozhye state engineering academy, Ukraine
FEATURES OF FORMATION OF BIPOLAR TRANSISTOR FOR ГС WITH DIELECTRIC ISOLATION OF ELEMENTS
The processes of a selective epitaxy of silicon layers on the structures Si-SiO2-Si*, formation of dielectric isolation and diffusive areas of complementary bipolar transistor structures are optimized in the work. Complete dielectric isolation of elements IC in episilicon is reached at the expense technology of the structures Si- SiO2-Si* association with the LOCOS technology. Oxidation of the border between layers epimono-Si and epi-Si* is formatted of complete dielectric isolation of elements IC. In this case the border is located at an angle 55° to the surface. In this case the gradient of mechanical tension is directed either to regional area of volume epimono-Si or to layer volume epi-Si * and appearance of mechanical tension, sufficient for emergence of defects in a layer epimono-Si doesn’t happen. Processes of emitter-region diffusion are optimized, which increased the factor of injection of p-n-p-transistors and improved similarity of characteristics of complementary transistors. Epitaxy layers being 3,0-4,0 mcm thick, breakdown tension Uce > 20 V and в > 60 .
Keywords: complementary bipolar transistor, dielectric isolation, leak current, selective epitaxy.
REFERENCES
1. Gorban A. N., Kravchina V. V. Razrabotka konstrukcii i
tekhnologii komplementarny' x tranzistorov dlia
radyacionnostojkix IMS. Texnologiia i konstruirovanie v e'lektronnoj apparature, 2011, No. 3. pp. 23-27.
2. Lipko V A., Makarenko L. V., Treshhun A. P., Kravchina V. V, Sineokij V. N. Sposob izgotovleniia kremnievy'x struktur s die'lektricheskoj izoliaciej: patent № 1616445, Zaiavitel' i sobstvenik patenta OKB E2 lmis. zaiavl. 1988. opubl. 1990. biul. № 15, 1990.
3. Kostenko V. O., Kravchina V. V., Gomolskij D. M. Sposob izgotovleniia kremnievy'x struktur s kombinirovanoj die'-lektricheskoj izoliaciej komplementarny'x tranzistorov: patent na poleznuju model' № 1261524. Ukraina: MPK H01L 21/
70: Zaiavitel' i sobstvenik patenta Zaporozhskij nacional' ny'j texnicheskij universitet, zaiavl. 200б; opubl. 2007, biul. № 16. 2007.
Gorban A. N., Kravchina V. V., Kostenko V. O. Sposob izgotovleniia integral'ny'x mikrosxem s komplementarny' mi tranzistorami: deklaratsionny'j patent № 29594А, Ukraina: MPK H01L 21/76: Zaiavitel' i sobstvenik patenta: Zaporozhskij nacional’ny’j universitet, zaiavl. 2003; opubl. 2004, biul. № 16, 2004.
Gorban A. N., Kravchina V. V. Formirovanie poluprovodnikovy'x priborov na KNI strukturax. Materialy 1 Mizhnarodnoi naukovo-praktychnoi konferentsii Aktualni problemy prykladnoi fizyky, APPF-2012, 24—28 veresnia. Sevastopol. Ukraina. pp. 61-62.
5
