Определение параметров зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей заряда от их скорости и энергии в GE и CdS Текст научной статьи по специальности «Физика»

|. I „ k2i(AV АЛ)2 + 2(mEJ AEoKx Ф qt(i + «22т2 - 0,5x2 )-1 +1 ' \j2i\ = eMoE И t ъ I ’

| + (1 + «22t2 )x2Ф0 (l + a^T2 - 0,5x2) J

В случае если частоты a1 и (Ог во много раз меньше 1/ Тэ, где Тэ - время релаксации энергии носителей ( для GaAs Тэ ~ 8-10-12), то для полупроводников с переменной эффективной массой носителей можно считать [2], что

Mo =Моо /(1 + x2); М *Мо(1 -x2)/(1 + x2),

где x = E0 / En , причем E - пороговое поле для эффекта Ганна (дня GaAs En=4 кВ^м).

ЛИТЕРАТУРА

1. В.Ван Русбрек, В. Шокли. Излучательная рекомбинация электронов и дырок в германии // Сб. статей. “Проблемы физики полупроводников”. М., 1957. С.122-127.

2. Малышев В.Л. Бортовые активные устройства СВЧ. J1.: Судостроение, 1990. 264 с.

УДК 621.382.2

В.А. Малышев, Г.Г. Червяков, С.С. Шибаев

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЗАВИСИМОСТИ ПОПЕРЕЧНОГО СЕЧЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ОТ ИХ СКОРОСТИ

И ЭНЕРГИИ В GE И CDS

В работе [1] была теоретически рассчитана зависимость упомянутого в названии поперечного сечения о от температуры германия, а в работе [2] была экспериментально снята зависимость этого сечения от электрического поля для случая сернистого кадмия. В данной работе на основе этих функций, которые здесь были пересчитаны с учетом зависимости о от средней скорости V носителей и от их средней энергии W, были определены путем построения указанных зависимостей в логарифмическом масштабе параметры о0, о01, m и r аппроксимации этих зависимостей вида

о = OoV- и; o = oW ~г

и ход изменения этих параметров с учетом V и W.

ЛИТЕРАТУРА

1. W.van Roosbroeck and W.Shockley. Radiative recombination of electrons and holes in Ge, Phys. Rev., 1954. Vol.94. №6. P.1558.

2. Малышев BA., Завадовская Э.П. Зависимость поперечного сечения рекомбинации носителей в CdS от электрического поля // Изв. Вузов. Физика. 1963. Т.48. №3.