ОАО концерн РТИ-Системы и ОКБ-Планета Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

Изделия электронной техники (полупроводниковые приборы)

1. Кремниевые переключающие диоды:

- максимальный допустимый прямой ток 100-300 мА;

- максимально допустимое обратное напряжение 40-600 В.

2. Кремниевые СВЧ р-1-и-диоды:

- прямое сопротивление потерь на частоте 1 ГГц не более 1,8 Ом;

- емкость диода (иобр. = 10 В) не более 0,2 пФ;

- пробивные напряжения не менее 150 В;

- постоянное прямое напряжение 0,8 В (1пр = 10,0 мА).

3. Кремниевые фотодиоды:

- диапазон спектральной чувствительности 400-1100 нм;

- максимум спектральной чувствительности 800-1000 нм;

- статическая чувствительность 30-200 нА/лк;

- темновой ток 1-100 нА (иобр. = 5 В).

4. Импульсные тиристоры малой мощности:

- постоянное напряжение в закрытом состоянии 200-1000 В;

- средний ток в открытом состоянии 200-500 мА;

- импульсный ток в открытом состоянии 7 А;

- прямой ток управления 10 мА.

5. Импульсные тиристоры средней мощности:

- постоянное напряжение в закрытом состоянии 400-1000 В;

- средний ток в открытом состоянии 1-5 А;

- импульсный ток в открытом состоянии 50-75 А;

- прямой ток управления 250 мкА.

6. Малошумящие кремниевые транзисторы:

- рабочие частоты 0,000001-7 ГГц;

- рабочие токи 0,5-70 мА;

- рабочие напряжения 1-10 В;

- коэффициент шума: 500 МГц — 1,0 дБ; 1000 МГц — 1,2 дБ; 4000 МГц — 3,0 дБ;

- коэффициент усиления: 500 МГц —18,0 дБ; 1000 МГц — 14 дБ; 4000 МГц — 10 дБ;

ОАО «Концерн "РТИ-Системы”»

«ОКБ-Планета»

ОАО «ОКБ-Планета» осуществляет научно-исследовательские, опытноконструкторские, инжиниринговые разработки и производство:

• изделий электронной техники (полупроводниковых приборов);

• тонкопленочной продукции (гибридных интегральных структур);

• СВЧ радиотехнических изделий (модулей, узлов, блоков),

а также оказывает услуги по контрактной сборке кристаллов в различные корпуса.

- граничная частота до 9,0 ГГц;

- конструктивное исполнение: чип; металлокерамические полосковые корпуса; пластмассовые корпуса для поверхностного монтажа.

7. Кремниевые транзисторы средней мощности:

- рабочие частоты 0,000001-2,0 ГГц;

- рабочие токи до 0,5 А;

- рабочие напряжения 5-15 В;

- пробивные напряжения до 200 В;

- граничная частота 4,0 ГГц;

- рассеиваемая мощность до 3 Вт на частоте 1 ГГц.

8. Малошумящие арсенид-галлиевые транзисторы:

- рабочие частоты 0,1-37 ГГц;

- рабочие токи 0,5-100 мА;

- рабочие напряжения 1-7 В;

- пробивные напряжения до 20 В;

- коэффициент шума: 0,5 ГГц — 0,2 дБ;

1.0 ГГц — 0,5 дБ; 4,0 ГГц — 0,6 дБ; 12 ГГц — 1,0 дБ;

- коэффициент усиления: 0,5 ГГц — 23 дБ;

1.0 ГГц — 20,0 дБ; 4,0 ГГц — 12,0 дБ; 12 ГГц — 11,0 дБ.

9. Арсенид-галлиевые транзисторы средней мощности:

- рабочие частоты 0,1-4 ГГц;

- рабочие токи до 1,0 А;

- рабочие напряжения до 6-7 В;

- пробивные напряжения до 20 В;

- рассеиваемая мощность до 2,0 Вт на частоте 1,0-2,0 ГГц.

10. Датчики давления (технология с элементами МЭМС — технология создания ва-куумированного кристалла для датчиков давления):

- диапазон измеряемых давлений 0,1-5 атм. (10-500 кПа);

- чувствительность 0,5 мВ/кПа;

- толщина мембраны >15 мкм.

11. Тонкопленочные терморезисторы:

- температурный коэффициент сопротивления, не менее 40х10-41/°С;

- номинальные значения сопротивления 1-10 000 Ом (при t = 25 °С).

Контрактная сборка кристаллов в различные корпуса

Автоматизированная сборка кристаллов в корпуса:

• для поверхностного монтажа SOT 23, SOD 123, SOT 143, SO 8, SO 14, SO 16, SO 28, SOT 89;

• ТО-92;

• металлостеклянный корпус КТ-1;

• полуавтоматическая сборка в корпуса ТО 220 и металлокерамические полосковые корпуса.

Проверка на КЗ и обрывы, упаковка в блистер-ленту или пакеты, маркировка лазером или краской. Измерение параметров — по согласованию с заказчиком.

Имеется лицензия на разработку и производство вооружения и военной техники.

Тонкопленочная продукция. Гибридные интегральные структуры

ОАО «ОКБ-Планета» разрабатывает и производит гибридные интегральные структуры (ГИС), гибридные интегральные микросхемы и микросборки, осуществляет монтаж навесных элементов (как бескорпусных, так и корпусированных) по ТЗ заказчика. Назначение и краткое описание

Гибридные интегральные структуры (ГИС) широко применяются в высокочастотных и сверхвысокочастотных изделиях электронной техники; для создания высокопрецизионных тонкопленочных резисторов (в том числе терморезисторов с высоким температурным коэффициентом сопротивления); в качестве подложек с токопроводящими дорожками для гибридных интегральных схем.

ГИС могут включать в себя комбинации различных элементов. Омические — проводники, сопротивления, контактные площадки. Реактивные — индуктивности, полосковые

Рис. 1. Корпуса

фильтры, согласователи, а также комбинированные аттенюаторы, резонаторы, металлизированные переходные отверстия.

Технология производства ГИС основана на применении вакуумного (магнетронного) напыления различных металлов на диэлектрическую подложку с последующим формированием методами фотолитографии, гальванического осаждения и химического травления проводящих структур заданной конфигурации. При этом учитываются требования сборочных технологий, таких как посадка кристаллов на эвтектику, термокомпрессионная сварка, пайка различными припоями, защита от внешней среды и другие.

• Материалы подложек: поликор; ситалл; кварц; сапфир; керамика; феррит и другие.

• Материалы проводящих слоев: медь; никель; алюминий; золото; платина.

• Материалы барьерных слоев: титан; никель.

• Материалы адгезионных слоев: хром; титан; ванадий; никель/хром.

• Материалы резистивных слоев:

- никель/хром (Ni/Cr);

- резистивные сплавы:

■ РС 3710 кремний/хром/никель (Si — 53%/Cr — 37%/ Ni — 10%);

■ РС 2005 кремний/титан/ церий (Si — 75%/Ti — 20%/Ce — 5%);

■ РС 1004 кремний/никель/железо (Si — 85%/Ni — 10%/Fe — 5%).

• Типовые системы металлизации. Ванадий-медь-никель (V-Cu-Ni); ванадий-медь-никель-золото (V-Cu-Ni-Au). Минимальная ширина проводников и расстояний между ними >0,02 мм. Разброс значений номинального сопротивления резисторов >0,1%.

СВЧ радиотехнические изделия для систем связи и радиолокации

Малошумящие СВЧ-усилители малой, средней и большой мощности. Диапазон частот от 100 МГц до 8 ГГц. Мощность до 50 Вт. Делители. Сумматоры. Фазовращатели. СВЧ коммутирующая аппаратура. ■

Россия, 173004, г. Великий Новгород, ул. Фёдоровский ручей, 2/13. Телефакс: (8162) 66-50-78. E-mail: [email protected], http: w ww.okbplaneta.r u