Новая продукция Philips Semiconductors Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

Є

Компоненты и технологии, № 3'2002

Новая продукция

Philips Semiconductors

В статье приведен обзор новых разработок Philips Semiconductors, опубликованных в Philips News за последние 6 месяцев. Основное внимание уделено дискретным силовым элементам, аналоговым микросхемам, микросхемам стандартной логики и микроконтроллерам.

Виктор Алексеев

[email protected] Андрей Колпаков [email protected] Олег Мишин

[email protected]

Интерфейсы

PDI1394P21: 400 Mbps физический интерфейс с 3 портами

Микросхема PDI1394 обеспечивает функцию передачи аналоговых и цифровых сигналов, необходимую для работы 3-портовой схемы, использующей шины IEEE 1394-1995 или 1394. Каждый порт включает 2 дифференциальных линейных трансивера. Трансиверы имеют специальную схему для мониторинга состояния линии, необходимую для определения состояния связей, для инициализации и арбитража и для приема и передачи пакетов. PDI1394 разработана для совместной работы с LLC контроллерами PDI1394L40 или PDI1394L41.

• Полная поддержка стандартов IEEE 1394-1995 и P1394a-2000 для последовательных шин.

• Три законченных кабельных порта со скоростями 100, 200 и 400 Mbps.

• Полное соответствие требованиям HCI.

• Порт мониторинга состояния линии для «горячего» подключения удаленного устройства.

• Функция управления подачей и отключением питания для батарейных применений.

• Интерфейс с LLC-контроллерами по 2-4-8 параллельным линиям на частоте 49,152 МГц.

• ФАПЧ без внешнего фильтрующего конденсатора.

• Совместимость с аналогичными устройствами TSB41LV03A, TSB41AB3 Texas Instruments.

TJA1054: CAN-трансивер с защитой от неисправности шины

Микросхема CAN-интерфейса TJA1054 разработана для передачи информации в бортовой автомобильной сети со скоростью 125 кБод.

• Имеет дифференциальный вход и выход, но при повреждении шины переходит в режим однопроводной передачи.

• Отличная электромагнитная совместимость.

• Режим перезапуска при неисправности шины.

• Защита от замыкания и обрыва шины.

• Автоматическая диагностика.

PCA9557: Параллельный, 8-разрядный, I2C и SMBus I/O-интерфейс с 8-разрядным входным регистром, выходным регистром и SMBus-интерфейсом

• Рабочее напряжение от 2,3 до 5,5 В.

• EC и SMBus-интерфейсная логика.

• Встроенная схема сброса.

• Импульсный фильтр на входах SCL/SDA.

• Плавное включение.

• Низкий ток потребления.

• Тактовая частота — до 400 кГц.

• Защита входов от ЭСР.

TJA1040: Быстродействующий дифференциальный CAN-трансивер для автомобильной электроники со скоростью передачи данных 1 МБод

• Поддержка автомобильного протокола CAN (Controller Area Network).

• Полная совместимость со стандартом ISO 11898.

• Минимальное паразитное электромагнитное излучение.

• Совместимость по входу с устройствами с питанием 3,3 В и 5 В.

• Возможность подключения до 110 устройств одновременно.

• Сверхнизкий ток потребления.

• Защита входов от импульсных перенапряжений и короткого замыкания.

• Тепловая защита.

Транзисторы

PHP210N03LT, PHB210N03LT: Новые полевые n-канальные транзисторы третьего поколения по TrenchMOS-технологии Транзисторы предназначены для использования в высокочастотных DC/DC-конверторах.

• Максимальный ток — 75 А.

• Максимальная мощность — 75 Вт.

• Сопротивление канала — 3 мОм.

• Корпус D2PAK.

PBSS2515VS: Сдвоенные миниатюрные npn-транзисторы с низким напряжением насыщения

• Сверхтонкий корпус SOT666 — 1,6х1,2 мм.

• Рассеиваемая мощность 300 мВт.

• Напряжение насыщения — 0,15 В.

• Максимальный ток — 1 А.

• Улучшенные тепловые характеристики.

PEMB2: Сдвоенные миниатюрные цифровые pnp-

транзисторы

• Сверхтонкий корпус SOT666 — 1,6х1,2 мм.

• Встроенные резисторы.

• Рассеиваемая мощность 300 мВт.

• Максимальный ток — 0,1 А.

е

Компоненты и технологии, № 3'2002

ВиК9245-55А: п-канапьный М08¥ЕТ-тран- • зистор с логическим уровнем управления по • технологии ТтепеНМ08

• Корпус 80Т428 (Б-РАК).

• Напряжение — 55 В.

• Ток— 28 А.

• Мощность — 70 Вт.

• Предельная температура— 175 °С.

• Сопротивление канала — 30 мОм.

РНР(РНВ, РИО) 66Ы03: п-канальный М08-

ЕЕТ-транэистор с логическим уровнем управления по технологии ТтепеНМ08

• РНР66Ш3ЬТ — 80Т78 (Т0-220АВ).

• РНВ66Ш3ЬТ — 80Т404 (Б1-РАК).

• РН066Ш3ЬТ — 80Т428 (Б-РАК).

• Напряжение — 25 В.

• Ток — 66 А.

• Мощность — 93 Вт.

• Предельная температура — 175 °С.

• Сопротивление канала — 9 мОм.

PHT2NQ10T: п-канальный М08ГЕТ-тран-

зистор по технологии ТгепеЬМ08

• Корпус 80Т223.

• Напряжение — 100 В.

• Ток— 2,5 А.

• Мощность — 6,25 Вт.

• Предельная температура— 175 °С.

• Сопротивление канала — 315 мОм.

ВЬ¥246В: п-канальный высокочастотный

В-М08ЕЕТ транзистор

• Напряжение — 28 В.

• Ток — 8 А.

• Мощность — 130 Вт.

• Предельная частота— 175 мГц.

• Корпус 80Т161 изолированный. ВПК95/96/9Е04-40А: ТтепекМ08ЕЕТ-транзи-

сторы с логическим управлением и предельной рабочей температурой до 175 °С

• Максимальный ток — 200 А.

• Максимальная мощность — 300 Вт.

• Сопротивление канала — 3,5 мОм.

• Корпус: 80Т404 (Б2РАК), 80Т78 (Т0-220АВ). Области применения:

• Автомобильная электроника.

• Осветительное оборудование.

• Управляющие приборы силовой электроники.

ВЕА1011-2: Высокочастотный ЮМ08-транзистор

• Выходная мощность — 200 Вт.

• Диапазон частот— 1030-1090 МГц.

ВЪЕ2022, ВЬЕ647: Мощный ЮМ08-транзи-

стор УКВ-диапазона

• Диапазон частот — 2,2 ГГц.

• Корпус 80Т502, 80Т540.

BFQ591: Широкополосный 7 ГГц транзистор в корпусе 80Т89

• Высокий коэффициент усиления.

• Низкий уровень шумов.

• Золоченые выводы.

МР8А92: Высоковольтный Р^-транзис-

тор

• Корпус — Т0-92, 80Т54.

• ЫРЫ-комплиментарная пара для МР8А42.

• Максимальный ток потребления — 100 мА.

• Максимальное рабочее напряжение 300 В. BSN304: Nканальный, с режимом обогащения В-М08-транзистор в корпусе Т0-92

• Прямая совместимость с ТТЬ — и С-М08 — изделиями.

• Высокая скорость переключения.

• Вторичное отпирание.

BSP130: Nканальный, с режимом обогащения D-M0S-mранзисmор в корпусе S0T223

• Прямая совместимость с ТТЬ- и С-М08-из-делиями.

• Высокая скорость переключения.

• Без вторичного отпирания.

PHP/PHB/PHD66NQ03LT: Nканальные,,

мощные полевые транзисторы (ТтепсЪМ08)

• Корпус — 80Т78 (Т0-220АВ) для

РНР66Щ03ЬТ.

• Корпус — 80Т404 (Б1-РАК) для

РНВ66Щ03ЬТ.

• Корпус — 80Т428 (Б-РАК) для

РНЭ66Щ03ЬТ.

• Низкое сопротивление перехода.

• Малые времена переключения.

ТА143ХК: Р^-транзистор со встроенными резисторами 47 кОм и 10 кОм в корпусе S0T346 ^С-59)

• Встроенные резисторы смещения.

• Мощность рассеивания 250 мВт.

• Габаритные размеры 2,9x1,5x1,15 мм.

РОТС143ХК: транзистор со встроен-

ными резисторами 47 кОм и 10 кОм в корпусе S0T346 ^С-59)

• Встроенные резисторы смещения.

• Мощность рассеивания 250 мВт.

• Габаритные размеры 2,9x1,5x1,15 мм. ВПК7508-55А, ВЦК7608-55А: M0SFET-mран-

зисторы технологии TrenchM0S с логическим входом и свернизким сопротивлением открытого канала

• Предельная рабочая температура 175 °С.

• Максимальный ток — 126 А.

• Сопротивление открытого канала— 6,8 мОм.

• Корпуса Т0-220АВ и Б1-РАК. BUK9107-40ATC:M0SFET-mранзисmоры технологии TrenchM0S с логическим входом и сверхнизким сопротивлением открытого канала

Содержит диод с малым зарядом обратного восстановления ТгепсЬРЬШ, имеет защиту от Е8Б и датчик температуры.

• Предельная рабочая температура 175 °С.

• Максимальный ток — 140 А.

• Сопротивление открытого канала— 5,8 мОм.

• Корпус Б1-РАК.

• Защита от Е8Б и перенапряжения.

• Интегральный датчик температуры для тепловой защиты.

PHN210: Сдвоенный M0SFET-mранзисmор технологии TrenchM0S с низким напряжением отсечки и малым временем переключения

• Предельная рабочая температура 175 °С.

• Максимальный ток — 3,5 А.

• Сопротивление открытого канала — 100 мОм.

• Корпус 80-8.

PSMN005-30K: M0SFET-mранзисmор технологии TrenchM0S со сверхнизким сопротивлением открытого канала и логическим входом

• Предельная рабочая температура 150 °С.

• Максимальный ток — 20 А.

• Рабочее напряжение — 30 В.

• Сопротивление открытого канала -4,5 мОм.

• Корпус 80-8.

PHP/PHB/PHD14NQ20T: M0SFET-mранзис-

тор технологии TrenchM0S

• Предельная рабочая температура 150 °С.

• Максимальный ток — 14 А.

• Рабочее напряжение — 200 В.

• Сопротивление открытого канала — 230 мОм.

• Корпус ТО-220, Б-РАК.

ВиК95/9640: M0SFET-mранзисmоры технологии TrenchM0S со сверхнизким сопротивлением открытого канала

• Предельная рабочая температура 175 °С.

• Максимальный ток — 40 А.

• Рабочее напряжение — 100 В.

• Сопротивление открытого канала — 30 мОм.

• Корпуса Т0-220АВ и Б2РАК.

PHD95N03: M0SFET-mранзисmоры технологии TrenchM0S со сверхнизким сопротивлением открытого канала и логическим входом

• Предельная рабочая температура 175 °С.

• Максимальный ток — 75 А.

• Сопротивление открытого канала — 5 мОм.

• Корпус БРАК.

Диоды

ВАТ721: сдвоенный SMD-диод Шоттки Корпус 80Т23.

Напряжение — 40 В.

Ток — 0,2 А.

Рабочая температура от -65 °С до +150 °С. Емкость перехода — 50 пФ.

ВАУ199: сдвоенный SMD-диод с низким током утечки

Корпус 80Т23.

Напряжение — 75 В.

Ток — 0,5 А.

Ток утечки — 3 пА.

Время переключения — 800 нс.

BAУ23S: сдвоенный SMD-диод общего приме-ния

Корпус 80Т23.

Напряжение — 200 В.

Ток — 0,75 А.

ВАУ70, ВАУ90: сдвоенные быстрые SMD-диоды

Корпус 80Т23.

Напряжение — 70 В.

Ток — 0,45 А.

Время переключения — 4 нс.

PMBD353: сдвоенный SMD-диод Шоттки Корпус 80Т23.

Напряжение — 4 В.

Ток — 0,03 А.

Рабочая температура от -65 °С до +150 °С. Емкость перехода— 1 пФ.

BAS16: быстрый SMD-диод Корпус 80Т23.

Напряжение — 75 В.

Ток — 0,5 А.

Время переключения — 4 нс.

BAS29,31,35: сдвоенные лавинные SMD-диоды

Корпус 80Т23.

Напряжение — 90 В.

Ток — 0,6 А.

Время переключения — 50 нс.

BAS40: сдвоенный SMD-диод Шоттки Корпус 80Т23.

Напряжение — 40 В.

Ток — 0,12 А.

Рабочая температура от -65 °С до +150 °С Емкость перехода — 5 пФ.

BAS70: сдвоенный SMD-диод Шоттки

e

Компоненты и технологии, № 3'2002

• Корпус 80Т323.

• Напряжение — 70 В.

• Ток — 0,07 А.

• Рабочая температура от -65 °С до +150 °С.

• Емкость перехода — 2 пФ.

ВАТ54: сдвоенный SMD-диод Шоттки

• Корпус 80Т23.

• Напряжение — 30 В.

• Ток — 0,2 А.

• Рабочая температура от -65 °С до +150 °С.

• Емкость перехода — 10 пФ.

ВУ715/ВУ724: Новое поколение высоковольтных диодов с малым временем восстановления Технические характеристики (BY716):

• Рабочее напряжение 6 кВ.

• Максимальный ток 20 мА.

• Время обратного восстановления 20 нс.

• Рабочая температура от -65 °С до +125 °С.

• Корпус 80Б61Е.

Области применения:

• Высоковольтные выпрямители с полосой частот до 75 кГц.

• Высоковольтные умножители.

• Корпус 80Б61Е.

ВАР1321-01, ВАР65-01: Планарные, высоковольтные, кремниевые РШ-диоды срегу-лировкой по току в миниатюрном корпусе S0D723A

• Высокочастотный резистор для ВЧ-аттеню-аторов и переключателей.

• Низкая емкость перехода.

• Низкое сопротивление прямого перехода.

• Диапазон рабочих частот до 3 ГГц.

ВАР27-01, ВАР63-01: Планарные, кремниевые РШ-диоды с регулировкой по току в миниатюрном корпусе S0D723A

• Высокая скорость переключения для ВЧ-сигналов.

• Низкая емкость перехода.

• Низкое сопротивление прямого перехода.

• Диапазон рабочих частот до 4 ГГц.

1PS79SB31: Планарный диод Шотки в микро-корпусе S0D523 ^С-79)

• Ультранизкое прямое напряжение.

• Охранные кольца для ограничения поверхностного темнового тока в полупроводнике.

Тиристоры

ВТ149, ВТ169—тиристоры общего применения

ВТ168GW—тиристор в SMD-корпусе сма-лым током управления

ВТ168— тиристор в корпусе ТО-220 сма-лым током управления

• Серия новых малогабаритных тиристоров с логическим управлением.

• Тиристоры предназначены для использования в импульсных устройствах и устройствах с фазовым управлением. Логический вход позволяет управлять тиристором непосредственно от микроконтроллера.

Логика

74^УСШ6832:7/28 адресный регистр с 3 устойчивыми состояниями

Микросхемы этой модели предназначены для использования в устройствах, в которых

четыре ячейки памяти управляются по одной адресной шине.

При высоком логическом уровне схема работает в качестве буфера, у которого две группы из семи выходов контролируются по двум запускающим входам.

При низком логическом уровне схема работает в качестве управляемого D-триггером регистра.

• 7 каналов с адресацией 1 на 4 бит.

• Напряжение питания от 2,3 В до 3,6 В.

• Рабочий диапазон температур от -40 до +85 °C.

• Не требуются внешние нагрузочные резисторы.

74LVT573: Счетверенный D-триггер с тремя устойчивыми состояниями и напряжением питания 3,3 В

• Напряжение питания 3,3 В (BiCMOS-технология).

• Входы и выходы с противоположных сторон корпуса.

• Выходные буферы с тремя состояниями.

• Дополнительный общий выход.

• TTL-совместимы выходы и входы.

• Для поддержки неиспользуемых входов не требуются внешние резисторы.

• При подключении к шине 5 В нет тока нагрузки.

• Защита от перегрузок по току в соответствии с JEDEC.

• Функция «сброс питания».

• Электростатическая защита в соответствии со стандартом MIL STD 883.

74AHC1GU04 — высокоскоростной CMOS-

инвертор

74AHC1G04; 74AHCT1G04 — высокоскоростной CMOS-инвертор 74AHC1G02,74AHCT1G02 — высокоскорос-той логический CMOS-элемент «или-не» с двумя входами

74AHC1G126, 74AHCT1G126 — высокоскоростной неинвертирующий буфер/линейный драйвер с тремя устойчивыми состояниями 74AHC1G86, 74AHCT1G86 — высокоскоростной логический элемент «исключающее или» с двумя входами

74AHC1G00; 74AHCT1G00: высокоскоростной логический элемент «и-не» с двумя входами 74AHC1G14, 74AHCT1G14 — высокоскоростной триггер Шитта 74AHC1G79, 74AHCT1G79 — высокоскоростной D-триггер

• Симметричный выходной импеданс.

• Нечувствительность к внешним наводкам.

• Защита от перегрузок по напряжению.

• Низкая мощность рассеивания.

• Согласованная скорость переключения.

• Миниатюрный 5-выводной корпус.

• Диапазон рабочих температур от -40 до +125 °C.

74AHC1G66, 74AHCT1G66 — высокоскоростной двунаправленный аналоговый переключатель

• Два входа/выхода (Y/Z).

• Активный разрешающий вход (E) с высоким уровнем в нормальном состоянии.

• Сопротивление в открытом состоянии 26 Ом (3.0 В), 16 Ом (4.5 В), 14 Ом (4.5 В).

• Нечувствительность к внешним наводкам.

• Защита от перегрузок по напряжению.

• Низкая мощность рассеивания.

• Согласованная скорость переключения.

• Миниатюрный корпус SOT353.

• Диапазон рабочих температур от -40 до +125 °С.

74LVC02A — счетверенный логический элемент «или-не» с двумя входами

• Управление входами по цепям 3,3 или 5,0 В.

• Напряжение питания от 1,2 до 3,6 В.

• Низкое энергопотребление.

• TTL-совместимость.

• Максимальный входной сигнал до 5,5 В.

• Рабочий диапазон температур от -40 до +125 °С.

PTN3151:распределитель тактовой частоты 1/10

Предназначен для работы с устройствами стандарта LVTTL. Эта микросхема обеспечивает разветвление тактовой частоты, подаваемой на ее вход, по десяти различным каналам.

• Искажения тактовой частоты — не более 10 пс (output-to-output).

• Защита входов и выходов от перегрузок по напряжению.

• LVTTL-совместимые входы и выходы.

• Дополнительный выход для источника опорного напряжения.

• Входной понижающий резистор — 75 кОм.

• Напряжение питания от 3,0 В до 3,6 В.

• Функциональный аналог CDC351 (Texas Instruments).

• Диапазон рабочих температур от -40 до +85 °C

• Корпус: PTN3151D — SO-24, PTN3151DB — SSOP-24.

PCA9515 — шинный ретранслятор для UC/SM

• Двухканальный, двунаправленный буфер.

• IIC, SMBus — совместимость.

• Входы/выходы с открытым коллектором.

• Напряжение питания от 3,0 до 3,6 В.

• Вход 5 В.

• Диапазон частот от 0 до 400 кГц.

• Корпуса SO и TSSOP.

CBT3384:10-разрядный шинный переключатель с пятью выходами

• Температурный диапазон от -40 до +85 °C.

• Сопротивление ключа в замкнутом состоянии — 5 Ом.

• TTL-совместимые входы и выходы.

• Защита от отрицательного выброса перед фронтом импульса (диод Шотки).

• Защита от перегрузок по току в соответствии с JEDEC.

• Электростатическая защита в соответствии со стандартом JESD22.

CBTD3384:10- разрядный сдвиговый шинный переключатель с пятью выходами

• Температурный диапазон от -40 до +85 °C.

• Сопротивление ключа в замкнутом состоянии — 5 Ом.

• TTL — совместимые входы и выходы.

• Рабочий диапазон напряжений от 3,3 до 5 В.

• Электростатическая защита в соответствии со стандартом JESD22-A114/JESD22-C101.

• Защита от перегрузок по току в соответствии с JESD78.

PCKV857: дифференциальный формирователь синхронизирующих импульсов 70-190МГц (1:10)

Є

Компоненты и технологии, № 3'2002

• Ультранизкие значения сдвига фазы и флук- •

туации временного положения синхронизи- • рующих импульсов (меньше 100 пс); •

• Дифференциальные входы и выходы. •

• Напряжение питания от 2 до 5 В.

• Диапазон рабочих температур от 0 до +70 °C; •

• Электростатическая защита в соответствии •

со стандартами JEDEC, JESD22.

• Защита от перегрузок по току в соответствии • со стандартом JEDEC, JESD78.

• Опция удвоения скорости передачи данных; •

• Распределение тактовой частоты по 10 ка- •

налам.

• Ультра низкие значения сдвига фазы и флук- •

туации временного положения синхронизирующих импульсов (меньше 100 пс). •

• Рабочее напряжение от 2,2 до 2,7 В.

• SSTL-совместимые интерфейсы синхрони- • зирующих выходов.

• CMOS-канал для контроля входного сигнала. •

• Широкий спектр преобразования тактовых •

частот.

• Корпус TSSOP-48 and TVSOP-48 SSTV16857:14-разрядный SSTL-совместимый буферизованный драйвер с дифференциальными тактовыми входами

• Предназначены для работы в модулях DIMM (Dual In-Line Memory Module).

• Рабочее напряжение от 2,3 до 2,7 В.

• Выходы, согласованные с емкостной нагрузкой или устройствами типа «интерфейсные заглушки».

• Асинхронная установка всех регистров в нулевое состояние при выполнении функции RESET.

• Функция удвоения частоты DDR (Double Data Rate) от 133 МГц до 266 МГц.

• Входные сигналы в соответствии со стандартом JESD8-9 SSTL_2.

• Электростатическая защита в соответствии со стандартом JEDEC.

• Корпуса TSSOP-48 и TVSOP-48.

Микроконтроллеры

80C31X2/32X2,80C51X2/52X2/54X2/58X2: семейство дешевых 8-разрядных низковольтных высокоскоростных микроконтроллеров

• ЦПУ — 80C51.

• Напряжение питания — от 2,7 до 5 В.

• Тактовая частота — 30/33 МГц.

• ROM/EPROM — 4 Кбайта для 80/87C51X2.

• ROM/EPROM — 8 Кбайт для 80/87C52X2.

• ROM/EPROM — 16 Кбайт для 80/87C54X2.

• ROM/EPROM — 32 Кбайта для 80/87C58X2.

• RAM— 128 байт для 8xC31X2/51X2.

• RAM — 256 байт для RAM

8xC32X2/52X2/54X2/58X2.

• 32 многофункциональные двунаправленные программно-настраиваемые линии ввода-вывода (четыре 8-битовых порта I/O).

• Три 16-битовых таймера.

• Полнодуплексный UART.

• Дополнительные интерфейсы UART и SPI.

• Встроенный кварцевый генератор.

• Четыре уровня приоритета прерываний.

• Шесть источников прерываний.

• Асинхронный порт сброса.

• Режим обработки — 6 и 12 тактов на команду (30/33 МГц).

• Защита ROM — 2 бита.

• Защита OTP — 3 бита.

• Защита пользователя — 64 бита.

• Возможности адресации — 64 Кбайта ROM и 64 Кбайта RAM.

• Статический режим работы.

• Два программируемых режима снижения мощности (ожидание и полное отключение).

• Сохранение времени и даты при отключении питания.

• Совместимость с CMOS- и TTL-изделиями.

• Функция обнаружения ошибки синхронизации.

• Функция автоматического контроля адресации.

• Автоматическое восстановление работоспособности после при перебоях питания.

• Низкая восприимчивость к внешним электромагнитным наводкам.

• Расширенный температурный диапазон.

• Корпус — PLCC, DIP, LQFP.

89C51Rx2 или 89C66x: микроконтроллеры, изготовленные по расширенной CMOS-технологии

Эти серии являются дальнейшим развитием семейства 80C51. Все устройства совместимы по кодам с 80C51.

• 80C51-совместимое ЦПУ.

• Flash-память программ на кристалле.

• Тактовая частота до 33 M^.

• Работа от нулевой частоты.

• Расширяемое ОЗУ (до 64 К).

• 4 уровня приоритета прерываний.

• 6 источников прерываний.

• Четыре 8-разрядных порта ввода-вывода.

• Полнодуплексный расширенный UART.

• Обнаружение ошибок кадра.

• Автоматическое распознавание адреса.

• Три 16-разрядных таймера-счетчика T0, T1 (стандартный 80C51) и дополнительный T2 (с возможностью захвата и сравнения).

• Режимы управления энергопотреблением.

• Останавливаемый тактовый генератор.

• Режим ожидания.

• Режим отключения.

• Программируемый выход тактового сигнала.

• Второй регистр DPTR.

• Асинхронный сброс портов.

• Режим работы с низким ЭМИ (отключение сигнала ALE).

• Функция «пробуждение» от внешнего прерывания.

89C51/89C52/89C54/89C58: семейство 80C51 8-разрядных микроконтроллеров с Flash-памятью объема 4K/8K/16K/32K Микроконтроллеры 89C51/89C52/89C54/89 C58 содержат энергонезависимую параллельно программируемую Flash-память программ.

Для устройств, программируемых в системе (ISP) или с возможностью самопрограммирования, смотрите документацию на микроконтроллеры семейств.

Стандартные аналоговые микросхемы

NE56604-42: схема сброса со встроенным таймером watchdog

• Прямой и инверсный сигнал сброса.

• Задержка сигнала включения контроллера.

• Встроенная программируемая функция watchdog (время мониторинга 100 мс). NE56605-42: схема сброса со встроенным

таймером watchdog

• Прямой и инверсный сигнал сброса.

• Задержка сигнала включения контроллера.

• Встроенная программируемая функция watchdog (время мониторинга 10 мс). SA58603: Прецизионный сдвоенный операционный усилитель со встроенным компаратором и источником опорного напряжения

• Напряжение питания — 1,8-6 В.

• Ток потребления— 100 мкА.

• Напряжение смещения — 100 мкВ.

• Входной ток — 50 нА.

• Напряжение опорного источника — 1,27 В.

• Дрейф напряжения опорного источника — 100 ррм/ °С.

• Корпус SO8.

BDG702: сдвоенный линейный малошумя-щий усилитель мощности RF-диапазона

• Диапазон частот — 750 МГц.

• Коэффициент усиления — 18,5 дБ.

• Корпус SOT115.

BGA2748, BGA2771, BGA2776: Широкополосный малошумящий усилитель 900 МГц в корпусе SOT363 SA57003: 5-канальный, сверхмалошумящий стабилизатор напряжения с малыми потерями

• Корпус TSSOP16.

• Выходное напряжение — регулируемое 2-5 В.

• Ток — 0,2 А.

• Падение напряжения — 0,15 В.

• Предельная температура — 85 °С.

• Защита от перегрузки по току и перегрева. NE1617A/NE1618—мониторы температуры для микропроцессорных систем

• Аналог MAX1617 иADM1021.

• Данные о температуре считываются из внутреннего регистра по 2-проводному SMBus-интерфейсу.

• Программируемые пороги срабатывания.

• Ждущий режим.

• Возможность одновременного контроля до 9 датчиков по одной SMBus-шине.

• NE1618 — прецизионный двухканальный монитор температуры с разрешением до 0,125 °С и точностью измерения температуры ±1 °С.

• NE1617A имеет точность измерения температуры ±2 °С для локального датчика на кристалле и ±3 °С для удаленного датчика.

• Не требует предварительной калибровки.

• Напряжение питания от 3 до 5,5 В.

• Ток потребления — 70 мА.

• Ток в режиме ожидания 3 мкА.

• Корпус QSOP-16.

SA57004: Малошумящий линейный МОП-стабилизатор напряжения для батарейных применений

• Максимальный ток 150 мА.

• Выходное напряжение 1,8-5 В.

• Ток потребления 1,5 мкА в рабочем режиме и 0,1 мкА в дежурном режиме.

• Низкое время отклика.

• Встроенный источник опорного напряжения.

• Ограничение выходного тока.

• Корпус SOT23-5.

Є

Компоненты и технологии, № 3'2002

SA57000**: первое в мире семейство стабилизаторов с малыми потерями, не требующих применения сглаживающих емкостей Стабилизаторы SA57000 с фиксированным выходным напряжением 2,5-3,6 В не нуждаются в выходной емкости благодаря практически нулевому значению выходного сопротивления. Это также позволяет стабилизировать температурные характеристики и снизить потери.

• Стабильные выходные характеристики, независимо от емкости и ESR нагрузки.

• Низкий уровень шумов (<30 мкВ) без выходной емкости.

• Ограничение выходного тока 150 мА.

• Падение напряжения 50 мВ при токе 50 мА.

• Защита от перегрузки по току и перегрева.

• Ток потребления менее 80 мкА.

• Стабильность выходного напряжения — 0,02 %/мА по нагрузке и 0,1 %/В по входному напряжению.

• Корпус SOT23.

SA57001**: микроминиатюрный маломощный прецизионный стабилизатор с малыми потерями и током до 200мА

SA57003: Микроминиатюрный маломощный малошумящий стабилизатор с малыми потерями. Имеет пять независимых выходов.

SA57022**: микроминиатюрный маломощный прецизионный стабилизатор с малыми потерями и током до 500 мА

UBA2032: высоковольтный драйвер полного моста для HID (High Intensity Discharge) ламп Драйвер UBA2032 выполняет все необходимые функции управления HID лампами и содержит бутстрепный диод, высоковольтное устройство сдвига уровня, регулируемый задающий генератор. Драйвер обеспечивает плавный запуск и защиту от перегрузок.

• Выходное напряжение — до 570 В.

• Пусковой ток — 0,7 мА.

• Выходной ток — 260 мА.

TDA8920: Однокристальный аудиоусилитель классаD

Стерео усилитель TDA8920 работает в режиме класса D, обеспечивая низкий коэффициент гармоник и малые потери.

• Эффективность (кпд) более 90 %.

• Выходная мощность — 2х50 Вт.

• Суммарный коэффициент гармоник — 0,02 %.

• Защита от перегрузки и перегрева.

• Защита от ESD.

LF398: Прецизионный усилитель выборки-

хранения

• Напряжение питания ±5... ±18 В.

• Время реакции — 10 мкс.

• Вход TTL, PMOS, CMOS.

• Низкий уровень шумов.

• Нелинейность 0,004 %.

Интеллектуальные силовые ключи

PIP3106-D PIP3107-D PIP3203 PIP3206 BUK127 BUK217

• TrenchMOS выходной каскад.

• Ограничение тока.

• Защита от перегрузки по току, напряжению и перегрева.

• Диагностика.

• Защита от ESD.

BUK218-50DC: сдвоенный TOPFET интеллектуальный ключ верхнего уровня

• Корпус SOT427.

• Напряжение — 50 В.

• Ток— 8 А.

• Сопротивление открытого канала — 40 мОм.

• Мощность 83 Вт.

• Активное ограничение тока.

• Термозащита.

• Защита от перенапряжения и падения напряжения.

• Защита от ESD.

Микросхемы для видео

TDA8359J мостовая схема вертикального отклонения LVDMOS TDA8359J предназначена для использования в отклоняющих системах цветных телевизоров.

• Отклонение 90° и 110°.

• Диапазон частот от 25 Гц до 200 Гц (4:3 и 16:9 трубки).

• Минимальное количество внешних компонентов.

• Полностью DC-сопряженная схема вертикального отклонения.

• Защита от перегрузок по току и температуре.

• Улучшенная система экранирования электромагнитного излучения.

SAA7128AH; SAA7129AH; SAA7148AH; SAA7149AH: Цифровые кодеры видеосигнала, содержащие тактовый генератор иЦАП

• Напряжение питания 3,3 В, шина управления — I2C, 5 В.

• Цифровая кодировка PAL/NTSC.

• Рабочая частота 13,5 МГц.

• Частота обмена информации 54 МГц.

• Три ЦАПа для сигналов CVBS (CSYNC), VBS (CVBS), C (CVBS) с разрешением 10 бит.

• Три ЦАПа для сигналов RED (C R), GREEN (Y), BLUE (C B) с разрешением 9 бит.

• Подавление перекрестных искажений.

• Телетекст в стандарте WST, NABTS.

• 400 кГц шина управления I2C.

• Синхронизация кадровой и строчной развертки.

• Встроенный тактовый генератор.

• Режим автоматического отключения и дежурный режим.

• Корпус QFP44.

SAA8103: генератор видеосигнала для систем непрерывной передачи данных

Предназначен для работы с ПЗС-датчиками изображения: FXA1012, FXA1013, FXA1022, FXA1004, FTF2020, FTF3020, FTT1010 и обработки видеосигнала.

• Генератор синхросигнала.

• Поддержка режима сканирования, мониторинга.

• Управление по шине I2C.

BGE847BO; BGE847BO/FC0; BGE847BO/SC0: BGO847; BGO847/FC0; BGO847/SC0: Малошу-мящие приемники оптического сигнала 870МГц

• Высокая линейность.

• Выход, совместимый с CATV.

• Высокая надежность.

Варикапы

BB200, BB201: низковольтные сдвоенные варикапы в SMD-корпусах

BB145C: Прецизионный варикап в миниатюрном корпусе SOD523

• Высокое емкостное отношение.

• Отношение C1/C4 в диапазоне от 2,39 до 2,53.

Микросхемы для телефонии

UAA3515A: Законченный приемо-передаю-щий интегральный модуль для беспроводных 900 МГц-телефонов В состав модуля входят:

• Передатчик с частотной модуляцией.

• Узкополосный приемник.

• Усилитель с низким уровнем шумов.

• Устройство подавления помех от зеркального канала.

• ЧМ-детектор на 10,7 МГц со встроенным ограничителем по промежуточной частоте.

• Широкополосный демодулятор.

• Выходной усилитель с возможностью подключения индикатора уровня принимаемого сигнала.

• Детектор несущей частоты с регулируемым порогом.

• Программируемый усилитель-ограничитель.

• Экспандер.

• Регулируемый выходной аудиоусилитель.

• Перестраиваемый кварцевый генератор.

• Программируемый делитель несущей частоты с выходом на микроконтроллер.

• Опорный источник делителя частоты.

• Узкополосный передатчик.

• Суммирующий усилитель.

• Компрессор с автоматическим контролем уровня сигнала.

• Микрофонный усилитель.

• 3-проводный последовательный интерфейс.

• Стабилизатор напряжения и устройство контроля питания.

BGY282: Двухканальный дециметровый усилительный модуль для GSM900/1800в керамическом корпусе SOT632A

• Два независимых канала для GSM900 и GSM1800 со встроенным устройством переключения и контроля мощности.

• Напряжение питания — 3,5 В.

• Выходная мощность 33 дБм для GSM1800.

• Выходная мощность 35 дБм для GSM900.

• Программируемый уровень выходной мощности и выбора канала с помощью внешнего постоянного напряжения.

Заключение

Подробную информацию о новых разработках Philips Semiconductors можно найти по адресу http://www-eu3.semiconductors.com/news.

Отдел технической поддержки фирмы МегаЭлектроника проводит регулярную рассылку обзоров Philips News на русском языке в виде pdf-файлов.

Для того, чтобы подписаться на эту бесплатную рассылку, достаточно подать заявку по адресу [email protected].