Научная статья на тему 'Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком'

Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
35
16
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Область наук
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком»

60 Секция 3

Моделирование самоорганизации локализованных зарядов на границе полупроводника с подзатворным диэлектриком

О. А. Ткаченко1, Д. Г. Бакшеев2, О. П. Сушков3, В. А. Ткаченко12 1Институт физики полупроводников СО РАН 2Новосибирский государственный университет 3University of New South Wales Email: [email protected] DOI: 10.24411/9999-017A-2019-10120

Мы применили алгоритм Метрополиса [1] и теорию однокомпонентной плазмы к моделированию изолированной системы отрицательных зарядов, находящейся в тепловом равновесии на поверхности нелегированной полупроводниковой структуры. Учтено присутствие зарядов изображения в металлическом затворе вместо обычно подразумеваемого однородного нейтрализующего фона [2]. Расчеты зависимости структурного фактора от волнового числа q показывают, что самоорганизация поверхностных зарядов существенна даже при эффективной температуре 1000 К. Это позволило объяснить результаты измерений квантового и транспортного времен рассеяния двумерных носителей в соответствующих структурах.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (код проекта 19-72-30023). Список литературы

1. Metropolis N., Rosenbluth A. W., Rosenbluth M. N., Teller A. H., Teller E. Equation of State Calculations by Fast Computing Machines// J. Chem. Phys. 1953. V.21. P. 1087- 1091.

2. Gann R. C., Chakravarty S., Chester G. V. Monte Carlo simulation of the classical two-dimensional one-component plasma//Phys. Rev. B. 1979. V.20. P. 326-344.

Сравнительный анализ ядерных и проекционных оценок интенсивности излучения

Н. В. Трачева1, С. А. Ухинов2

1Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН

2Новосибирский государственный университет

Email: [email protected]

DOI: 10.24411/9999-017A-2019-10121

В докладе рассматриваются два различных подхода к численному решению одной задачи теории переноса излучения - задачи аппроксимации двунаправленных угловых характеристик поляризованного излучения, прошедшего и отраженного слоем поглощающего и рассеивающего вещества.

Первый из рассматриваемых подходов основан на разложении двунаправленной угловой плотности распределения поверхностного и подповерхностного рассеивания по базисным полиномам, орто-нормированным с ламбертовским весом. Коэффициенты данного разложения являются математическими ожиданиями случайных величин от некоторых стандартных функций, что позволяет применить метод Монте-Карло.

Второй из рассматриваемых подходов - двумерная ядерная оценка угловой плотности распределения поверхностного и подповерхностного рассеивания. Обсуждается специфическая для поставленной задачи методика выбора оптимальной "полосы пропускания" для равномерной функции ядра.

Для обоих подходов приводится сравнительный обзор численных результатов, полученных для угловых плотностей вероятностей интенсивности и степени поляризации излучения.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (код проектов 17-01-00823, 18-01-00356, 18-31-00213).

Статистическое моделирование переноса оптических сигналов через взволнованную поверхность

О. С. Ухинова1, Б. А. Каргин1,2

1Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН.

2Новосибирский государственный университет

Email: [email protected]

DOI: 10.24411/9999-017A-2019-10122

Строгое решение подавляющего числа прямых задач оптики системы океан-атмосфера возможно лишь в статистической формулировке. Это обусловлено тем, что поле оптического излучения системы

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.