CC BY
90
Программные продукты и системы /Software & Systems
№ 4 (108), 2014
УДК 621. 382. 323 Дата подачи статьи: 04.07.2014
DOI: 10.15827/0236-235X.108.016-023
МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА В РАБОЧЕЙ ОБЛАСТИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ «ГЕРМАНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»: АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ И ЕЕ ПРИЛОЖЕНИЯ
Н.В. Масальский, к.ф.-м.н., зав. сектором, [email protected] (НИИСИ РАН, Нахимовский просп., 36, корп. 1, г. Москва, 11 7218, Россия)
Обсуждаются вопросы моделирования характеристик транзисторных структур, выполненных по технологии нового поколения - «германий на изоляторе». Рассматривается один из возможных подходов к аналитическому решению 2D-уравнения Пуассона для потенциала в рабочей области полевого двухзатворного нанотранзистора со структурой «германий на изоляторе» и архитектурой «без перекрытия областей затвора и стока/истока». Для потенциала получено аналитическое решение уравнения Пуассона с использованием принципа суперпозиции.
Рассматриваются физические ограничения технологических параметров исследуемых транзисторных структур для оптимизации их электрофизических характеристик, в частности, эффективного подавления короткоканальных эффектов. Показывается, что в исследуемых устройствах эти эффекты проявляются в большей степени, чем в аналогичных структурах «кремний на изоляторе».
На основе численных решений уравнения Пуассона анализируются зависимости от технологических параметров ряда основных электрофизических характеристик, таких как распределение потенциала в рабочей области, порогового напряжения и крутизны подпороговой характеристики. Нелинейный характер полученных зависимостей обусловлен экспоненциальным ростом объемного заряда в рабочей области транзистора. Для выбранных топологических норм оптимизация параметров, определяющих области стока и истока, предоставляет дополнительную степень свободы управления ключевыми характеристиками наряду с толщиной рабочей области и подзатворного окисла фронтального затвора, что важно при анализе применимости транзисторных структур «германий на изоляторе».
Ключевые слова: структура «германий на изоляторе», двухзатворный полевой нанотранзистор, аналитическая модель, распределение потенциала, пороговое напряжение, подпороговый наклон.
На современном этапе развития микроэлектроники формируется новое направление - создание на структурах «германий на изоляторе» высокоэффективных микросхем для сверхвысокопроизводительных вычислительных систем [1]. Во всех ведущих мировых исследовательских центрах ведутся поисковые исследования теоретических принципов моделирования, включая такой важный этап, как разработка аналитических моделей, применимых для схемотехнического моделирования [2] и проектирования сверхбольших интегральных схем (СБИС) на структурах «германий на изоляторе», а также разработка требований к технологии их изготовления [3].
Двухзатворные полевые транзисторы - одна из самых многообещающих архитектур для реализации рубежей, заявленных в новом направлении [1-4]. Двухзатворная архитектура обладает уникальными возможностями для масштабирования микросхем в наноразмерной области [2-6]. Она более гибкая, потому что по сравнению с традиционными планарными полевыми транзисторами больше параметров, таких как толщина рабочей области, толщина окиси фронтального и обратного затвора, легирование подложки, девиация затворных напряжений, могут быть использованы для оптимизации их физических характеристик. Она позволяет существенно уменьшить проявление таких короткоканальных эффектов (ККЭ), как roll-off порогового напряжения, DIBL-эффект и рост крутизны подпороговой характеристики.
При этом следует учесть, что ККЭ эффективно подавляются в тонких пленках, формирующих транзисторную структуру.
Концепция транзистора «без перекрытия» затвора и стока/истока, которые сформированы в виде вытянутых областей, является одной из практически значимых из обширного семейства двухзатворных транзисторных архитектур [2, 5-7]. Кроме существущих преимуществ она имеет еще дополнительные степени свободы для оптимизации подавления ККЭ [6, 7] и представляет практический интерес с позиции создания низко -вольтных нанотранзисторных СБИС с малой потребляемой мощностью. В настоящей работе в качестве прототипа транзисторной структуры «без перекрытия» (рис. 1) рассматривается аналогичная широко используемой структуре «кремний на изоляторе» (КНИ) с полностью обедненной рабочей областью, в которой кремний заменен на германий.
Отталкиваясь от апробированных подходов создания аналитических моделей двух затворных полевых КНИ нанотранзисторов, учитывающих основные физические характеристики [2, 6], в данной работе представлена 2D-аналитическая модель распределения потенциала в рабочей области транзистора выбранной архитектуры со структурой «германий на изоляторе». Численно исследованы поведение потенциала в зависимости от длины канала, толщины рабочей области и фронтального затвора, а также поведение таких
16
Программные продукты и системы /Software & Systems
№ 4 (108), 2014
t
Ge
Рис. 1. Схема транзистора с архитектурой «без перекрытия»:
1 - область стока; 2 - область истока; 3 - рабочая область; 4 - фронтальный затвор;
5 - фронтальный подзатворный окисел; 6 - обратный затвор; 7 - погруженный окисел; пунктирными линиями показаны профили концентрации легирования стока/истока; Lg - длина затвора; Lff - эффективная длина канала; Ls - длина зазора; tGe - толщина пленки германия (рабочей области); tf - толщина окисла фронтального затвора; tb - толщина окисла обратного затвора;
Npk - максимальная концентрация легирования областей стока и истока
Fig. 1. Transistor scheme with architecture "without overlapping"
ключевых характеристик транзистора, как пороговое напряжение и крутизна подпорогового наклона, где распределение потенциала играет решающую роль.
Распределение потенциала
Для нахождения равновесного распределения потенциала в анализируемой транзисторной структуре рассмотрим квазиклассическую задачу в рамках концепции зарядового разделения [3]. Отметим, что возможность использования данного приближения означает также и выбор начала отсчета потенциала ф. В общем случае необходимо решать самосогласованную задачу, связанную с нахождением распределения 2Б-потенциала рабочей области ф(х, у), где оси x и у выбраны в соответствии с рисунком 1. 2Б-уравнение Пуассона в рабочей области рассматриваемой структуры имеет вид
д2ф Эф _ дх2 ду2
_ 2
= — ( Na - N^e”
0Ge
L (1+2л)-x2
N^e ”2 ),
(1)
где q - заряд электрона; еве - диэлектрическая проницаемость германия; NA - концентрация легирования рабочей области; Lg - длина затвора; nD - максимальная концентрация легирования
областей стока и истока; а = ^/2pLgg /ln10 - параметр, определяющий крутизну гауссова профиля примеси в областях стока и истока вдоль оси х;
g - градиент легирования областей стока и истока; р - масштабный фактор, характеризующий отношение длин зазора и затвора р = Ls/Lg, со следующими граничными условиями:
d ф( х, у)
dx
d ф( х, у)
Cf
= _£ (ф(х, 0) - Uf + U )
dx
у=0
у=>G
= -^ (ф(х, tGe ) - Ub + Upb );
О b
Ge
ф(0, у)= Ubi,
ф^ф у) = ф(0, у) + Uds,
где tGe - толщина рабочей области транзистора; Lef - эффективная длина канала; Cf - емкость фронтального затвора; Cb - емкость обратного затвора; Uf - напряжение на фронтальном затворе; Ub - напряжение на обратном затворе; U - напряжение плоских зон на фронтальном затворе; U - напряжение плоских зон на обратном за-
творе; Ubi - встроенная разность потенциалов; Uds - напряжение сток-исток.
Отметим, что последнее граничное условие действует при x=Leff , а не Lg, как для приборов с крутым (близким к вертикальному) профилем областей стока и истока. Эффективная длина канала, включающая вклад вытянутых областей стока и истока к длине затвора, моделируется выражением
Lff = Lg (1 + 2р) - 2”/ln(ND / t^SD ) c тремя компонентами: Lg, р и g, последний из которых выражается через параметры а и QSD. Коэффициент 2 вытекает из симметричности рассматриваемой транзисторной структуры (наличие одинаковых по форме областей стока и истока). Выражение
17
Программные продукты и системы /Software & Systems
№ 4 (108), 2014
S = Ls -a)ln(nsD /^) определяет согласование
распределения концентрации вытянутых областей стока и истока и канальной длины и, соответственно, их вклад в эффективную длину канала, где Qsd = 2,25х10191и(/п)+1,5х1019определяет уровень легирования областей стока и истока, при котором экстрагируется значение эффективной длины Lj Отношение Lg/Ls в QSD подчеркивает, что для больших зазоров (ц>1) фронтальный затвор фактически не влияет на области стока и истока. В геометрическом приближении вклад областей стока и истока в величину параметра Leff можно представить как расстояние от края затвора до некоторой точки на границе легирования сто-ка/истока. Это аппроксимируется через параметр Qsd в выражении для Lj, то есть пограничный уровень легирования определяется через параметр эффективного сток/исток-уровня легирования QSD. Следует отметить, что аналитическое выражение для Leff хорошо согласуется с эффективной длиной, экстрагированной из результатов численного 2Б-моделирования.
Для моделирования анализируемых транзисторных структур начало координат (0; 0) для х и у (как правило, это край затвора для классических структур с вертикальными областями стока и истока) приемлемо сдвинуть на расстояние +L, от края затвора. Эта позиция начала координат зависит от значений ц и g. Сдвиг от затвора в область стока будет возрастать для больших ц и малых g. Следовательно, AL = LeJf - Lg > 0 при Q > 0, тогда как отрицательные значения Q <0 показывают, что начало координат (точка отсчета) располагается под затвором (в направлении к стоку) и как результат AL < 0.
Решение уравнения Пуассона (1) в общем случае аналитически невозможно. Одним из путей решения является предположение о характере распределения потенциала в рабочей области. С учетом вышеизложенных приближений, в частности, исключения из рассмотрения второго и третьего членов в правой части, допустимо применить принцип суперпозиции для потенциала, то есть разделить 2D-потенциал на два [6, 8]. Один соответствует длинноканальному случаю. Второй определяется ККЭ. Распределением первого потенциала ф(ш)(у) является решение ID-уравнения Пуассона. Распределение второго потенциала ф(ж)(х, у) вытекает из решения 2D-уравнения Лапласа. Тогда обобщенный потенциал можно представить в виде
ф(х, у) = ф(ш)(у) + ф(щ)(х, у), (2)
где ф(ш) (y) = -ф0 + — (фо - Uf + U )y + qNA у2;
sGe f SGe
x-Leff \
да Kn----- -------X
ф(2В) (x, у) = £ Dn (y)(4,e G + Bne ));
n=l
фо :
Uf -UFB
(Uf - UFBf )(Cf + Cm + Cb f ) - qNAtGe (CGe + 0, 5Cf )
Ub UFBb ■
Ct +Cm +Cb
c =■
C C
v_x /-V-Xt
f^b .
C
A =■
exp(-2X nLeff ) -1
(e ^ -1) J Dn (y)(Ubi -yiD\y))dy - J UD (y)dy
J Dl(y)dy
B =-
1
eXV(-2KLeff ) -1
(e 'Lr -1) J Dn (y)(Ubl + Ud! -ф(1в)( y))dy - e-"l‘L J UJ (y)dy
J Dl( y)dy
Ge
х
0
X
C
Dn(y) = sin(X„y) + KCLC0S(Ky),
Cb
где граничные условия для уравнения Лапласа можно представить в виде ф(2г9)(0, у) = Ubi - ф^ (у) и dW)(Leff, у) = Ubi + Ubs - ф^ (у); ф^ - фронтальный поверхностный потенциал; CGe - емкость рабочей области; An, Bn, Dn - нормировочные коэффициенты; Х„ - собственные значения.
В рассматриваемом случае, следуя [7], характеристическое уравнение для собственных значений запишем, например, в виде
tan(^ntGe ) =
SGe (Cf + Cb )К
(3)
'Г'ь
С собственными значениями связана характеристическая длина l, которая, как известно, в модельных представлениях является индикатором проявления ККЭ в рассматриваемых транзисторных структурах [4]. Их связь определяется выра-
n
жением l = yk [8].
Численно рассчитанные зависимости характеристической длины от толщины рабочей области и фронтального затвора приведены на рисунке 2.
Характеристическая длина является функцией толщин пленок, формирующих канальную область транзистора. В идеальном случае для полного подавления ККЭ должно быть выполнено условие Lj / l >> 1. Варьированием значений градиента и зазора достигается модуляция эффективной длины канала Leff, а варьированием толщины фронтального затвора tf и толщины рабочей области tGe реализуется изменение характеристической длины l. В итоге получаем четыре степени свободы для минимизации ККЭ. Считается, что для схемотехнических приложений условие эффективного подавления ККЭ сводится к виду LeJf /I >2 [9].
18
Программные продукты и системы /Software & Systems
№ 4 (108), 2014
l, нм l, нм
Рис. 2. Характеристическая кривая зависимости а) характеристической длины от толщины пленки tGe для толщины подзатворного окисла 1 нм; б) нормированной характеристической длины от толщины подзатворного окисла для толщины пленки tGe = 5 нм. Для диапазона tGe от 5 нм до 10 нм, в относительных единицах данная зависимость инвариантна
Fig. 2. Characteristic curve
Следуя методике, рассмотренной в [7], по двум данным зависимостям (рис. 2) можно определить собственное значение для любой комбинации tGe, tf из области допустимых значений по правилу l = l(tGe)l(tf). Опираясь на результаты из работ [7, 9] и на рисунок 2, можно оценить степень проявления ККЭ при использовании различных материалов, формирующих транзисторную структуру. В случаях, когда значения толщины близки к предельным, наименее уязвимой от проявления ККЭ является традиционная структура КНИ. Так, например, при толщине рабочей области 5 нм и толщине фронтального затвора 1 нм значение характеристической длины составляет 9,9 нм, для структуры «германий на изоляторе» - 12,6 нм и для КНИ с фронтальным затвором окиси гафния -13,3 нм. С точки зрения создания высокоэффективных микросхем переход на германий более перспективен по сравнению со структурами КНИ с фронтальным затвором из окиси гафния. Поскольку с учетом условия Lef /l >2 из предыдущего абзаца в структурах «германий на изоляторе» ККЭ будут проявляться при меньших длинах затвора, в совокупности с более высокой подвижностью это обусловит выигрыш в быстродействии и рассеиваемой мощности [1, 3].
На рисунке 3 приведены результаты расчетов латерального (вдоль канала) распределения фронтального поверхностного потенциала для двух прототипов транзисторов n-типа, отвечающих вышеизложенным требованиям со следующими параметрами: для типа 1 Lg = 45 нм, tGe = 10 нм, tf = 2,2 нм, tb = 100 нм; для типа 2 Lg = 32 нм, tGe = 8 нм, tf = 1,6 нм, tb = 100 нм.
Как следует из представленных данных, уменьшение эффективной длины канала приводит к повышению потенциала в результате модуляции длины канала. Поскольку расширение области пространственного заряда вокруг стока и истока жестко зависит от размерностей устройства, вклад областей пространственного заряда вокруг стока и истока становится значительным в более тонком устройстве с более коротким каналом.
На рисунке 4 приведены результаты расчетов распределения потенциала по глубине рабочей области (вдоль оси y) для тех же прототипов.
При подаче смещения на обратный затвор происходит перераспределение концентрации носителей в рабочей области. При положительном смещении в ней преобладают электроны, при отрицательном - дырки. (В идеальном случае рабочая область будет полностью обедненной.) В любом случае это является причиной своеобразной экранировки электрического поля в рабочей области.
ф, норм.
Рис. 3. Нормированное распределение поверхностного фронтального потенциала в единицах эффективной длины канала Lef при Uds=0,1 В, Uf=0,1 В, Ub=0, где 1 - прототип 1, 2 - прототип 2
Fig. 3. Normalized distribution of surface frontal potential
19
Программные продукты и системы /Software & Systems
№ 4 (108), 2014
ф, норм.
а) б)
Рис. 4. Нормированное распределение потенциала по глубине рабочей области по центру затвора в единицах толщины рабочей области при Uds=0,1 В, Uf=0,1 В. Изменение напряжения на обратном затворе -2, ..., 2 В: а) - прототип 1, б) - прототип 2
Fig. 4. Normalized distribution of potential on operation area depth on gate center
И, как следствие, поверхностный фронтальный потенциал практически не изменяется. Варьирование напряжения на обратном затворе в значительных пределах приводит только к изменению степени экранировки, а поверхностный потенциал практически остается постоянным.
Пороговое напряжение
В квазиклассическом приближении допустимо считать, что пороговое напряжение Uth - это затворное напряжение, при котором минимальная индуцированная плотность инверсионных зарядов достигает некоторого значения Qth, обеспечивающего генерацию канала [6]. Данное положение можно представить выражением
tGe
Qth = J Пy)/kTdy , (4)
0
где ni - индуцированная плотность носителей в канале; фтт - минимум потенциала в рабочей области.
Результаты моделирования для анализируемых устройств, приведенные на рисунке 5, иллюстрируют зависимость Uth от различных значений р.
Нелинейный характер полученных зависимостей обусловлен тем, что зависимость концентрации носителей от уровня потенциала в рабочей области в общем случае имеет экспоненциальный характер, а распределение потенциала, в свою очередь, существенно зависит от совокупности параметров, в частности l, р, g.
Приведенные результаты позволяют оценить диапазон изменения порогового напряжения при переходе от одних топологических параметров к
другим. В общем случае с уменьшением зазора пороговое напряжение Uth понижается. Снижение р определяет возрастание влияния ККЭ, которое вызывает характерное изменение Uth. Причем эффект roll-off для больших зазоров (р > 1) практически не проявляется. Для р < 1 и больших g придется прибегнуть к масштабированию толщин транзисторной структуры. Большие значения р приводят к значениям Uth, которые почти не зависят от р и слабо зависят от g. В анализируемом диапазоне абсолютная величина снижения поро-
Uth, мВ
Рис. 5. Зависимость порогового напряжения Uth от р при g=3 нм/дек, где 1 - прототип 1, 2 - прототип 2
Fig. 5. Threshold voltage relation
20
Программные продукты и системы /Software & Systems
№ 4 (108), 2014
гового напряжения (AUth) для первого прототипа составляет 49 мВ, для второго AUth =74 мВ. Следовательно, в соответствии с критерием проявления ККЭ в рассматриваемых транзисторах ККЭ не будут проявляться.
Подпороговый наклон
мость S(p) круто возрастает, начиная с некоторого значения р, характерного для конкретного значения g. Например, для g = 2 нм/дек. р = 0,62, для g = 3 нм/дек. р = 0,74, для g = 4 нм/дек. р = 0,84.
Физические ограничения: деградация ширины запрещенной зоны
Из анализа распределения потенциала можно получить приемлемую оценку величины наклона подпороговой характеристики. Предположим, что подпороговый наклон (S-наклон) связан с концентрацией носителей в точке минимума потенциала и, следовательно, с самим потенциалом фтт, тогда S-наклон может быть получен как
S = -
8U,
9 log L
> ln(10)
dUf
9 ln(«mln)
kT 9ф ,
= ln(10)---(-ф22-)-1 ,(5)
q
'-Ur
где nmm - концентрация носителей в точке минимума потенциала; k - постоянная Больцмана; T -температура.
Этот подход для оценки S-наклона широко использовался в нескольких предшествующих работах [4, 6, 7, 10]. Результаты моделирования исследуемого прототипа транзистора 2, приведенные на рисунке 6, иллюстрируют зависимость параметра S от различных значений р, g.
Из результатов расчетов следует, что подпороговый наклон, близкий к теоретическому пределу, достигается только для случая градиента легирования 2 нм/дек. и р > 1. Тогда как при превышении максимально высоких значений g возрастание величины S-наклона характеризуется неярко выраженной нелинейной зависимостью. В области р > 1 для рассматриваемого диапазона градиентов легирования значение подпорогового наклона практически не зависит от р. Для р <1 зависи-
Как известно, германий характеризуется более узкой (примерно в 2 раза) запрещенной зоной, чем кремний. В процессе формирования транзисторной структуры будут проявляться особенности, связанные с атомной структурой германия. В частности, так называемые качающиеся связи [11] образуют в запрещенной зоне дополнительные энергетические уровни. К такому же результату может привести процесс легирования. Рассмотрим, как будет влиять присутствие дискретных уровней в запрещенной зоне на ее ширину. Исследуем простую модельную задачу, когда в запрещенной зоне по три дискретных энергетических уровня с энергиями Eb E2, E3 и энергиями E4, E5, E6 симметрично расположены вблизи потолка и дна запрещенной зоны. Распределение состояний в разрешенных зонах определяется следующими соотношениями: Ns(E) = Nc при E>Ec, Nss(E) = 0 при Ec >E>Ev, NsfE) = Nv при E<Ev, где плотность состояний в зоне проводимости равна Nc, в валентной зоне - Nv и в запрещенной зоне равна нулю.
Определим зависимость изменения ширины запрещенной зоны в этом случае. Энергетическое положение краев запрещенной зоны вытекает из решения следующего трансцендентного уравнения:
n 1 ( E - E E - E Л
XN (E)wexP[~kE-— - = --, (6)
72
70
68
66
64
62
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
S, мВ/дек. 65,5
64,5
63,5
62,5
61,5
1,4
р
2,0
3,0
4,0
g, нм/дек.
а) б)
Рис. 6. Характеристические зависимости наклона подпороговой характеристики а) от р для g=3 нм/дек., б) от g для р=1
Fig. 6. Characteristic relations of subthreshold characteristic slope
21
Программные продукты и системы /Software & Systems
№ 4 (108), 2014
где Nk - значение плотности состояний, соответствующее энергии краев запрещенной зоны и примесных уровней.
Таким образом, ширина запрещенной зоны при заданной температуре Eg(T) определяется выражением Eg(T) = Ec(T) - Ev(T), а ее изменение AEg(T) соотношением AEg(T) = 8Ec(T) - 8Ev(T).
На рисунке 7 приведены результаты расчетов изменения ширины запрещенной зоны в идеальном случае и с учетом дискретных уровней в запрещенной зоне в диапазоне температур 200,
800 К. Как следует из представленных данных, в идеальном случае изменение ширины запрещенной зоны имеет линейный характер. При наличии в запрещенной зоне дополнительных дискретных энергетических уровней в области низких температур исследуемая зависимость отклоняется от линейной. Причем этот диапазон наиболее интересен разработчикам микросхем.
AEg, эВ
T, K
Рис. 7. Зависимость изменения ширины запрещенной зоны от температуры для пленки германия:
1 - идеальный случай в запрещенной зоне дискретных уровней, 2 - в запрещенной зоне по три уровня у дна и потолка
Fig. 7. Relation between band gap change and temperature for a germanium layer
Полученные модельные представления качественно согласуются с экспериментальными результатами. Как отмечено в [12], полученные при оптических измерениях экспериментальные значения Eg(T) зависят от методики их определения. Сравнение теории с экспериментами других работ, взятых из [12], тоже дают хорошие результаты. При сравнении теории и эксперимента необходимо учитывать, что значения ширины запрещенной зоны, определенные по температурной зависимости электропроводности и по измерениям спектральных зависимостей поглощения света, могут различаться. При сравнении теории и экс-
перимента особое внимание следует обратить на область низких температур, где изгиб зависимости Eg(T) обусловлен присутствием дополнительных уровней в запрещенной зоне. В общем случае величина и форма изгиба Eg(T) зависят от формы и вида плотности состояний Nss(E() как в разрешенных зонах, так и в запрещенной зоне. Очевидно и то, что причиной рассогласования экспериментальных зависимостей и теоретической является отличие истинной плотности состояний от плотности состояний модели.
В заключение отметим, что в работе рассмотрен один из возможных подходов к разработке 2Б-аналитической модели распределения потенциала в рабочей области полевого двухзатворного нанотранзистора со структурой «германий на изоляторе» и архитектурой «без перекрытия областей затвора и стока/истока». Получено аналитическое решение уравнения Пуассона с использованием принципа суперпозиции для потенциала.
Сформулированы критерии оптимизации технологических параметров исследуемых транзисторных структур для эффективного подавления ККЭ. Показано, что в анализируемых устройствах ККЭ проявляются в большей степени, чем в аналогичных структурах КНИ.
На основе полученных численных решений уравнения Пуассона проанализирована зависимость от технологических параметров ряда основных электрофизических характеристик, таких как распределение потенциала в рабочей области, порогового напряжения и крутизны подпороговой характеристики.
Так, при масштабировании потенциал в рабочей области возрастает в результате уменьшения эффективной длины канала. Поскольку расширение области пространственного заряда вокруг стока и истока жестко зависит от размерностей устройства, вклад областей пространственного заряда вокруг стока и истока становится значительным в более тонком устройстве с более коротким каналом.
Технологические параметры транзисторной структуры позволяют эффективно управлять рассматриваемыми ключевыми характеристиками, такими как пороговое напряжение и крутизна подпороговой характеристики.
Литература
1. International technology roadmap for semiconductors, 2012 ed. URL: http://public.itrs.net/International technology roadmap for semiconductor 2012 edition (дата обращения: 17.10.2012).
2. Масальский Н.В. Проблемы схемотехнического моделирования нанотранзисторов со структурой «кремний на изоляторе» // Программные продукты и системы. 2013. № 4. С. 60-67.
3. Shang H., Frank M.M., Gusev E.P., Chu J.O., Bedell S.W., Guarini K.W., Ieong M. Germanium channel MOSFETs: opportunities and challenges. IBM J. Res. Develop, 2006, vol. 50, no. 4, pp. 377-386.
22
Программные продукты и системы /Software & Systems
№ 4 (108), 2014
4. Colinge J.-P. Silicon Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluwer Acad. Publ., Boston, Dordrecht, London, 1997.
5. Kawamoto A., Sato S., Omura Y. Engineering S/D diffusion for sub-100-nm channel SOI MOSFETs. IEEE Trans Electron Devices, 2004, vol. 51, pp. 907-913.
6. Kranti A., Armstrong G. Engineering source/drain extension regions in nanoscale double gate (DG) SOI MOSFETs: Analytical model and design considerations. Solid-State Electronics. 2006, vol. 50, no. 2, pp. 437-447.
7. Masalsky N.V. Optimization of Parameters of DoubleGate Sub-20 Nanometers SOI CMOS Transistors with Architecture “without Overlapping”. Russian Microelectronics, 2012, vol. 41, no. 1, pp. 51-58.
8. Liang X., Yaur. A 2-D Analytical Solution for SCEs in DG MOSFETs. IEEE Trans Electron. 2004, vol. 51, pp. 13851391.
9. Масальский Н.В. Синтез характеристик логических вентилей на двух затворных суб-25 нм КНИ КМОП транзисторах для маломощных применений // Нано- и микросистемная техника. 2010. Т. 118. № 5. С. 41-46.
10. Chen Q., Agrawal B., Meindl J.D. A comprehensive analytical subthreshold swing (S) model for double-gate MOSFETs. IEEE Trans Electron Devices, 2002, vol. 49, no. 6, pp. 1086-1090.
11. Segev D., Janotti A., van de Walle C. Self-consistent band-gap corrections in density functional theory using modified pseudopotentials. Physical Review B, 2007, vol. 75, pp. 035201_1-035201_9.
12. Емельянов А.М. Определение изменений ширины запрещений зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. N° 6. С. 9-16.
DOI: 10.15827/0236-235X.108.016-023 Received 04.07.2014
SIMULATION OF POTENTIAL DISTRIBUTION IN THE OPERATION AREA OF THE "GERMANIUM ON AN INSULATOR” FIELD TRANSISTOR: ANALYTICAL MODEL
AND ITS APPLICATIONS
Masalsky N.V., Ph.D. (Physics and Mathematics), Head of Sector, [email protected] (SRISA RAS, Nakhimovskiy Ave. 36/1, Moscow, 117218, Russian Federation)
Abstract. The article discusses the simulation questions of transistor structures characteristics that are created according to a new generation technology "germanium on an insulator". It also considers one of the possible approaches to the analytical solution of a 2D Poisson equation for a potential in the operation area of a field double gate nanotransistor with "germanium on an insulator" structure and architecture "without overlapping of gate regions and a drain/source". The authors have received an analytical solution of a Poisson equation for a potential using superposition principle.
The paper considers physical restrictions of technological parameters of researched transistor structures for their electrophysical characteristics optimization. In particular, for effective suppression of short-channel effects. These effects are shown more in devices under study than in similar "silicon on an insulator" structures.
Based on numerical solutions of a Poisson equation the paper analyzes dependences of the main electro-physical characteristics on technological parameters. These characteristics include potential distribution in operation area, threshold voltage and a subthreshold characteristic slope. Non-linear nature of the received dependences is caused by the exponential growth of a volume charge in the transistor operation area. For selected topological norms an optimization of parameters defining drain and source regions provides an additional degree of freedom control of key characteristics along with operation area and frontal gate oxide. This is important for an applicability analysis of transistor structures "germanium on an insulator".
Keywords: structure "germanium on an insulator", double gate field nanotransistor, analytical model, potential distribution, threshold voltage, subthreshold slope.
References
1. International technology roadmap for semiconductors, 2012 ed. Available at: http://public.itrs.net/ (accessed May 27, 2014).
2. Masalsky N.V. Nanotransistors circuitry simulation problems with silicon-on-insulator structure. Programmnye produkty i sistemy [Software & Systems]. 2013, no. 4, pp. 60-67 (in Russ.).
3. Shang H., Frank M.M., Gusev E.P., Chu J.O., Bedell S.W., Guarini K.W., Ieong M. Germanium channel MOSFETs: opportunities and challenges. IBM J. Res. Develop. 2006, vol. 50, no. 4, pp. 377-386.
4. Colinge J.-P. Silicon Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluwer Acad. Publ., Boston, Dordrecht, London, 1997.
5. Kawamoto A., Sato S., Omura Y. IEEE Trans Electron Devices. 2004, vol. 51, pp. 907-913.
6. Kranti A., Armstrong G. Engineering source/drain extension regions in nanoscale double gate (DG) SOI MOSFETs: Analytical model and design considerations. Solid-State Electronics. 2006, vol. 50, no. 2, pp. 437-447.
7. Masalsky N.V. Optimization of Parameters of Double-Gate Sub-20 Nanometers SOI CMOS Transistors with Architecture “without Overlapping”. Russian Microelectronics. 2012, vol. 41, no. 1, pp. 51-58.
8. Liang X., Yaur A. A 2-D Analytical Solution for SCEs in DG MOSFETs. IEEE Trans Electron. 2004, vol. 51, pp. 1385-1391.
9. Masalsky N.V. Design of logic gate characteristics for double gate sub-25 nm SOI CMOS transistors for lower power applications. Nano- i mikrosistemnaya tekhnika [Journ. of Nano and Microsystem Technique]. 2010, vol. 118, no. 5, pp. 41-46 (in Russ.).
10. Chen Q., Agrawal B., Meindl J.D. A comprehensive analytical subthreshold swing (S) model for double-gate MOSFETs. IEEE Trans Electron Devices. 2002, vol. 49, no. 6, pp. 1086-1090.
11. Segev D., Janotti A., van de Walle C. Self-consistent band-gap corrections in density functional theory using modified pseudopotentials. Physical Review B. 2007, vol. 75, pp. 035201_1-035201_9.
12. Emelyanov A.M. Pisma v ZHTF [Applied Physics Letters]. 2009, vol. 35, no. 6, pp. 9-16 (in Russ.).
23
