CC BY
36
УДК 621.38.032
КОНТРОЛЬ ЮСТИРОВКИ ОБЪЕКТИВА СТЕППЕРА ПО ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЙ КАРТИНЕ, СОЗДАВАЕМОЙ ПРОМЕЖУТОЧНЫМ ФОТООРИГИНАЛОМ М.И. Горлов, М. А. Мешкова
В работе приводится краткое описание видов контроля юстировки степпера Ключевые слова: экспонирование, пластина, фокусировка, фоторезестивная маска
Максимальное разрешение объектива (1.0мкм для степпера ЭМ-584А)1 достигается при полном попадании участка размером 10 х 10мм в фокальную плоскость объектива, что имеет место при строгой параллельности промежуточного фотооригинала (ПФО), фокальной плоскости объектива и поверхности пластины. Кроме того, в этом случае достигается и максимальная глубина резкости. Поддержание юстировки объектива является необходимым условием получения качественной фоторезистивной маски с заданной топологией. Контроль юстировки осуществляется путем экспонирования балластной пластины через ПФО, содержащий наборы элементов разной ширины. По рабочему полю (10х10мм) данного ПФО размещены 80 групп контрольных элементов. После экспонирования и проявления пластины под микроскопом с увеличением не менее 200х контролируется минимальный проработанный элемент каждой группы (рис.1). Зафиксированная на рис.1 область проработанных 1мкм-элементов при разных расстояниях от объектива до поверхности пластины (т.е при различном смещении нуля фокусировки) показывает реальное положение фокальной плоскости, на основании чего проводится коррекция положения объектива или наклона статора установки. После коррекции экспонирование и контроль повторяются до получения оптимального результата.
Рис. 1. Промежуточный фотооригинал
Горлов Митрофан Иванович - ВГТУ, д-р техн. наук, профессор, тел. (473) 2437695 Мешкова Марина Александровна - ВГТУ, соискатель, тел. (473) 2437695
Данный способ контроля является крайне трудоемким и не позволяет оперативно проверять юстировку степпера.
Рисунок предлагаемого для оперативного контроля ПФО представляет собой размещенные по рабочему полю квадраты маскирующего покрытия размером 20х20мкм с 20-мкм светлыми промежутками между ними (рис.2).
■■■■■■■■■■■■■■в
■■■■■■■■■■■■■■в
р
Рис. 2. Рисунок для контроля ПФО
После 10-кратного уменьшения объективом на пластине образуются 2-мкм квадраты фоторезиста с 2-мкм промежутком на поле 10*10мм. При оптимальной фокусировке наклон профиля фоторезистивной маски близок к 90° и отражение от стенки минимально, при расфокусировке угол наклона уменьшается и отражение возрастает. Отраженные лучи создают интерференционную картину на части рабочего поля, хорошо видимую невооруженным глазом в рассеяном или фокусированном свете (рис.3).
Рис. 3. Интерференционная картина
Г
ІІ і 9
Таким образом, трудоемкий контроль под использоваться для проверки работы системы
микроскопом заменяется визуальным контролем, автофокусировки и подбора оптимального
что значительно облегчает юстировку объектива смещения нуля фокусировки.
при запуске или ремонте, а также может
Воронежский государственный технический университет
INSPECTION OF THE STEPPER LENS ADJUSTMENT ACCORDINQ TO INTERFERENCE PATTERN CREATED BY INTERMEDIATE PHOTOMASTER. M.I. Gorlov, M.A. Meshkova
The investigation includes brief description of types of inspection the stepper adjustment Key words: exposure, wafer, focusing, photoresistive mask
