CC BY
15Наноматериалы и нанотехнологии в аэрокосмической отрасли
R. E. Tikhomirov, A. S. Parshin, G. А. Âlexandrova Siberian State Aerospace University named after academician М. F. Reshetnev, Russia, Krasnoyarsk
V. A. Kharlamov, А. А. Chernyatina, R. А. Ermolaev JSC «Academician M. F. Reshetnev «Information Satellite Systems», Russia, Zheleznogorsk
Yu. L. Mikhlin
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Russian Academy of Science, Siberian Branch, Russia, Krasnoyarsk
RESAERCH OF SEMICONDUCOR THERMOBALANCE COVER DEFECTS WHICH APPEARS DURING OF CONSERVAION BY X-RAY PHOTOELECRON
SPECTROSCOPY METHOD
In this work the semiconductor thermobalance cover with spot defects on surface sample is investigated. The research was carried by x-ray photoelectron spectroscopy method.
© Тихомиров Р. Е., Паршин А. С., Александрова Г. А., Ермолаев Р. А., Харламов В. А., Чернятина А. А. Михлин Ю. Л., 2010
УДК 538.971
Д. В. Юрченко, Г. А. Александрова, Е. П. Березицкая Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Россия, Красноярск
А. А. Чернятина, Р. А. Ермолаев ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М. Ф. Решетнева», Россия, Железногорск
ИССЛЕДОВАНИЕ ТОПОГРАФИИ РАДИОПРОЗРАЧНЫХ ТЕРМОРЕГУЛИРУЮЩИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ*
Проведено сравнение радиопрозрачных терморегулирующих покрытий с верхним полупроводниковым слоем, реализуемых на органической подложке методами термического испарения и магнетронного распыления. Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) в полуконтактном режиме исследованы особенности поверхности образцов.
Используемые в работе образцы представляли собой покрытия, предназначенные для защиты космических аппаратов (КА) от негативного воздействия электромагнитного излучения Солнца и потоков заряженных частиц радиационных поясов Земли. При периодическом освещении Солнцем температура поверхности КА может изменяться от 90 до 470 К (в зависимости от терморадиационных свойств поверхности), под действием корпускулярного излучения на диэлектрических поверхностях скапливается неоднородный электростатический заряд. Эти факторы могут отрицательно сказываться на работе бортовых антенных систем, вызывать помехи и сбои электронной аппаратуры КА, поэтому задача создания защитных покрытий с контролируемыми свойствами для аэрокосмической отрасли в наше время очень актуальна. В качестве перспективного материала светозащитных экранов антенн может быть использована радиацион-ностойкая пленка с покрытием на основе полупро-
водникового материала с высоким показателем преломления и заданным электросопротивлением. Благодаря своим оптическим свойствам такой материал обеспечит благоприятный тепловой режим антенных систем, а оптимальное электросопротивление материала обеспечит эффективное стекание электростатического заряда при сохранении прозрачности для радиоизлучения. Нами был исследован микрорельеф таких покрытий. Образцы покрытия получены путем нанесения подслоя на основе оксида индия методами магнетронного распыления и термического испарения и последующего нанесения отражающего слоя германия методом термического испарения.
Исследования проводились на сканирующей зон-довой нанолаборатории «Интегра Аура» методом атомно-силовой микроскопии в полуконтактном режиме. Для каждого образца были получены изображения рельефа поверхности, проведена его 3Б-визуа-лизация.
*Работа выполнена при финансовой поддержке ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг. (номер контракта П590).
Решетневские чтения
Показано, что на покрытии, подслой на котором получен путем магнетронного распыления, наблюдаются структуры, размеры которых (линейные размеры в плоскости основания, высоты) существенно больше, чем на покрытии, полученном полностью термическим испарением. Как следствие, определенное значение шероховатости для покрытия, подслой на котором изготовлен методом магнетронного распыления, превосходит его же для покрытия, полученного термическим испарением. Менее развитая поверхность может объяснить более высокую стабильность свойств покрытия, полученного термическим испаре-
нием, при термовлажностном старении, отмеченную в ходе исследования. Также известно, что шероховатость поверхности определяет ее отражающую способность. Действительно, результаты измерений подтверждают, что коэффициент отражения покрытия, полученного методом термического испарения (с меньшей шероховатостью), выше (0,53...0,60 и 0,48...0,54 соответственно). Это объясняется меньшими потерями на рассеяние света.
Полученные результаты будут использованы при отработке технологии изготовления радиопрозрачного светоотражающего покрытия.
D. V. Yurchenko, G. A. Alexandrova, E. P. Berezitskaya The Siberian state aerospace University named by academician M. F. Reshetnev, Russia, Krasnoyarsk
A. A. Chernyatina, R. A. Ermolaev JSC «Academician M. F. Reshetnev «Information Satellite Systems», Russia, Zheleznogorsk
RESEARCH OF RADIOTRANSPARENT THERMOREGULATING COVERS TOPOGRAPHY FOR THE SPACE DEVICES RECEIVED BY VARIOUS METHODS
The work is devoted to research of radiotransparent thermoregulating covers with the top semi-conductor layer, realized on organic substrate by methods of thermal evaporation and magnetron dispersion. Features sample surfaces were investigated and they was compared with each other for various ways of deposition by the method of atomic-force-microscopy (AFM) in semicontact mode.
© Юрченко Д. В., Александрова Г. А., Березницкая Е. П., Чернятина А. А., Ермолаев Р. А., 2010
УДК 54.061
И. А. Яковлев
Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Россия, Красноярск
С. Н. Варнаков
Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Россия, Красноярск
ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА ПРИ РЕАКТИВНОЙ И ТВЕРДОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ*
Методом дифракции отраженных быстрых электронов были изучены начальные этапы формирования силицидов системы Fe-Si, полученные методами реактивной и твердофазной эпитаксии при разных температурах подложки Si. Установлено влияние технологических параметров при напылении на процесс формирования силицидов.
Изучение атомной диффузии и процессов образования при этом различных фаз в 3Б-системах является основным в материаловедении. В наноразмерных мультислоях (2Б-объектах) атомная диффузия на границах раздела играет важнейшую роль в определении их физических свойств.
Магнитные мультислои и сэндвич-структуры с чередующимися полупроводниковыми и металлическими нанослоями интересны тем, что их свойства возможно широко варьировать путем контроли-
руемого введения примеси, а также различными видами излучений и изменением температуры [1]. Что касается взаимодиффузии на интерфейсе в тонкопленочной системе Fe-Si, то тут картина достаточно сложна.
Во множестве работ приведены результаты, которые показывают, что на формирование структуры влияет множество других факторов: ориентация поверхности подложки, скорость поступления материала, температура образца, и даже примеси.
*Работа выполнена в рамках программы № 4.1 ОФН РАН «Спинтроника», программы Президиума РАН № 27.10, интеграционного проекта СО РАН и ДВО РАН № 22, федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг. (коды проектов: НК-179П/ГК П1464, НК-556П/ГК П555).
