CC BY
34
Секция химии и экологии
Кроме того, наблюдается снижение газовой чувствительности при повышении рабочей температуры сенсора. Так для температур 35; 50; и 900С чувствительность составила 0,14; 0,08; 0,07 отн.ед., соответственно.
, , с добавками серебра возможно создание низкотемпературного датчика аммиака.
УДК 539.217.5:546.28
В.В. Петров, Н.К. Плуготаренко, Т.Н. Назарова, О.А. Агеев
ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК СОСТАВА SIOx(SNOy)AG СКАНИРУЮЩИМ ЗОНДОВЫМ МИКРОСКОПОМ*
В плане разработки новых химических сенсоров одним из наиболее перспективных представляется путь создания газочувствительных материалов на базе скоррелированных ансамблей наночастиц, которые являются самосогласованной .
оказывает заметное влияние на электронные характеристики ансамбля как целого.
В настоящей работе проведено исследование пленок состава SiOX(SnOY)Ag, полученных золь-гель методом, сканирующим зондовым микроскопом Solver P47. Такой способ позволяет отследить микроструктуру пленки на различных этапах ее .
В качестве образцов были взяты пленки, отожженные при 370, 550 и 800 °С. Анализ показал, что при 370 °С поверхность еще не достаточно сформирована. При 550°С - представляет собой ядра кристаллитов оксидов олова и кремния размером 20-30 нм, окруженных гораздо большей по объему аморфной оболочкой. 800 ° - , практически не наблюдается.
Проведенная ранее проверка сенсорных свойств этих пленок [1] показала, что наилучшей газочувствительностью обладают пленки, отожженные при 550°С.
Все вышесказанное подтверждает мнение о том, что если размер наночастиц кристаллитов находится в пределах одного-трех десятков нанометров, то эти частицы объединяются в бесконечные цепочки и образуют сквозной маршрут переноса заряда через пленку, улучшая тем самым механизм чувствительности данной .
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Петров ВБ., Копылова Н.Ф., Назарова Т.Н. Формироваание тонких пленок состава SiOx(SnOy)Ag, чувствительных к сероводороду// Тез. докл. Междунар. науч. конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск 13-18 октября 2002 г. - Ставрополь. - С.93-95.
* Работа выполнена при поддержке гранта Министерства образования РФ А03-3.15-501.
