CC BY
9УДК 546,681.221:548.522
Б.АХейдароп
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ GaSe-J
й государственный университет)
Приведены результаты исследования и GaSe-Jfr Установили* что при концентрации тектика между Са£е$ и GaSe при температуре
построена диаграмма состояния системы
ímüju иода образуется двойная эв-
г.
i
пагодаря интересным и разнообразным полупроводниковым свойствам, 0а8е исследовал-многими авторами [1-4], но в связи с трудно-синтеза халькогенидов, халькоиодидов гал-
и увлажнением их на воздухе до сих пор не диаграммы состояния Оа5е .К Даже не исследованы химические взаимодействия Оа$е при всех концентрациях иода. С этой целью нами исследована диаграмма состояния системы Са$е~ в пределах до 60 % мод, иода. Изучение велось ифференциального термического и енофазового анализов, а так же исследованы микроструктуры полученных сплавов.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
ОаБе синтезирован описанным методом [5] из галлия марки 171-00 и селена. Дифферент*-альныи терм и чески и анализ проводился на пирометре Курнакова марки ПК-55. Снимали термо-
граммы взаимодействия в системе Оа$е-~%Ь* определяли температуру образования и разложения продуктов некоторых реакции (рис, 1). Изучались структуры сплавов системы.
адш*
РтЛ. Термограмма GaSe и }<* при соотношении Fia J.
h
, i > i
я я выделения иодидов галлия из селени-галлия проводилась сублимация. При сублимации иодиды галлия собирались в холодную ампулы, потом отделялись от селенндов . Далее часть ампулы, где кристаллнзова-иодиды галлия, отпаивалась. Вместе с выше
указанным методом проводили рентгс химический анализ (рис<2, табл.К
и
"■»WW"»;
4
lift I'fln
>о
Рнс,2. Штрмхдиа граммы силам» системы GaSe~J^ а - GaSe,
б - продует 1шим0дейсгвия fig. 2. Linear diagram of alloys GaSc-J: system,. a - GaSe,
b - interaction product
Таблица
Результаты химических анализов еиегемы GaSe-J? ТаЫе. The results of chemical analysis of GaSe-J? system
Фазы
Cocía» исходных кшшонск*
щ mxi %
UIWAMMMM IjiffiiiiMiliYi^iWXiVAM^***
i (n 'nn^rí В пределах |МРи^и Ч 330-1050%:
jyjpn.........инииП ftft'WWfmTmi ицм
Примечание]
0 Путем суб-20 CbScü^G^Sc GaSc^(Tts¿Se>+-GsJ J лимации щ и млел я <
1 J с-тея от ос-GaScJ CfojSo+CiaJ, нотшх прс>
1'CkScj-KíaJil G^Se^GaJ^J* I -lyjcroB-
rti.MJ. JMP i ■•» u к;;; »»»»»>*•
Установлено, что при взаимодействии ОаЗе с иодом при 200 °С образуются селеноиоди-ды галлия по реакции:
4м- j % "4
Далее проводилось измерение давления паров системы Оа8е Установили, что при взаимодействии иода с Оа$е давление паров исчезает. Потом с повышением температуры в образцах системы заново появляется давление в связи с сублимацией Са8еЛ Выше 330 °С происходит разложение селеноиодидов галлия по реакции: ЗОаЗеД —> ОазЗеч ^ Оа*Ь
Выше 560 °С в образцах системы ОаЗе 3> давление резко поднимается, Это объясняется тем,
ХИМИЯ И ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ 2007 том 50 вып.
что при температуре выше 560 °С трииодид галлия (СаЗ О разлагается по реакции;
Са3% GaJ + Рентгенофазовый анализ проводился на образцах селенидов галлия, Дебаеграммы снимались в камере РКД-57,3 на Су К« излучении при экспозиции 30 часов, Интенсивность линий оценивалась визуально по десятибалльной шкале и строилась штрихдиаграмма.
На основании дифференциально-термического, химического и реиттенофаюво! о анализов, а также изучения давления паров построена диаграмма состояния системы Оа$е^2 (рисЗ).
i/c
ООО"
600
О a ScKj и ? Sc ж
т щ I ■ jfc;;... и. <»I ■ ^....... I,, I м и г u ifc ч: I.' ^
GaSc*GaScJ
20
40
% ток JU
Рис.3. Диаграмма состояния GaSe-Jk Fig.3. State diagram of GaSe-J* system.
Таким образом, нами установлено, что при кои центра щш 40,5 %мол. иода образуется двойная эвтектика Оа^Зез с Са$е. Эвтектическая температура приблизительно равна 905 °С При концентрации выше 50 Утоп. иода весь Оа$е расходуется на образование Са2Зе3, а выше 48 %масс> сам иод в системе существует в свободном состоянии, Из термограммы (рис, 1) видно, что образование Са8е1 происходит с зкзоэффектом. Наоборот во время охлаждения при температуре 220 °С иодид таллия в жидком состоянии очень медленно взаимодействует с полуторными селснида« ми галлия и снова образуются селенонодиды галлия по перитегшческой реакции;
Оа28ез + ж т*
¿¡Ы шш^1
ИТЕРАТУРА
2,
4.
5:
Зуяьфупарлм Д,ИМ Гейдаров ЕЛ^ Джзнгнров A.A.
Атерб.хим>журн. \9W> № 5, С78-82, Руегмов ПЛ'\, Гейдаров S.A. Аэерб,хим>жури. № 2. С 143-146,
Л&лзпшк fl.€M Белова ЕЖ, Изл-во АН СССР, материалы. 1966, Т. 2, С, 770,
Рустшт ПЛ"\, Ваватш Б.К,, Лужная НЛ1. lhn-т АН СССР. Неорг, материалы. 1965. Т. L М> 8- С. 43, Рустам«» ОХ,, Мзршшев E.H. Дока АН АзербССР, , Т. 20. т 9. С. 13.
Кафедра обшей и неорганической химии
ХИМИЯ И ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ 2007 том 50 вып. I
