CC BY
34
показывает, что начальная стадия развития крупного (амплитудой более ~5%) скачка деформации, характеризуемая эволюцией нескольких локализованных полос деформации шириной до 2-3 мм, сопровождается генерированием пачки «высокочастотных», в полосе —0,1-1 кГц, импульсов ЭМЭ, отвечающих начальным фазам развития деформационных полос. На последующей стадии, связанной с эволюцией преимущественно широких, шириной от 3 до 10 мм, полос деформации, сигнал ЭМЭ приобретает монотонный характер и содержит, соответственно, более низкие частоты (—1-10 Гц). Показано, что на фронте скачков пластической деформации происходит переход от локализованной нестационарной деформации, связанной с зарождением
и начальной фазой развития локализованных полос к макроскопически делокализованной и поэтому однородной и квазистационарной деформации, которая реализует более 80 % деформации в скачке.
ЛИТЕРАТУРА
1. Шибков А.А., Лебедкин М.А., Желтое М.А. // Заводская лаборатория. 2004 (в печати).
БЛАГОДАРНОСТИ: Работа выполнена при поддержке РФФИ, гранты № 04-02-16143 и 04-02-17140 и Министерства образования РФ (проект № Е02-3.4-113).
ФОТОПРОВОДИМОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНОГО КОМПЛЕКСА CuS4-C60
© Д.В. Лопатин, Р.А. Мордовин, А.В. Умрихин
К наиболее перспективным материалам, используемым в наноэлектронике, фотопреобразующих и других устройствах, относятся комплексы фуллеренов с неорганическими соединениями. Тетрасульфид меди
СиБ^имеет форму короны и образует ряд молекулярных комплексов с фуллеренами С60. Целью данной работы являлось исследование спектральных особенностей фотопроводимости монокристаллов СиВ4-С60.
Рис. 1. Спектр фотопроводимости комплекса CuS4-C6o
Монокристаллические образцы CuS4-C60 были выращены в ИПХФ РАН. Установлено, что монокристаллы CuS4-C60 обладают низкой проводимостью ст ~ ~ 10-10 (Омхм)-1. При освещении образца белым светом (галогенной лампой мощностью 150 Вт) наблюдается увеличение фототока в цепи в 20-50 раз. При длительном освещении на воздухе (t ~ 1 ч) образцы деградируют, вследствие чего проводимость уменьшается на несколько порядков.
Проведено исследование спектров возбуждения (длина волны света 270-850 нм) фотопроводимости кристаллов CuS4-C60. Разложение на лоренцевы составляющие позволило выделить три оптических перехода с энергиями gj = 3,14 эВ (X = 395 нм), g2 = 2,62 эВ (X2 = 473 нм), g3 = 2,13 эВ (X3 = 583 нм). Оптический переход около соответствует полосе СТ-экситонов в твердотельном С60. Оптическая полоса при 470 нм отвечает разрешенному оптическому переходу hu ^ t1g в C60. Длинноволновый оптический переход Х3 можно связать с межмолекулярным переносом заряда с HOMO донора (CuS4) на LUMO молекулы C60.
БЛАГОДАРНОСТИ: Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, грант № 02-02-17571 и ФЦП «Фуллерены и атомные кластеры».
