CC BY
23
Черненко Наталия Евгеньевна - Южный федеральный университет; e-mail: [email protected]; 347922, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, корп. Е; тел.: +78634371767; кафедра радиотехнической электроники; студент.
Балакирев Сергей Вячеславович - e-mail: [email protected]; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; к.т.н.; ассистент.
Ерёменко Михаил Михайлович - e-mail: [email protected]; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; студент.
Солодовник Максим Сергеевич - e-mail: [email protected]; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; к.т.н.; доцент.
Chernenko Natalia Evgen'evna - Southern Federal University, e-mail: [email protected]; 2, Shevchenko street, build. Е, Taganrog, 347922, Russia; phone: +78634371767; the department of radio engineering electronics; student.
Balakirev Sergey Vyacheslavovich - e-mail: [email protected]; the department of nanotech-nologies and microsystems; cand. eng. sc.; assistant.
Eremenko Mikhail Mikhaylovich - e-mail: [email protected]; the department of nanotech-nologies and microsystems; student.
Solodovnik Maxim Sergeevich - e-mail: [email protected]; the department of nanotech-nologies and microsystems; cand. of eng. sc.; associate professor.
УДК 661.665.1 DOI 10.23683/2311-3103-2019-2-193-200
В.С. Климин, А.А. Резван, И.Н. Коц, Р.В. Томинов, Ю.Н. Варзарев,
Ю.В. Морозова
ФОРМИРОВАНИЕ АВТОЭМИССИОННОГО ЭМИТТЕРА НА ОСНОВЕ SiC МЕТОДОМ АТОМНО-СЛОЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ
Представлена технология получения графеновых пленок на поверхности SiC с использованием комбинации методов фокусированных ионных пучков и плазмохимического травления в фторсодержащей среде. Для формирования наноразмерных структур с боковыми размерами 280 нм использовался метод фокусированных ионных пучков. Наноразмерные структуры были сформированы на поверхности карбида кремния ионным пучком. Для этой цели использовали растровый электронный микроскоп с ионной колонкой Nova NanoLab 600 (компания FEI, Нидерланды). Рабочий вакуум при экспонировании пучков поддерживался на уровне 1 ^ 2*10'4 Па. Впоследствии был помещен в рабочую камеру. В камере структуры на карбиде кремния обрабатывались во фторидной плазме. Глубина структур составляла 900 нм. SF6 использовался для травления атомарного приповерхностного слоя. Режимы обработки структуры при плазмохимическом травлении следующее PR = 2 Па, потоки газа NAr = 70 см3/мин, NSF6 = 15 см3/мин, мощность емкостного источника плазмы составляла WRE = 20 В, мощность источника индуктивно-связанной плазмы W¡CP = 300 В. Время травления 1 минута. Анализ АСМ-изображений показывает, что диаметр структур составляет 0,87 ± 0,15 мкм. Исследование топологии поверхности на каждой итерации проводилось с помощью сканирующей электронной микроскопии. Электрические характеристики были измерены с помощью атомно-силовой микроскопии. Показано, что увеличение напряжения с 5 до 20 В приводит к увеличению тока с 0,15 ± 0,03 нА до 6,3 ± 0,4 нА, а увеличение электрического поля с 60 до 180 МВ/см приводит к увеличению плотности тока с 96,32 ± 8,81 А/см2. Полученные зависимости показывают, что структуры, образованные комбинацией методов фокусированных ионных пучков и плазмохимического травления, могут иметь автоэмиссионные характеристики.
Карбид кремния; полевой эмиттер; фокусированный ионный пучок; атомно-слоевое травление; нанотехнологии.
V.S. Klimin, A.A. Rezvan, I.N. Kots, R.V. Tominov, Y.N. Varzarev, J.V. Morozova
FORMATION OF FIELD EMITTERS BASED ON SiC BY THE METHOD OF ATOMIC LAYER ETCHING
This paper presents the technology of obtaining graphene films on the surface of SiC using methods of focusing ion beams and plasma chemical etching in a fluorine-containing medium. The method of focused ion beams was used to form nanoscale structures with lateral dimensions of280 nm. Nanoscale structures were formed on the surface of SiC by the ion beam. For this purpose, a raster electron microscope with a Nova NanoLab 600 ion column (FEI, The Netherlands) was used. The working vacuum during the exposure of the beams is maintained at the level of 1 ^ 2*10~4 Pa. Next it placed in the working chamber. In the chamber, structures on SiC were obtained in fluoride plasma. The structural depth was 900 nm. SF6 was used to etch the atomic surface layer. The modes of structure processing with plasma chemical etching are PR = 2 Pa, gas flows NAr = 70 cm3/min, NSF6 = 15 cm3/min, power of a powerful plasma source of components WRIE = 20 V, power of an inductive-coupled plasma source WICP = 300 V. Etching time was 1 minute. Analysis of the AFM images shows that the diameter of the structure is 0.87 ± 0.15 ¡um. The study of the surface topology at each iteration was carried out using scanning electron microscopy. Electrical characteristics were measured using atomic force microscopy. It is shown that an increase in voltage from 5 to 20 V leads to an increase in current from 0.15 ± 0.03 nA to 6.3 ± 0.4 nA, and an increase in the electric field from 60 to 180 MV/cm leads to an increase in current density from 96.32 ± 8.81 A/cm2. The dependences obtained show that the structures formed by a combination of methods offocused ion beams and plasma chemical etching can have field emission characteristics.
SiC; field emitter; focused ion beam; atomic layer etching; nanotechnology.
Введение. В настоящее время перспективные самоорганизующиеся материалы завоевывают все большее значение в микро- и наноэлектронике, одним из таких перспективных материалов является графен и его производные.. Перспектива его использования обусловлена рядом преимуществ, основными из которых являются высокая подвижность носителей и устойчивость к ионизирующим воздействиям [1-3]. Основным методом получения пленок графена на поверхности SiC является термическое разложение (термическое разрушение) поверхности SiC [4-6]. Преимуществом метода термического разложения карбида кремния является низкая стоимость и возможность получения однородных наноуглеродных пленок большой площади на основе как проводящих, так и полуизолирующих подложек [7-9]. Однако у этого способа есть существенный недостаток - требуется отжиг при очень высоких температурах, что может привести к образованию высоких механических напряжений в конструкции. В связи с этим важно изучить использование комбинации фокусированного ионного и плазмохимического травления для получения пленок графена на SiC [10-13].
В настоящее время оптическая литография из-за физических ограничений достигла своего предела в области жесткого ультрафиолетового излучения. В связи с этим разработка перспективных методов наноразмерного профилирования поверхности твердых тел является важной задачей [14-16]. Одним из таких методов является метод фокусированных ионных пучков. Этот метод заключается во взаимодействии ускоренных ионов с поверхностью твердых тел [17-19]. При этом взаимодействии происходит ряд процессов, таких как распыление материала подложки, введение действующих ионов в поверхностный слой материала подложки и т.д. Используя эти качества метода сфокусированных ионных пучков, можно получить различные структуры на поверхность твердого тела с нанометровым разрешением [20-22].
Методическая часть. Данная экспериментальная работа направлена на рассмотрение использования комбинации методов фокусированных ионных пучков и плазмохимического травления для получения полевых эмиссионных структур на основе пленок графена на поверхности SiC.
На начальном этапе экспериментальные исследования по формированию на-норазмерных структур проводились методом сфокусированных ионных пучков. Для этой цели использовали растровый электронный микроскоп с ионной колонкой Nova NanoLab 600 (компания FEI, Нидерланды). Встроенные инструменты программы управления микроскопом сформировали шаблоны для последующего травления структур сфокусированным ионным пучком. Шаблоны были сформированы в форме тора с внешним диаметром 2 микрона и внутренним диаметром от 600 до 800 нм. Эти размеры позволяют измерять характеристики получаемой конструкции. Ток ионного пучка составлял 30 пА. Ускоряющее напряжение составляло 30 кэВ. Время выдержки в точке 1 мкс. Затем структуры были вытравлены на подложке из карбида кремния в соответствии с этими рисунками.
Экспериментальные образцы, представляющие собой пластины из очищенного карбида кремния, помещали в вакуумную камеру модуля сфокусированных ионных пучков и ориентировали так, чтобы поток ускоренных ионов падал на подложку в направлении нормали. Рабочий вакуум при экспонировании пучков поддерживался на уровне 1 ^ 2 х 10-4 Па. На этом этапе на поверхности SiC формировался массив в виде остроконечных катодов (рис. 1,б).
Углеродный наноразмерный слой был сформирован методом травления атомного слоя во фторидной плазме. SF6 использовался в качестве фторсодержа-щего газа, благодаря чему удалось травить приповерхностный слой SiC. В то же время из их кристаллической решетки удалялся только Si и формировался тонкий углеродный слой на поверхности образцов (рис. 1,в).
б
Рис. 1. Схематическое представление технологии получения графенового слоя на поверхности SiC: а - подложка SiC; б - фокусировка ионных пучков;
в - графен на SiC
а
в
АСМ-изображения и вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур были получены с использованием зондовой нанолаборатории Ntegra (НТ-МДТ, Россия). Подложка SiC была заземлена, и был использован кантилевер HA_HR с проводящим покрытием W2C. В результате было получено 10 CVC при напряжении от 5 до 20 В, и, согласно результатам, был построен средний CVC. Анализ кривых был выполнен с использованием программного обеспечения Origin 8.1. Обработка АСМ-изображения проводилась с использованием программного обеспечения для анализа изображений.
Обсуждение полученных результатов. В результате экспериментальных исследований были сформированы структуры с глубиной 900 нм и минимальным размером структуры 280 нм. РЭМ-изображения этих структур представлены на рис. 2. Ток ионного пучка был выбран равным 30 пА, основываясь на времени травления, выбранном таким образом, чтобы структуры имели минимальные размеры и дрейфа не было. Ускоряющее напряжение составляло 30 кэВ из-за более высокой энергии ионов, их большей скорости и меньшего диаметра ионного пучка. Время экспозиции в точке 1 мкс является оптимальным параметром для этой системы.
Рис. 2. РЭМ-изображение полученной автоэмиссионной структуры на поверхности SiC
Сформированные структуры были помещены в плазменный реактор. Поверхность структур была обработана в плазме комбинированных емкостных и индуктивно связанных разрядов. Режимы обработки структуры PR=2 Па, потоки газа NAr=70 см3/мин, NSF6=15 см3/мин, мощность емкостного источника плазмы составляла Wrie=20 В, мощность источника индуктивно-связанной плазмы WICP=300 В. Время травления 1 минута. Анализ АСМ-изображения (рис. 3) показывает, что диаметр структур составляет 0,87 ± 0,15 мкм.
Структуры, полученные в ходе экспериментов, исследовали с помощью зон-дового микроскопа. Показано, что увеличение напряжения с 5 до 20 В приводит к увеличению тока с 0,15±0,03 нА до 6,3±0,4 нА (рис. 4,а), а увеличение электрического поля с 60 до 180 МВ/см приводит к увеличению плотности тока с 96,32±8,81 А/см2 (рис. 4,б).
0 2 4 б в 10 12 14 16 18 0 0
цт
Рис. 3. Исследовательские структуры, сформированные ФИБ: а - АСМ-изображение; б - профиль поперечного сечения вдоль линии на (а); в - фаза; г - 3Б АЕЫ-изображение
U(V) E(MV/cm)
Рис. 4. Электрические измерения сформированной структуры: а - характеристика напряжения тока; б - J-Eучасток.
Полученные зависимости показывают, что структуры, образованные комбинацией методов фокусированных ионных пучков и плазмохимического травления, могут иметь автоэмиссионные характеристики.
Заключение. В данной работе были проведены экспериментальные исследования для получения углеродных наноструктур на поверхности карбида кремния. Структуры с глубиной 900 нм и минимальным размером структуры 280 нм были сформированы с использованием метода фокусированных ионных пучков. Проведены эксперименты по образованию графена на поверхности карбида кремния плазменным травлением фторидной плазмой. Характеристики эмиссионной ячейки были исследованы; было показано, что использование углеродных наноструктур в качестве активного элемента эмиссионной ячейки является перспективным. Эта технология может применяться для формирования современных вакуумных микроэлектронных устройств, а также для формирования датчиков давления и газа.
Работа выполнена при поддержке Гранта Президента Российской Федерации № МК-3512.2019.8. Исследования проведены в научно-образовательном центре «Нанотехнологии» Южного федерального университета.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Braga N, Mickevicius R, Gaska R, et al. Simulation of gate lag and current collapse in GaN FET // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 85. - P. 4780-2.
2. Климин В.С., Агеев О.А., Ильин О.И., Федотов А.А. Исследование режимов получения каталитических структур из пленки Ni для выращивания углеродных нанотрубок // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2011. - № 4 (117). - С. 222-225.
3. Агеев О.А., Ильин О.И., Климин В.С., Коноплев Б.Г., Федотов А.А. Исследование режимов формирования каталитических центров для выращивания ориентированных массивов углеродных нанотрубок методом PECVD // Химическая физика и мезоскопия. - 2011. - Т. 13, № 2. - С. 226-231.
4. Lin ME, Fan ZH, Ma Z, Allen LH, Morkoc H. Reactive ion etching of GaN using BCl3 // Appl. Phys. Lett. - 1994. - Vol. 64. - P. 887-8.
5. Климин В.С., Еськов А.В., Петров Н.Н. Исследование влияния режимов плазмохимического травления поверхности арсенида галлия в плазме BCl3\Ar\SF6 // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2015. - № 9 (170). - С. 6-14.
6. Ageev O.A., Klimin V.S., SolodovnikM.S., Eskov A.V., Krasnoborodko S.Y. The study of influence of the gas flow rate to etched layer thickness, and roughness of the anisotropy field of gallium arsenide is etched in the plasma chemical etching process // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - Vol. 741, No. 1. - P. 012178.
7. Sakurai-Hiromi, Yamanaka Zusao, Yoshida Kohichi, Ohshima Naoto, Suzuki Katsuo. Ultrasonic. Attenuation in p-type GaSb // G. Appl. Phys. - 1984. - Vol. 56, No. 6. - P. 1613-1616.
8. Klimin V.S., SolodovnikM.S., Smirnov V.A., EskovA.V., TominovR.V., Ageev O.A. A study of the vertical walls and the surface roughness GaAs after the operation in the combined plasma etching // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.Ser. "International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016". - 2016. - P. 102241Z.
9. Климин В.С. Исследование влияния режимов профилирования поверхности структур на основе арсенида галлия методом плазмохимического травления с учетом потока хлорсо-держащего газа // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2017. - № 4 (189). - С. 169-178.
10. Tominov R.V., Bespoludin V.V., Klimin V.S., Smirnov V.A. and Ageev O.A. Profiling of nanostructures by scratching probe nanolithography and plasma chemical etching // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2017. - Vol. 256. - P. 012023.
11. Олейников К.А., Климин В.С. Моделирование тепловых режимов воздействия лазерного излучения на фотоэлемент с тонкопленочной структурой ZNO-аморфный кремний на стеклянной подложке // Инженерный вестник Дона. - 2017. - № 2 (45). - С. 71.
12. Lim WT, Baek IG, Jung PG, et al. Investigation of GaAs dry etching in a planar inductively coupled BCl3 plasma // J. Electrochem. Soc. - 2004. - Vol. 151. - P. G163-G166.
13. Klimin V.S., Tominov R.V., Eskov A.V., Krasnoborodko S.Y. and Ageev O.A. The influence of the chemical and physical component of the plasma etching of the surface of gallium arsenide on the etching rate in the chloride plasma of the combined discharge // Journal of Physics: Conference Series. - 2017. - Vol. 917. - P. 092005.
14. Климин В.С. Формирование наноразмерных структур арсенида галлия локальным анодным окислением и плазмохимическим травлением // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2018. - № 2 (196). - С. 68-75.
15. Pearton S.J., Abernathy C.R., Ren F., et al. Dry and wet etching characteristics of InN, AlN and GaN deposited by ECR metalorganic MBE // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1993. - No. 11.
- P. 1772-5.
16. Klimin V.S., Rezvan A.A. and Ageev O.A. Research of using plasma methods for formation field emitters based on carbon nanoscale structures // Journal of Physics: Conference Series.
- 2018. - Vol. 1124, No. 1. - P. 071020.
17. Ohtake A., Ozeki M. In situ observation of surface processes in InAs/GaAs(001) heteroepitaxy: The role of As on the growth mode // Appl. Phys. Lett. - 2001. - Vol. 78. - P. 431.
18. Klimin V.S., Rezvan A.A. and Ageev O.A. Study of the effect of carbon-containing gas pressure on the geometric parameters of an array of carbon nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Vol. 1124, No. 1. - P. 022035.
19. Klimin V.S., Solodovnik M.S., Lisitsyn S.A., Rezvan A.A., Balakirev S.V. Formation of nanoscale structures on the surface of gallium arsenide by local anodic oxidation and plasma chemical etching // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Vol. 1124, No. 1.
- P. 041024.
20. Riel B.J., Hinzer K., Moisa S., Fraser J., Finnie P., Piercy P., Fafard S., Wasilewski Z.R. InAs/GaAs(100) self-assembled quantum dots: arsenic pressure and capping effects // J. Cryst. Growth. - 2002. - Vol. 236. - P. 145-154.
21. Klimin V.S., Rezvan A.A., Kots I.N., Naidenko N.A. Investigation of the influence of parameters of nanoscale profiling of the surface of GaAs structures by a combination of local anodic oxidation and plasma chemical etching methods.
22. Agarwala S., King O., Horst S., Wilson R., Stone D. Response surface study of inductively coupled plasma etching of GaAs/AlGaAs in BCl3/Cl2. // J Vac Sci Technol A. - 1999.
- Vol. 17. - P. 52-5.
REFERENCES
1. Braga N, Mickevicius R, Gaska R, et al. Simulation of gate lag and current collapse in GaN FET, Appl. Phys. Lett., 2004, Vol. 85, pp. 4780-2.
2. Klimin V.S., Ageev O.A., Il'in O.I., Fedotov A.A. Issledovanie rezhimov polucheniya kataliticheskikh struktur iz plenki Ni dlya vyrashchivaniya uglerodnykh nanotrubok [The study of modes of obtaining the catalytic structures of the film Ni for growing carbon nanotubes], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2011, No. 4 (117), pp. 222-225.
3. Ageev O.A., Il'in O.I., Klimin V.S., Konoplev B.G., Fedotov A.A. Issledovanie rezhimov formirovaniya kataliticheskikh tsentrov dlya vyrashchivaniya orientirovannykh massivov uglerodnykh nanotrubok metodom PECVD [Study of modes of formation of catalytic centers for growing oriented arrays of carbon nanotubes by PECVD], Khimicheskaya fizika i mezoskopiya [Study of modes of formation of catalytic centers for growing oriented arrays of carbon nanotubes by PECVD], 2011, Vol. 13, No. 2, pp. 226-231.
4. Lin ME, Fan ZH, Ma Z, Allen LH, Morkoc H. Reactive ion etching of GaN using BCl3, Appl. Phys. Lett., 1994, Vol. 64, pp. 887-8.
5. Klimin V.S., Es'kov A.V., Petrov N.N. Issledovanie vliyaniya rezhimov plazmokhimicheskogo travleniya poverkhnosti arsenida galliya v plazme BCl3\Ar\SF6 [Research of influence of modes of plasma-chemical etching of the surface of the gallium arsenide in the plasma of a BCl3\Ar\SF6], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2015, No. 9 (170), pp. 6-14.
6. Ageev O.A., Klimin V.S., SolodovnikM.S., Eskov A.V., Krasnoborodko S.Y. The study of influence of the gas flow rate to etched layer thickness, and roughness of the anisotropy field of gallium arsenide is etched in the plasma chemical etching process, Journal of Physics: Conference Series, 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012178.
7. Sakurai-Hiromi, Yamanaka Zusao, Yoshida Kohichi, Ohshima Naoto, Suzuki Katsuo. Ultrasonic. Attenuation in p-type GaSb, G. Appl. Phys., 1984, Vol. 56, No. 6, pp. 1613-1616.
8. Klimin V.S., Solodovnik M.S., Smirnov V.A., Eskov A.V., Tominov R.V., Ageev O.A. A study of the vertical walls and the surface roughness GaAs after the operation in the combined plasma etching, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Ser. "International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016", 2016, pp. 102241Z.
9. Klimin V.S. Issledovanie vliyaniya rezhimov profilirovaniya poverkhnosti struktur na osnove arsenida galliya metodom plazmokhimicheskogo travleniya s uchetom potoka khlorsoderzhashchego gaza [Investigation of the effect of surface profiling modes of structures based on gallium arsenide by plasma-chemical etching, taking into account the flow of chlorine-containing gas], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2017, No. 4 (189), pp. 169-178.
10. Tominov R.V., Bespoludin V.V., Klimin V.S., Smirnov V.A. and Ageev O.A. Profiling of nanostructures by scratching probe nanolithography and plasma chemical etching, IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 2017, Vol. 256, pp. 012023.
11. Oleynikov K.A., Klimin V.S. Modelirovanie teplovykh rezhimov vozdeystviya lazernogo izlucheniya na fotoelement s tonkoplenochnoy strukturoy ZNO-amorfnyy kremniy na steklyannoy podlozhke [Simulation of thermal modes of laser radiation exposure to a photocell with a thin-film structure ZNO-amorphous silicon on a glass substrate], Inzhenernyy vestnik Dona [Engineering journal of Don], 2017, No. 2 (45), pp. 71.
12. Lim WT, Baek IG, Jung PG, et al. Investigation of GaAs dry etching in a planar inductively coupled BCl3 plasma, J. Electrochem. Soc., 2004, Vol. 151, pp. G163-G166.
13. Klimin V.S., Tominov R.V., Eskov A.V., Krasnoborodko S.Y. and Ageev O.A. The influence of the chemical and physical component of the plasma etching of the surface of gallium arsenide on the etching rate in the chloride plasma of the combined discharge, Journal of Physics: Conference Series, 2017, Vol. 917, pp. 092005.
14. Klimin V.S. Formirovanie nanorazmernykh struktur arsenida galliya lokal'nym anodnym okisleniem i plazmokhimicheskim travleniem [The formation of nanoscale structures of gallium arsenide by local anodic oxidation and plasma-chemical etching], Izvestiya YuFU. Tekhnicheskie nauki [Izvestiya SFedU. Engineering Sciences], 2018, No. 2 (196), pp. 68-75.
15. Pearton S.J., Abernathy C.R., Ren F., et al. Dry and wet etching characteristics of InN, AlN and GaN deposited by ECR metalorganic MBE, J. Vac. Sci. Technol. A, 1993, No. 11, pp. 1772-5.
16. Klimin V.S., Rezvan A.A. and Ageev O.A. Research of using plasma methods for formation field emitters based on carbon nanoscale structures, Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1124, No. 1, pp. 071020.
17. Ohtake A., Ozeki M. In situ observation of surface processes in InAs/GaAs(001) heteroepitaxy: The role of As on the growth mode, Appl. Phys. Lett., 2001, Vol. 78, pp. 431.
18. Klimin V.S., Rezvan A.A. and Ageev O.A. Study of the effect of carbon-containing gas pressure on the geometric parameters of an array of carbon nanostructures, Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1124, No. 1, pp. 022035.
19. Klimin V.S., Solodovnik M.S., Lisitsyn S.A., Rezvan A.A., Balakirev S.V. Formation of nanoscale structures on the surface of gallium arsenide by local anodic oxidation and plasma chemical etching, Journal of Physics: Conference Series, 2018, Vol. 1124, No. 1, pp. 041024.
20. Riel B.J., Hinzer K., Moisa S., Fraser J., Finnie P., Piercy P., Fafard S., Wasilewski Z.R. InAs/GaAs(100) self-assembled quantum dots: arsenic pressure and capping effects, J. Cryst. Growth, 2002, Vol. 236, pp. 145-154.
21. Klimin V.S., Rezvan A.A., Kots I.N., Naidenko N.A. Investigation of the influence of parameters of nanoscale profiling of the surface of GaAs structures by a combination of local anodic oxidation and plasma chemical etching methods.
22. Agarwala S., King O., Horst S., Wilson R., Stone D. Response surface study of inductively coupled plasma etching of GaAs/AlGaAs in BCl3/Cl2. J. Vac. Sci. Technol. A, 1999, Vol. 17, pp. 52-5.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н., профессор С.П. Тарасов.
Климин Виктор Сергеевич - Южный федеральный университет; e-mail: [email protected]; 347922, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2; тел.: 89508522719; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; к.т.н.; доцент.
Резван Алексей Анатольевич - e-mail: [email protected]; тел.: 89198943706; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; студент.
Коц Иван Николаевич - e-mail: [email protected]; тел.: 88634371940; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; аспирант.
Томинов Роман Викторович - e-mail: [email protected]; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; к.т.н., ассистент.
Варзарев Юрий Николаевич - e-mail: [email protected]; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; к.т.н.; старший преподаватель.
Морозова Юлия Викторовна - e-mail: [email protected]; кафедра нанотехнологий и микросистемной техники; студент.
Klimin Victor Sergeevich - Southern Federal University; e-mail: [email protected]; 2, Shevchenko street, Taganrog, 347922, Russia; phone: +79508522719; the department of nano-technologies and microsystems; cand. of eng. sc.;assistant professor.
Rezvan Alexey Anatolyevich - e-mail: [email protected]; phone: +79198943706; the department of nanotechnologies and microsystems; student.
Kots Ivan Nikolaevich - e-mail: [email protected]; the department of nanotechnologies and microsystems; phone: +78634371940; graduate student.
Tominov Roman Victorovich - e-mail: [email protected]; the department of nanotechnologies and microsystems; assistant; cand. of eng. sc.; assistant.
Varzarev Yury Nikolaevich - e-mail: [email protected]; the department of nanotechnologies and microsystems; cand. of eng. sc.; senior lecturer.
Morozova Julia Viktorovna - e-mail: [email protected]; the department of nanotechnologies and microsystems; student.
