зерные изображения программ телевизионного вещания; для этого видеосигнал от телевизора 16 через высоковольтную развязку 19 [2| и усилитель 18 подается на управляющий электрод электронной пушки.
Все источники питания и устройства установки, изображенные на рисунке в области, ограниченной пунктирной линией, находятся под потенциалом катода электронно-лучевой трубки, а лазерная полупроводниковая мишень заземлена.
1. Богданкевич О. В., Дарзняк С. А., Елисеев П. Г. Полупроводниковые лазеры. М.: Наука. 1976. 415 с. 2. Дриженко Г. В., Дереновский Г. В., Дереновский М. В. Прус В. А. Цепь передачи видеосигнала в высоковольтных электронно-лучевых приборах // Всстн. Киев, политехи, ин-та. Радиотехника. 1983. Вып. 20. С. 14. 3. Лаврушин Б. М., Шемчук В. С. Перспектива применения полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком в проекционном телевидении // Квант, электроника. 1976. Т. 3. С. 12. 4. Прус В. А. Анализатор тонких электронных пучков//Вестн. Киев, политехи, ин-та. Радиотехника. 1978. Вып. 15. С. 48—49.
Поступила в редколлегию 10.09.84
УДК 621.373.072.6
И. А. ИВАНЧЕНКО, канд. техн. наук, С. В. КАЗИМКО, студ.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНОГО СВЧ АВТОГЕНЕРАТОРА С ПОЛОСОВЫМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ФИЛЬТРОМ
Существуют различные схемы твердотельных автогенераторов (АГ), стабилизированных диэлектрическими резонаторами (ДР). Одной из простых и удобных является схема с полосовым диэлектрическим фильтром [1].
Рассмотрим топологию транзисторного АГ (см. рисунок), в которой биполярный СВЧ транзистор (БТ) типа КТ640-А2 включен по схеме с ОБ. Эмиттерный вывод разомкнут по СВЧ, а коллекторный подключен к ленточному проводнику МП1 пассивной цепи, которая представляет собой полосовой фильтр, состоящий из двух микропо-лосковых линий МП1 и МП2 с характеристическими сопротивлениями по 50 Ом каждая, на подложке из поликора толщиной 1 мм. Обе линии связаны между собой с помощью дискового ДР, параметры которого: диэлектрическая проницаемость е = 80, tgб = 3■10_4, диаметр О = 10,1 мм, толщина = 3,4 мм, резонансная частота ¡Р0 = = 3,75 ГГц. Входная линия МП1 нагружена на согласованную нагрузку; выходная линия МП2 на одном конце нагружена на согласованную нагрузку, а на другом конце подключена к выходному каналу.
Нами исследовалось влияние местоположения центра ДР на условия самовозбуждения, частоту генерации и модуляционную чувствительность с целью оптимизации конструкции для получения минимальной нестабильности частоты. Было обнаружено, что имеется некоторый ограниченный объем, в который необходимо поместить центр ДР для достижения устойчивого стационарного режима автогенерации. За пределами указанного объема самовозбуждение невозможно. На
2 - 6-42
17
рисунке показана проекция границы области, в которой помещается центр плоской грани ДР для получения генерации, /г — расстояние между плоской гранью ДР и поверхностью подложки микросхемы, мм.
Помещая ДР внутрь области, где выполняются условия генерации, мы исследовали зависимость частоты и модуляционной чувствительности от местоположения центра ДР, определяемого координатами х (расстояние от начала линии), у (расстояние от наружного края полоска МП1 в направлении полоска МП2). По мере увеличения Н частота генерации и модуляционная чувствительность уменьшается. При возрастании х частота уменьшается, а модуляционная чувствительность возрастает. При возрастании у частота и модуляционная чувствительность уменьшаются.
Приведенные экспериментальные результаты позволяют определить оптимальное расположение ДР относительно подложки микросхемы. Наименьшей модуляционной чувствительностью данная конструкция АГ обладает, когда ДР помещен на подставку из материала СТ-7 диаметром, равным диаметру ДР, и толщиной 2 мм. При этом проекция оси ДР на подложку должна располагаться на расстоянии 8 мм от начала линии МП) и в 5 мм от ее края (черный кружок на рисунке). Расстояние от начала линии МП1 до проекции оси равно четверти длины волны, а наружные края ДР и МП1 касаются. При этих условиях частота генерации равна 3,6 ГГц, выходная мощность 8,2 мВт, модуляционная чувствительность 10 кГц/В, десяти-секундная нестабильность составляет 7-Ю-7, ширина спектральной линии АГ 40 кГц на уровне — 40 дБ.
1. Ильченко М. Е., Иванченко И. А. Анализ транзисторного генератора с полосовым диэлектрическим фильтром // Тез докл. X Всесоюз. науч. конф. «Электроника СВЧ». Минск: Б. и., 1983. С. 240—241.
Поступила в редколлегию 27.09.84
УДК 621.374.5
Е. В. КУДИНОВ. канд. техн. наук, И. Н. ЕРЕЩЕНКО. мл. науч. сотр.
УЗКОПОЛОСНЫЙ ФИЛЬТР НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
Узкополосные, перестраиваемые магнитным полем СВЧ-фнльт* ры могут быть созданы на основе магнитостатических волн (МСВ)» распространяющихся в пленке железо-иттриевого граната (ЖИГ). Наиболее простым узкополосным преобразователем электромагнитной волны в МСВ является одиночный микрополосок, ширина кото-
МП?
Ж//////////////////////////////, У/,
¿(1 V Г V г
1 э> ?)) )
У///////Л, \JMC- ШРШ ж
Х = 8мм мт\