Детектирование ультрафиолетового излучения пленками оксида индия Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

Решетневскце чтения

УДК 537.9

И. А. Тамбасов

Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Россия, Красноярск ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М. Ф. Решетнева», Россия, Железногорск

В. Г. Мягков

Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Россия, Красноярск

ДЕТЕКТИРОВАНИЕ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКАМИ ОКСИДА ИНДИЯ

Представлены результаты исследования влияния ультрафиолетового излучения на электрические свойства пленок оксида индия, изготовленных автоволновым окислением.

1п203 является прямым широкозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны ~3.7 эВ. Благодаря своим свойствам пропускать видимый свет и проводить электрический ток, оксид индия находит широкое применение в различных приложениях и устройствах.

В последнее время сообщаются работы, в которых исследовано влияние ультрафиолетового облучения на сопротивление чистого оксида индия [1]. В результате облучения происходит резкое уменьшение сопротивление пленок оксида индия. Более того, после прекращения облучения, сопротивление пленок возвращается до своего начального значения за десятки часов. Данный эффект может быть использован для увеличения чувствительности газовых датчиков на основе пленок оксида индия или использован для детектирования ультрафиолетового излучения. Как отмечается, изменение сопротивления прозрачных то-копроводящих пленок при облучении ультрафиолетовым светом зависит от структуры и морфологии пленки. Поэтому, исследования влияния ультрафио-

летового света на прозрачные токопроводящие пленки, изготовленными различными способами, являются актуальными задачами для разработки современных газовых и ультрафиолетовых тонкопленочных детекторов.

В данной работе мы провели исследование влияния видимого и ультрафиолетового света на сопротивление пленок оксида индия, полученных автоволновым окислением, при нормальных условиях. А также провели исследования комбинированного влияния облучения УФ и температуры на сопротивление и фототок пленок оксида индия. В результате проведенных исследований нами показана возможность создания ультрафиолетового детектора на основе пленок оксида индия, изготовленных автоволновым окислением.

Библиографическая ссылка

1. Qin L, Dutta P. S., Sawyer S. Semicond // Sci. Technol. № 27, 045005. 2012.

I. A. Tambasov, Institute of Physics SB RAS, Russia, Krasnoyarsk

V. G. Myagkov

JSC « Academician M. F. Reshetnev «Information Satellite Systems», Russia, Zheleznogorsk

ULTRAVIOLET RADIATION DETECTION BY INDIUM OXIDE FILMS

The results of studies of the effect ultraviolet radiation on the electrical properties indium oxide films produced by autowave oxidation are presented.

© Тамбасов И. А., Мягков В. Г., 2012