CC BY
41
Министерство образования и науки РФ
Правительство Пензенской области Академия информатизации образования Академия проблем качества РФ Российская академия космонавтики им. К.Э.Циолковского Российская инженерная академия Вычислительный центр РАН им. А.А.Дородницына Институт испытаний и сертификации ВВТ ОАО «Радиотехнический институт имени академика А.Л.Минца» ОАО «УПКБ ДЕТАЛЬ», ОАО «РУБИН» ОАО «НИИФИ», ОАО «ПНИЭИ», ФГУП ФНПЦ «ПО СТАРТ», НИКИРЭТ, ЗАО «НИИФИиВТ» ОАО «ППО ЭЛЕКТРОПРИБОР», ОАО «РАДИОЗАВОД» Пензенский филиал ФГУП НТЦ «АТЛАС» ОАО «ТЕХПРОММАШ», МИЭМ НИУ ВШЭ, Евразийский Национальный университет им. Л.Н. Гумилева Сургутский институт мировой экономики и бизнеса «ПЛАНЕТА» Пензенский государственный университет
АадижУ{%шсж
ТРУДЫ
МЕЖДУНАРОДНОГО СИМПОЗИУМА
НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО
II то^
ПЕНЗА 2015
УДК 621.396.6:621.315.616.97:658:562 Т78
Труды Международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО»:
T78 в 2 т. - Пенза : ПГУ, 2015. - 2 том - 384 с.
ISBN 978-94170-818-5(т.1) ISBN 978-94170-818-8
В сборник трудов включены доклады юбилейного ХХ-го Международного симпозиума «Надежность и качество», проходившего с 25 по 31 мая 2015 г. в городе Пензе.
Рассмотрены актуальные проблемы теории и практики повышения надежности и качества; эффективности внедрения инновационных и информационных технологий в фундаментальных научных и прикладных исследованиях, образовательных и коммуникативных системах и средах, экономике и юриспруденции; методов и средств анализа и прогнозирования показателей надежности и качества приборов, устройств и систем, а также анализа непараметрических моделей и оценки остаточного ресурса изделий двойного назначения; ресурсосбережения; проектирования интеллектуальных экспертных и диагностических систем; систем управления и связи; интерактивных, телекоммуникационных сетей и сервисных систем; экологического мониторинга и контроля состояния окружающей среды и биологических объектов; исследования физико-технологических процессов в науке, технике и технологиях для повышения качества выпускаемых изделий радиопромышленности, приборостроения, аэрокосмического и топливно-энергетического комплексов, электроники и вычислительной техники и др.
Оргкомитет благодарит за поддержку в организации и проведении Международного симпозиума и издании настоящих трудов Министерство образования и науки РФ, Правительство Пензенской области, Академию проблем качества РФ, Российскую академию космонавтики им. К. Э. Циолковского, Российскую инженерную академию, Академию информатизации образования, Вычислительный центр РАН им. А. А. Дородницына, Институт испытаний и сертификации ВВТ, ОАО «Радиотехнический институт имени академика А.Л. Минца», ОАО «УПКБ ДЕТАЛЬ», ОАО «НИИФИ», ФГУП «ПНИЭИ», ОАО «РУБИН», ОАО «РАДИОЗАВОД», ОАО «ППО ЭЛЕКТРИПРИБОР», ФГУП «ПО «СТАРТ», НИКИРЭТ - филиал ФГУП «ПО «СТАРТ», Пензенский филиал ФГУП НТЦ «АТЛАС», ОАО «ТЕХПРОММАШ», МИЭМ НИУ ВШЭ, Евразийский Национальный университет им. Л.Н. Гумилева, Сургутский институт мировой экономики и бизнеса «ПЛАНЕТА»,Пензенский государственный университет.
Сборник статей зарегистрирован в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ) с 2005 г.
Р е д а к ц и о н н а я к о л л е г и я :
Юрков Н. К. - главный редактор Трусов В. А. - ответственный секретарь Баннов В. Я. - ученый секретарь Волчихин В. И., Абрамов О. В., Авакян А. А., Дивеев А.И., Иофин А. А., Каштанов В. А., Майстер В. А., Острейковский В.А., Петров Б. М., Писарев В. Н., Роберт И. В., Романенко Ю. А., Северцев Н. А., Садыков С. С., Садыхов Г. С., Увайсов С. У.
ISBN 978-94170-818-5(т.1) ISBN 978-94170-818-8
© Оргкомитет симпозиума, 2015 © ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет», 2015
чателей напряжением 110 кВ, которая необходима висимости от всей совокупности влияющих причин для описания закона отказов выключателей в за-
ЛИТЕРАТУРА
1. Бурман А.П. Управление потоками электроэнергии и повышение эффективности электроэнергетических систем: учебное пособие / А.П. Бурман, Ю.К. Розанов, Ю.Г. Шакарян. - М.: Издательский дом МЭИ, 2012. - 336 с.
2. Шатова Ю.А., ЛучинкинА.В., КривощаповА.А., АлешинаН.Н.Анализ статистической информации по аварийным отключениям ЛЭП-220 кВ Пензенской энергосистемы для определения закона распределения отключений // Материалы Международного симпозиума «Надежность и качество 2 012» - Пенза: Изд-во ПГУ, 2012 г. - с. 443 - 444.
3. Гришко А.К. Методология управления качеством сложных систем / Гришко А.К., Юрков Н.К., Кочегаров И.И. // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2014. Т. 2. С. 377-379.
4. Шатова Ю.А., Чапчиков Ю.К., Алешина Н.Н.Показатели надежности ЛЭП-220 кВ Пензенской энергосистемы // Материалы Международного симпозиума «Надежность и качество 2 013» - Пенза: Изд-во ПГУ, 2013 г., т.2. - с. 231 - 232.
5. Кочегаров И.И. Алгоритм выявления латентных технологических дефектов печатных плат методом оптического контроля / Кочегаров И.И., Ханин И.В., Лысенко А.В., Юрков Н.К., Алмаметов В.Б. // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки. 2013. № 3 (27). С. 105.
6. Шатова Ю.А., Алешина Н.Н. Методика расчета показателей надежности воздушных линий электропередачи на основе их длин // Интернет-журнал «Науковедение». - 2013. - №5 (18).[Электронный ре-сурс]URL: http://naukovedenie.ru/index.php?p=issue-5-13
7. Розанов М.Н. Надежность электроэнергетических систем. - 2-е изд. - М.: Энергоатомиздат, 1984. - 200 с.
8. Северцев, Н.А. К вопросу об утрате работоспособности систем / Н.А. Северцев, А.В. Бецков, А.М. Самокутяев // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2013. Т. 2. С. 268-270.
9. Критерии и показатели безопасности / Дедков В.К., Северцев Н.А., Петухов Г.Б., Тихон Н.К. // Вопросы теории безопасности и устойчивости систем. 1999. № 1. С. 33-54.
10. Северцев, Н.А. Минимизация обобщенного риска угроз безопасности / Н.А. Северцев // Вопросы теории безопасности и устойчивости систем. 2005. № 7. С. 3-10.
11. Универсальные оценки безопасности. Монография / Дивеев А.И., Северцев Н.А. // Москва, 2005.
12. Синтез оптимального закона управления потоками транспорта в сети автодорог на основе генетического алгоритма / Дивеев А.И., Северцев Н.А. // Проблемы машиностроения и надежности машин. 2003. № 3. С. 87.
УДК 537.311.33
Кукетаев1 Т.А., Тулегулов2 А.Д. , ЕргалиеВ2 Д.С.
карагандинский государственный университет им.Е.А. Букетова, Караганда, Казахстан 2Евразийский Национальный университет им. Л.Н. Гумилева, Астана, Казахстан
ДЕГРАДАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ЭЛЕМЕНТАХ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-НИТРИД КРЕМНИЯ-ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ - ПОЛУПРОВОДНИК
Большой интерес к исследованию системы металл - нитрид кремния - двуокись кремния - полупроводник (МНОП) связан с использованием этих структур в качестве элементов памяти, сохраняющих информацию при отключенном питании [1-3].
Поляризационный заряд, достаточный для уверенного считывания информации, можно накопить в МНОП-структуре за единицы микросекунд. Следовательно, существует принципиальная возможность осуществлять запись информации в таких элементах памяти с большой тактовой частотой. Однако установлено, что при многократных переключениях характеристики запоминающих структур изменяются (структуры «деградируют») . Первые сообщения о деградационных изменениях в МНОП-элементах памяти относятся к началу 80-х годов [4-6]. С середины 80-х годов число работ, посвященных этому вопросу, резко возросло [7-24]. Деградация связана с ухудшением характеристик МНОП-структуры как элемента памяти: увеличивается скорость релаксации заряда г, уменьшается время хранения информации Тхр, увеличивается проводимость структуры и, смещается центр окна переключения Ут, сужается окно переключения ДУп.з.
В работе [8] установлено, что при многократных переключениях МНОП-элементов памяти центроид инжектированного в диэлектрик заряда х, оп-
| p(x)dx
увеличи-
ределяемый как X = ^хр(х)<<х,
о /
вается. Скорость изменения параметров структуры резко возрастает с увеличением величины переключающего поля. В связи с этим одна из первых попыток объяснить наблюдаемые явления была основана на предположении о разогреве инжектированных в диэлектрик зарядов в сильном электрическом поле [6]. Предполагалось, что в сильном электрическом поле свободные носители заряда могут набирать энергию 1-2 эВ, достаточную для генерации мелких уровней в запрещенной зоне
диэлектрика. Увеличение скорости стекания объясняется в этой модели захватом заряда вблизи границы Б1-Б102. Отметим, что механизм образования центров захвата при разрыве связей Б1-ОН и Б1-Н рассматривался и ранее в связи с исследованием МОП-структур [25]. В ряде работ экспериментально наблюдалась корреляция между эффектом уменьшения времени хранения поляризационного заряда и увеличением плотности поверхностных состояний [9,26]. Однако в работах [8,10] экспериментально установлена независимость изменений скорости релаксации заряда г и проводимости МНОП-структуры от увеличения плотности поверхностных состояний. Таким образом, деградация МНОП-структур сопровождается генерацией поверхностных состояний, но не сводится к ней. Для объяснения деградационных явлений в МДП-структурах использовались модели реакций дефектов в широкозонных полупроводниках, обусловленных безызлучательным захватом или рекомбинацией носителей заряда [27,28]. В [7,14] предполагалось, что центрами захвата электронов и дырок в аморфном диэлектрике МДП-структуры служат компоненты френкелевских пар. Причем удаленные компоненты образуют глубокие центры захвата. Авторы этих работ полагают, что сильное элек-тронно-фононное взаимодействие при захвате носителя дефектом, обеспечивающее переход основной части энергии, теряемой носителем, в колебательную энергию дефекта, может привести к его диффузионному перескоку. Деградационные явления объясняются изменением спектра локализованных состояний, которое связывается с аннигиляцией либо просто со сближением удаленных компонент френкелевских пар. В последнем случае образуются локализованные состояния с меньшими энергиями ионизации, что позволяет объяснить увеличение проводимости диэлектрика в деградированных МДП-структурах. Согласно этой модели, степень деградации МДП-структур определяется величиной
протекшего через диэлектрик заряда £>, причем пороговое значение £>п начала проявления нестабильности характеристик не зависит от направления и величины электрического поля в диэлектрике. Для МНОП-элементов памяти £>п = 10-3 К/см2. Однако в последующих работах получен ряд экспериментальных результатов, противоречащих этому утверждению. Показано, что степень деградации МНОП-элементов памяти существенным образом зависит от соотношения электронного и дырочного компонентов тока через диэлектрик, а не определяется только величиной протекшего заряда [29]. Кроме этого, не находят объяснения экспериментальные результаты по частичному восстановлению характеристик деградированных МНОП-структур под действием электрического поля с направлением, противоположным полю, вызвавшим деградацию [29]. Следует также отметить наблюдаемое восстановление свойств элементов памяти при облучении светом с энергией кванта меньше ширины запрещенной зоны диэлектрика [30]. В работах [31,32] была предложена модель центров захвата в МНОП-структурах на основе гипотезы Андерсона [33], предполагающей, что все (или почти все) локализованные электроны спариваются при антипараллельных спинах с отрицательной корреляционной энергией. В [33] считается, что ловушки в аморфном нитриде кремния возникают из атомов азота, координированных с четырьмя (N4) и двумя (Ы2) атомами кремния. Предполагается, что эти дефекты образуют три различных зарядовых со-
зетственно.
Состояния N4+ и N2
являются до-норно-, акцепторно-подобными центрами захвата, положение которых в запрещенной зоне описывалось методом эффективной массы. При захвате
электрона (дырки) на ловушку N4+ ,( М- ) образуются нейтральные центры захвата N0, N°, энергия ионизации которых больше 1 эВ. Захват электрона (дырки) на центр N° , ( N2) приводит
к образованию центров N4 , ( N2) , которые характеризовались большей энергией ионизации по сравнению с N40 , ( N0 ). Последний процесс, определяющий уменьшение концентрации N40 и N0 центров и соответственное увеличение концентрации N4 и N2 центров, ответствен за проявление деградационных явлений в МНОП-структурах. В [31] качественно объяснялось увеличение г, уменьшение Тхр, смещение Ут и сужение ДУп3 при многократных переключениях МНОП-элементов памяти. Однако в данной модели не находит объяснения экспериментально наблюдаемое увеличение проводимости нитрида кремния, поскольку образующиеся при деградации центры N4 , ( N+ ) обладают большей энергией ионизации захваченных на них носителей по сравнению с ловушками N40 ,
( N0 ). Следует также отметить, что состояний, связанных с дефектами Ы4 и Ы2 в аморфных веще-
ствах, не наблюдалось. В [32] образование ловушек в нитриде кремния приписывалось атомам кремния, обладающим измененной координацией. Предполагалось наличие трех различных зарядовых состояний дефектов в запрещенной зоне диэлектрика (рисунок 1). Нейтральный дефект В° (оборванная связь атома кремния с одним на ней электроном) расположен по энергии между заряженными
дефектами В* и О" .
5i0,
Si.N.
J"4
£
' -4-
k'^-i-o-^
В зоне локализованных состояний 313М4 показаны
энергетические уровни Б-центров Рисунок 1 - Зонные диаграммы МНОП-структуры в режимах записи (а) и стирания (б) информации
Отрицательно заряженный дефект О" с двумя электронами на оборванной связи кремния лежит по энергии около края валентной зоны кремния. Положительно заряженное состояние связи с двумя дырками В+ находится около края зоны проводимости полупроводника.
При захвате электрона (дырки) на центр В+, (
О" ) происходит переход дефектов В+, (О" ) в В°. В этой модели деградация МНОП-структур связывается с ростом концентрации В°-центров.
Следует отметить, что, согласно этой модели, энергия ионизации ловушек, контролирующих зонный транспорт в нитриде кремния, определяется уровнем энергии дефектов В° в запрещенной зоне диэлектрика. Последняя величина составляет порядка 2,5 эВ (рисунок 1), что находится в противоречии с известными экспериментальными результатами.
Подводя итог, следует отметить, что физические механизмы нестабильности характеристик МДП-элементов памяти до работы [33] были недостаточно изучены. Предложенные модели деграда-ционных явлений объясняют лишь некоторые изменения электрофизических свойств МДП-элементов памяти[3 4].
Общим для этих моделей является то, что в них предполагается (возможно, имеющее место) изменение энергетического распределения ловушек в запрещенной зоне диэлектрика и не учитывается основное свойство диэлектрика в запоминающих МДП-структурах: накапливать и длительно хранить заряд на глубоких локализованных состояниях. В связи с этим представляется принципиально важным учет возможности длительного сохранения термодинамически неравновесного распределения зарядов в широкозонном аморфном диэлектрике.
ЛИТЕРАТУРА
1. Ржанов А.В., Синица С.П. Системы памяти на основе МДП-структур // Микроэлектроника.. Т. 6, вып. 6, 1983. С. 491-497.
2. Chang I.I. Non-volatile semiconductor memory devices // Proc. IEEE. Vol. 64,1986. P.1039-1060.
3. Schroer D.K., White M.H. Characterization of current transport in MNOS structure with complementary tunneling emitter bipolar transistors // IEEE Trans. Electron Devices. Vol. ED-26, N 6, 1983. P. 899-907.
4. Woots M. R., Tuska J. W. Degradation of MNOS memory transistor characteristics and failure mechanism model // Proc. 10th Ann. Reliab. Phys. Symp. Las Vegas, 1981. P. 120-126.
5. Гиновкер А. С., Колосанов В. А., Курышев Г. А. Релаксация заряда в МНОП-транзисторах при многократных переключениях // Микро-электроника. Вып. 5. 1982. С. 419-423.
6. Масловский В. М., Нагин А. П. Влияние сильного поля на проводимость пленок нитрида кремния // Письма в ЖТФ.Т. 2. Вып. 17. 1981.С. 777-779.
7. Neugebauer С. A., Burgess J. F. Endurance and memory decay of MNOS devices // J Appl. Phys. Vol. 47, N 7, 1983. P. 3182-3191.
стояний: N4 , N„ , N0 , и N+ , N , N0 соот
4
2
2
8. Jeppson K. О., Svensson С. М. Negative bias stress of MNOS devices high electric fields and degradation of MNOS devices // Ibid. Vol. 48, N 5, 1984. P. 2004—2014.
9. Schauer H., Arnold E., Mfan P. C. Interface states and memory decay in MNOS capacitors // IEEE Trans. Electron Devices. Vol. ED-25. N 8, 1988. P. 1037—1042.
10. Масловский В. М., Нагин А. П. Характер проводимости и необратимые изменения в МНОП-структурах//Микроэлектроника, Т. 7, № 6, 1988. С. 531-537.
11. Масловский В. М., Нагин А. П., Поспелов В. В., Тюлькин В. Н. Кинетика необратимых изменений проводимости нитрида кремния // Письма в ЖТФ. Т. 4, вып. 20, 1988. С.1237-1239.
12. Schuermeyer F. L., Young С. R. Endurance studies on MNOS devices // J. Appl. Phys Vol. 49, N 8, 1988. P. 4556-4559.
13. Масловский В. М., Нагин А. Я., Поспелов В. В., Тюлъкин В. И. Исследование нестабильности проводимости МНОП-структуры, связанной с величиной протекшего заряда // ЖТФ. Т. 49. № 9, 1989. С. 1885-1861.
14. Плотников А. Ф., Селезнев В. Я., Токарчук Д. Я. Деградация МНОП-структур под действием УФ-облучения // Микроэлектроника. Т.8, вып. 6, 1988. С.554-558.
15. Плотников А. Ф., Садыгов 3. Я., Селезнев В. Я. Влияние величины протекшего заряда на скорость релаксации захвата заряда в МНОП-элементах памяти // Письма в ЖТФ. Т. 6, вып. 7, 1986. С. 431-434.
16. Гороховский Ю. А., Пономарев А. Я., Селезнев В. Я., Токарчук Д. Я. Влияние многократных переключений МНОП-структур на параметры электронных центров захвата // Новосибирск, Ч. 2, 1986. С. 167-168.
17. ПРОГРАММНЫЙ ПАКЕТ МОДЕЛИРОВАНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ / Кочегаров И.И., Таньков Г.В. // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2011. Т. 2. С. 334-337.
18. Плотников А. Ф., Сагитов Р. Г., Садыгов 3. Я., Селезнев В. Я. Восстановление характеристик деградированных МНОП-структур и влияние света на скорость восстановления. // Письма в ЖТФ. Т. 6, вып. 7, 1986. С. 222-223.
19. Агафонов А. И., Плотников А. Ф., Селезнев В. Н. Модель деградационных явлений МНОП-элементов памяти. Препр. ФИАН № 86. М., 1982. С. 159-160.
20. Плотников А. Ф., Селезнев В. Я. Физическая природа деградационных явлений в МНОП-элементах памяти // Тез. докл. I Всесоюз. конф. Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов, Ч. 2., Кишинев, 25-27 мая 1982. С.45.
21. Агафонов А. И., Плотников А. Ф., Сагитов Р. Г., Садыгов З.Я., Селезнев В. Я. Физическая модель деградационных явлений в МНОП-элементах памяти. Препр. ФИАН № 86. М., 1982. С.53.
22. Масловский В. М., Нагин А. П. Изменение концентрации центров захвата электронов в нитриде кремния при деградации МНОП-структуры // Тез. докл. Всесоюз. конф. Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов, Ч.2, Кишинев, 25-27 мая 1982 . С. 9.
23. Булавинов В. В., Тарантов Ю. А., Барабан А. П. Влияние сильных электрических полей на проводимость пленок нитрида кремния // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Вып. 2. 1982. С. 28-32.
24. Булавинов В. В., Тарантов Ю. А., Барабан А. П. О механизме увеличения проводимости нитрида кремния при деградации МНОП-элементов памяти // Письма в ЖТФ, Вып. 4., 1981. С. 235-238.
25. Киселев В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1980. С.
309.
26. Горячев Н.В. К вопросу реализации метода автоматизированного выбора системы охлаждения / Горячев Н.В., Кочегаров И.И., Юрков Н.К. // Алгоритмы, методы и системы обработки данных. 2013. № 3 (25). С. 16-20.
27. Suzuki E., Hayashi V. A model of degradation mechanisms in MNOS structures // AppL Phys. Lett. Vol. 35. N 10,1983. P. 790-792.
28. Dean P. I. Choyne W. J. Recombination-enhanced defect reactions // Adv. Phys. Vol. 26, 1982. P.1-30.
29. Шейкман М. К. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцепторных пар в CdS .// Письма в ЖЭТФ. Т. 15, вып. II. С. 673-678.
30. Садыгов 3. Я. Физические процессы в структурах металл - нитрид кремния - двуокись кремния - полупроводник: Дис. канд. физ.-мат. наук. 01.04.10. М., 1981. С.173.
31. ОДНОКАНАЛЬНОЕ УПРАВЛЕНИЕ ШАГОВЫМ ДВИГАТЕЛЕМ / Воробьев Д.В., Трусов В.А., Кочегаров И.И., Горячев Н.В. // Молодой ученый. 2015. № 3 (83). С. 110-113.
32. Ngai K. L., Hsia Y. Empirical study of the metal-nitride-oxide-semiconductor device characteristics deduced from a microscopic model of memory traps // Appl. Phys. Lett, Vol. 42, N 2. P. 159-161.
33. Anderson P. W. Model for the electric structure of amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett.. Vol. 34. N 15, 1985. P. 953-955.
34. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1983. С. 655.
35. Тулегулов А.Д. Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07. - физика конденсированного состояния.
36. Северцев, Н.А. К вопросу об утрате работоспособности систем / Н.А. Северцев, А.В. Бецков, А.М. Самокутяев // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2013. Т. 2. С. 268-270.
37. Критерии и показатели безопасности / Дедков В.К., Северцев Н.А., Петухов Г.Б., Тихон Н.К. // Вопросы теории безопасности и устойчивости систем. 1999. № 1. С. 33-54.
38. Северцев, Н.А. Минимизация обобщенного риска угроз безопасности / Н.А. Северцев // Вопросы теории безопасности и устойчивости систем. 2005. № 7. С. 3-10.
39. Универсальные оценки безопасности. Монография / Дивеев А.И., Северцев Н.А. // Москва, 2005.
УДК 621.436.068
1 2 2 2 Азаматов Б.Н., Азаматова Ж.К., Ергалиев Д.С., Тулегулов А.Д.
восточно - Казахстанский Государственный технический университет им. Д.Серикбаева, Усть-Каменогоск, Казахстан
2Евразийский Национальный университет им. Л.Н. Гумилева, Астана, Казахстан
КАТАЛИТИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА ОТРАБОТАВШИХ ГАЗОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СВС - ТЕХНОЛОГИЙ
Анализ работ по каталитической очистке отработавших газов дизелей показывает, что при рациональном подборе катализаторов, выборе уста-
новки нейтрализаторов в системе выпуска, обеспечение системы выпуска сажевыми фильтрами, соблюдение температурных режимов процессов ка-
