Анализ влияния магнитного поля на дрейфовые характеристики и гальваномагнитные параметры полупроводников с переменной эффективной массой носителей заряда Текст научной статьи по специальности «Физика»

УДК 621.382

Ерещенко Г.Е.

АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ДРЕЙФОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПЕРЕМЕННОЙ ЭФФЕКТИВНОЙ МАССОЙ

НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

Если в упомянутых в названии анизотропных полупроводниках магнитное поле с индукцией В лежит в плоскости гх под углом а к оси х, вдоль которой приложено постоянное электрическое поле с напряженностью Е0, то решая стационарные варианты компонент по осям координат уравнений движения [1]:

и разогрева:

dV eE0 . V

-----= —1 + e(V х B)---------------

dt m t

dw VE w - w0

= eVxE0-----------1

Ж тэ

(где V - скорость свободных носителей заряда; е и т - их заряд и масса (т=т0 при Е0=0); Ж - энергия носителей (Ж=Ж0 при Е0=0); т и тэ - времена релаксации импульса и энергии; причем V, В, т, т, р0 имеют /-е компоненты по осям х, у, г,

в частности

m m„

1 - Ро

W - W

Wo

), можно получить соотношения:

Vxo =■

eTxE0

mn

:(1 + Di)

1 +

РохПэхЕ0

1 + D

n, sin a + D =—------------------------

nyz ( Ро y + Ро z ) ПэхЕ

02 eos2 a

1 y

n„„ =

Т3ТхЄ

m0 xW0

nyz =

TyTze B

m0 ym0 z

nxy =

1 + n,„ eos a

yz

Tx*ye 2 B 2

m0 xm0 y

определяющие дрейфовую характеристику Vx0 = / (Е0) полупроводника. Учтя,

что поле Еу0 эффекта Холла Еу 0 =

Vy о m0 y

єт

= -RyjxB sin а и что из приведенных выше

уравнений можно найти Уу0, для постоянной Холла Яу получается соотношение:

Ry =

en <1 + nyz eos a

i yz

1 -(Роy + Роz )]}

,где

% = ■

nsE

Р1+A)

1 +

РoxnэxE

1 + D

Под ]х = enVx0 понимается плотность тока вдоль оси х, а под п - концентрация носителей заряда.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Малышев В.А. Теория разогревных нелинейностей плазмы твердого тела. Изд. Ростовского университета, 1979. 264 с.

1