Анализ устойчивости инжекционных полупроводниковых лазеров при модуляции СВЧ-сигналами Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

УДК 621.373.8

М.В. Орда-Жигулина АНАЛИЗ УСТОЙЧИВОСТИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ ПРИ МОДУЛЯЦИИ СВЧ-СИГНАЛАМИ

Исследована устойчивость оптического излучения к изменению ряда электрофизических параметров ИПЛ, происходящему при модуляции, в том числе, к изменению амплитуды СВЧ

модулирующего сигнала и ч. Ана-

свч

лиз базируется на использовании классического аппарата анализа радиоэлектронных систем при рассмотрении устойчивости их колебаний на основе разработанного в [1] метода определения бифуркационных состояний колебательной системы посредством анализа ляпуновских величин. Вывод об устойчивости ИПЛ сделан на основе поведения характеристических параметров а, А, и первой ляпуновской величины Ц [1]. На рис.1 показано поведение исследуемой колебательной системы при изменении параметра и свч. Значения

и„л^_ = и01 = 3,3 (А),и„л^_ = и02 = 3 (А) являются бифуркационными, поскольку Ц па- па-

меняет знак, а а, А претерпевают разрыв. Изменение знака А говорит о переходе ИПЛ (по диаграмме состояний) в седловую область потенциально неустойчивых колебаний. Такое а, А, Ц позволяет сделать вывод о срыве колебаний

ИПЛ(прекращении оптического излучения) при превышении и некоторого

свч

порогового значения. То есть, генерация ИПЛ на основе ОаАБ будет устойчивой до тех пор, пока и свч не достигнет порогового значения.

Литература:

1. Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М.: Физмат-гиз, 1959.

Ь1 ,а, А

2107-

210

т1=0,5 т2=0,45 и1=2,5 А

-210-15-

и..„ А

■ па-’

Еёп.1